Abstract:
본 발명은 외부의 전자기기로부터 방출된 전자기파를 차단하거나 전자기기 내부에서 발생된 전자기파를 외부로 방출하는 것을 방지할 목적뿐만 아니라 기기 내부의 근방계 영역에서 일어나는 전송회로 간에서의 간섭, 또는 외부 전파에 의한 오작동 등의 영향을 줄이기 위하여 고안된 근방계 영역의 전자기파 감쇄 및 방열용 수동소자층 및 그를 포함하는 전자기 소자, 회로기판에 관한 것이다.
Abstract:
본원은, 기재 상에 탄소 소스를 포함하는 반응 가스 및 열을 제공하여 반응시킴으로써 상기 기재 상에 그래핀을 성장시키는 단계; 및, n-형 도펀트를 포함하는 도핑 용액 또는 n-형 도펀트를 포함하는 증기에 의해 상기 그래핀을 n-도핑하는 단계: 를 포함하는, 그래핀의 n-도핑 방법, 이에 의해 제조되는 n-도핑된 그래핀 및 상기 n-도핑된 그래핀을 포함하는 소자를 제공한다.
Abstract:
본원은 그래핀의 저온 형성 방법, 및 이를 이용한 그래핀 직접 전사 방법 및 그래핀 시트에 관한 것으로서, 상기 그래핀의 저온 형성 방법은 기재 상에 형성된 그래핀 성장용 금속 촉매층에 탄소 소스-함유 가스를 공급하고 유도결합플라즈마 화학기상증착(ICP-CVD)에 의하여 500℃ 이하의 저온에서 그래핀을 형성하는 것을 포함할 수 있다.
Abstract:
본 발명은, (a) 베이스 부재와, 상기 베이스 부재에 형성된 산화층과, 상기 산화층에 형성된 금속 촉매층과, 상기 금속 촉매층에 형성된 그래핀을 포함하는 그래핀 부재를 준비하는 단계와, (b) 접착층이 형성된 접착 부재를 상기 그래핀에 배치하는 단계와, (c) 상기 접착 부재에 소정의 힘을 가하여 상기 산화층과 상기 금속 촉매층 사이를 분리하는 단계와, (d) 상기 금속 촉매층을 에칭 공정으로 제거하는 단계를 포함하는 그래핀의 제조 방법과, 그 제조 방법으로 얻어지는 그래핀, 그 그래핀을 포함하는 전도성 박막, 투명 전극, 방열 또는 발열 소자를 제공한다. 그래핀, 분리 방법, 제조 방법
Abstract:
PURPOSE: A surface plasmon resonance sensor using a metal graffin, a manufacturing method thereof and a plasmon resonance system are provided to driven in a fixed wave length without a buffer layer by having a different cladding mode within a sensor. CONSTITUTION: A surface plasmon resonance sensor using a metal griffin comprises a metal graffin layer(140). The metal graffin layer is formed in the core(120) of the fixed region of an optical fiber(100) from in which a jacket and a cladding(130) are removed. The core of the optical fiber comprises one or more selected from the group consisting of the inorganic material, organic compound and their combination. The core of the fixed region of the optical fiber is exposed. The metal graffin layer is formed on the exposed core of the optical fiber.
Abstract:
PURPOSE: A solar cell using graphene and a manufacturing method thereof are provided to easily manufacture a solar cell with a predetermined open circuit voltage by controlling the number of graphene unit layers. CONSTITUTION: A solar cell(100) comprises an anode electrode(110), a cathode electrode(140), a graphene layer(130), a semiconductor layer(120), and a photo reactive layer. The cathode electrode is arranged by being separated with the anode electrode. The graphene layer and the semiconductor layer are arranged between the anode electrode and the cathode electrode. The photo reactive layer generates electronics or a hole in response to entered light while being located in the interface of the semiconductor layer and the graphene layer. The graphene layer includes one or more graphene unit layers. The number of graphene unit layers, which constitutes the graphene layer, is controlled based on work function difference between the semiconductor layer and the graphene layer.