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公开(公告)号：KR101181225B1
公开(公告)日：2012-09-10
申请号：KR1020110001400
申请日：2011-01-06
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 본 발명은 AZO막을 포함하는 태양전지의 제조방법에 관한 것으로, 태양광이 입사하는 반대 측에 형성된 투명전도막층을 포함하는 태양전지의 제조방법에 있어서, 알루미늄이 첨가된 산화아연 타겟을 이용한 스퍼터링에 의하여 상기 투명전도막층을 형성하는 공정을 포함하며, 상기 스퍼터링이 150℃~200℃의 온도범위에서 진행되는 것을 특징으로 한다.
본 발명은, 최적화된 조건에서 AZO막을 형성함으로써, 후면전극 또는 후면반사막으로 AZO막을 사용한 태양전지를 제공하는 효과가 있다.
또한, 후면전극 또는 후면반사막으로 AZO막을 사용하여 태양전지의 효율이 향상되는 효과가 있다.-
2.发明授权
公开(公告)号：KR101506116B1
公开(公告)日：2015-03-26
申请号：KR1020140062175
申请日：2014-05-23
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L31/046 , H01L31/18 , H01L31/04 , H01L21/027
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/046 , H01L21/027 , H01L31/04 , H01L31/18
Abstract: 본 발명은 패턴화된 태양전지용 유리기판을 제조하는 방법 및 패턴화된 태양전지용 유리기판을 이용한 태양전지 제조 방법에 관한 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 패턴화된 태양전지용 유리기판을 제조하는 방법은, 유리 기판을 준비하는 단계; 상기 유리 기판 상에 마스크층을 증착하는 단계; 상기 마스크층 상에 포토레지스트를 코팅하는 단계; 상기 포토레지스트 상에 패턴이 형성된 마스크를 위치시키고 포토리소그래피 공정을 통해 패터닝하는 단계; 패터닝된 포토레지스트를 마스크로 이용하여 상기 마스크층을 패터닝하는 단계; 상기 패터닝된 포토레지스트를 제거하고, 상기 패터닝된 마스크층을 이용하여 유리 기판의 표면 부분을 식각하여 상기 유리 기판의 표면에 요철을 형성하는 단계; 및 상기 마스크층을 제거하는 단계를 포함한다.Abstract translation: 本发明涉及一种太阳能电池用图案化玻璃基板的制造方法及使用太阳能电池用图案化玻璃基板的太阳能电池的制造方法。 根据本发明实施例的制造用于太阳能电池的图案化玻璃基板的方法包括以下步骤：制备玻璃基板; 在玻璃基板上沉积掩模层; 在掩模层上涂覆光致抗蚀剂; 在光致抗蚀剂上定位具有图案的掩模并通过光刻工艺图案化光致抗蚀剂; 通过使用图案化的光致抗蚀剂作为掩模来图案化掩模层; 通过使用图案化的掩模层蚀刻玻璃基板的表面，去除图案化的光致抗蚀剂并且在玻璃基板的表面上进行纹理化; 并去除掩模层。
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公开(公告)号：KR101484442B1
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：KR1020140012507
申请日：2014-02-04
Applicant: 성균관대학교산학협력단
Abstract: 태양전지용 유리 기판 제조방법이 개시된다. 태양전지용 유리 기판 제조방법은 유리 기판 상에 제1 마스크층을 형성하는 단계; 상기 제1 마스크층을 패터닝하여 상기 제1 마스크층에 규칙적으로 배열되고 상기 유리 기판을 노출시키는 복수의 제1 원형 개구를 형성하는 단계; 및 상기 패터닝된 상기 제1 마스크층을 마스크로 이용하여 상기 유리 기판의 표면을 식각하는 단계를 포함한다.
Abstract translation: 公开了一种太阳能电池用玻璃基板的制造方法。 该方法包括以下步骤：在玻璃基板上形成第一掩模层; 图案化第一掩模层以形成多个第一圆形开口，其规则地布置在第一掩模层上以暴露玻璃基板; 并通过使用图案化的第一掩模层作为掩模来蚀刻玻璃基板的表面。
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公开(公告)号：KR101346524B1
公开(公告)日：2013-12-31
申请号：KR1020110113873
申请日：2011-11-03
Applicant: 성균관대학교산학협력단
CPC classification number: H01L31/02366 , H01L31/0392 , Y02E10/50
Abstract: 태양전지용 유리 기판의 제조 방법에 있어서, 챔버 내에 위치한 타겟 지지부 상에 산화 금속물을 타겟으로 장착하고, 상기 챔버 내에 위한 서셉터 상에 기판을 장착한다. 상기 기판 및 상기 타겟 간의 타겟 각도를 조절한 후, 상기 기판 상에 상기 타겟 물질을 증착시켜 텍스쳐가 형성된 산화 금속막을 형성한다. 여기서, 상기 타겟 각도는 상기 타겟 표면의 법선과 상기 기판간에 이루는 각으로 정의된다.
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公开(公告)号：KR101318326B1
公开(公告)日：2013-10-15
申请号：KR1020110122524
申请日：2011-11-22
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L31/072 , H01L31/04 , H01L31/075
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본 발명은 표면에 텍스처가 다수 형성된 결정질 실리콘 기판 상기 결정질 실리콘 기판의 상면에 형성된 에미터층 상기 에미터층의 상면에 형성된 패시베이션층 상기 패시베이션층의 상면에 형성된 비정질 박막 적층체 상기 비정질 박막 적층체의 상면에 형성된 전면전극 및 상기 결정질 실리콘 기판의 후면에 형성된 후면전극을 포함하는 이종접합 실리콘 태양전지를 제공한다. 본 발명에 따른 이종접합 실리콘 태양전지는 표면 텍스처링된 결정질 실리콘 기판 상에 비정질 박막 적층체를 형성함으로써 기존의 평면구조의 태양전지에 비해 면적을 향상시키고 단락전류의 일치를 통해 초고효율을 나타낼 수 있다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101303594B1
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：KR1020110121890
申请日：2011-11-21
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L31/0445 , H01L31/075 , H01L31/0236 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 본 발명은 표면 텍스처가 형성된 유리기판의 상면에 박막형 태양전지를 제조함으로써 종래의 박막형 태양전지에 비해 단면적을 증가시키며, 표면 텍스처가 형성된 3차원 형태의 유리기판에 입사된 빛이 표면에서 반사되는 것을 감소시키고 동시에 태양전지 구조 내에서 다중 반사가 일어나게 되어 단락전류 특성을 향상시켜, 초고효율을 나타낼 수 있는 박막형 태양전지 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR101289277B1
公开(公告)日：2013-07-24
申请号：KR1020100116147
申请日：2010-11-22
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L31/06 , H01L31/04 , H01L31/0236
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본 발명은 표면 텍스처링된 실리콘 웨이퍼를 이용하여 표면 텍스처링되고 PN 접합이 형성된 3차원 형상의 실리콘 기판을 제조한 후, 그 위에 광대역의 박막 적층체를 형성하여 텐덤형의 실리콘 태양전지를 제조함으로써 종래의 박막 실리콘 태양전지에 비해 단면적을 증가시켜 높은 전류를 생성하여 초고효율을 나타내는 실리콘 태양전지 및 이의 제조방법에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR1020120054828A
公开(公告)日：2012-05-31
申请号：KR1020100116147
申请日：2010-11-22
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L31/06 , H01L31/04 , H01L31/0236
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/06 , H01L31/0236 , H01L31/04
Abstract: PURPOSE: A silicon solar cell which has super high efficiency and a manufacturing method thereof are provided to improve energy conversion efficiency by laminating a thin film laminated body on the upper surface of a silicon substrate. CONSTITUTION: A surface texturing process is performed on a silicon substrate(100). The silicon substrate forms a P-N junction. A rear electrode(110) is formed on the rear side of the silicon substrate. A thin film laminated body(120) is formed on the upper surface of the silicon substrate. A front electrode(130) is formed on the upper surface of the thin film laminated body.
Abstract translation: 目的：提供一种具有超高效率的硅太阳能电池及其制造方法，其通过在硅基板的上表面层叠薄膜层叠体来提高能量转换效率。 构成：在硅衬底（100）上执行表面纹理化处理。 硅衬底形成P-N结。 背面电极（110）形成在硅衬底的后侧。 在硅衬底的上表面上形成薄膜叠层体（120）。 在薄膜层叠体的上表面上形成前电极（130）。
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公开(公告)号：KR1020120059372A
公开(公告)日：2012-06-08
申请号：KR1020110122524
申请日：2011-11-22
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L31/072 , H01L31/04 , H01L31/075
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/072 , H01L31/04 , H01L31/075
Abstract: PURPOSE: A hetero-junction silicon solar cell and a manufacturing method thereof are provided to increase a surface area of a crystalline silicon substrate by forming an amorphous thin film laminated body on an amorphous silicon substrate. CONSTITUTION: An emitter layer(110) is formed at the upper side of a crystalline silicon substrate. Texture is formed by etching the crystalline silicon substrate with a lithography method. A passivation layer(120) is formed at the upper side of the emitter layer. An amorphous thin film laminated body(130) is formed at the upper side of the passivation layer. A front side electrode(140) is formed at the upper side of the amorphous silicon layer. A rear side electrode(150) is formed at the rear side of the crystalline silicon substrate.
Abstract translation: 目的：提供一种异质结硅太阳能电池及其制造方法，以通过在非晶硅基板上形成非晶薄膜层叠体来增加晶体硅衬底的表面积。 构成：在晶体硅衬底的上侧形成发射极层（110）。 通过用光刻法蚀刻晶体硅衬底形成纹理。 钝化层（120）形成在发射极层的上侧。 在钝化层的上侧形成无定形薄膜叠层体（130）。 在非晶硅层的上侧形成有前侧电极（140）。 背面电极（150）形成在晶体硅衬底的后侧。
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公开(公告)号：KR102027138B1
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：KR1020130076812
申请日：2013-07-02
Applicant: 성균관대학교산학협력단
IPC: H01L31/0236
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