公开(公告)号：KR1020170091627A

公开(公告)日：2017-08-09

申请号：KR1020177015538

申请日：2015-09-17

Applicant: 소이텍

Inventor： 코논추크올레그 ,  랑드뤼디디에 ,  피게크리스토프

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/762

CPC classification number: H04B1/03 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/76297 ,  H01L41/0477 ,  H01M4/663

Abstract: 본발명은, 반도체지지기판(2); 지지기판(2) 상에배열되는트래핑층(3)을포함하고, 트래핑층(3)은미리결정된결함밀도보다큰 결함밀도를포함하는것을특징으로하고; 미리결정된결함밀도는, 그결함밀도위에서트래핑층(3)의전기저항률이온도범위 [-20 ℃; +120 ℃]에걸쳐 10 kohm.cm 이상인결함밀도인, 무선주파수애플리케이션들을위한구조체(1)에관한것이다.

Abstract translation: 本发明提供了一种半导体器件，包括：半导体支撑衬底（2）; 其特征在于，它包括布置在支撑衬底（2）上的俘获层（3），其中俘获层（3）包括大于预定缺陷密度的缺陷密度; 预定的缺陷密度使得俘获层3在缺陷密度上的电阻率在温度范围[-20占据; + 120℃）。

公开(公告)号：KR1020150119822A

公开(公告)日：2015-10-26

申请号：KR1020150054032

申请日：2015-04-16

Applicant: 소이텍 ,  꼼미사리아 아 레네르지 아토미끄 에뜨 옥스 에너지스 앨터네이티브즈

Inventor： 랑드뤼디디에 ,  코논추크올레그 ,  벤모하메드나디아 ,  매시다미엔 ,  마젠프레데릭 ,  리에우토르드프랑수아

IPC: H01L21/762

CPC classification number: H01L21/76254 ,  H01L21/6835 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2221/68381

Abstract: 다음의주요단계들을포함하는지지체(4)로유용층(useful layer, 3)을이송하는방법이개시된다. 본방법은, 광종(light species)을제1 기판(1) 내로주입시켜연약한평면(fragilization plane, 2)을형성함으로써, 연약한평면과제1 기판(1)의표면사이에유용층(3)을형성하는단계, 제1 기판(1)의표면상에지지체(4)를적용하여, 두개의노출면(S1, S2)을가지는, 균열될어셈블리(5)를형성하는단계, 균열될어셈블리(5)에열 깨짐처리(thermal fragilization treatment)를수행하는단계, 연약한평면(2)을따라제1 기판(1)에균열파(fracture wave)가개시(initiation)되고및 자가-지속전파(self-sustained propagation)되는단계를포함한다. 균열될어셈블리(5)의면들(S1, S2) 중적어도어느하나가, 컨택존(contact zone)에걸쳐서, 균열파가개시및/또는전파되는동안방출되는음향진동(acoustic vibration)을포집및 소멸시키는데적절한흡수요소(6a, 6b)와긴밀접촉된다.

Abstract translation: 公开了一种用于由具有以下主要步骤的支撑体（4）转移有用层（3）的方法。 本发明的方法包括以下步骤：通过将光物质注入到第一基底（1）中并形成脆性平面（1），在脆性平面和第一基底（1）的表面之间形成有用层（3） 2）; 通过将支撑体（4）施加到第一基板（1）的表面上，形成具有两个暴露表面（S1，S2）的要破裂的组件（5）; 对组件进行热脆化处理以破裂（5）; 并且沿着所述脆化平面（2）具有在所述第一基板（1）上的断裂波的起始和自持续传播。 要破裂的组件（5）的一个或多个表面（S1，S2）紧密接触适当的吸收元件（6a，6b），用于收集和消除在破裂波的开始和/或传播时排出的声音振动 在接触区进行。

公开(公告)号：KR1020150087244A

公开(公告)日：2015-07-29

申请号：KR1020157013305

申请日：2013-09-25

Applicant: 소이텍

Inventor： 구델크리스토프 ,  코논추크올레그

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L21/7624 ,  H01L21/324 ,  H01L21/76251 ,  H01L21/84

Abstract: 본발명은복수의반도체-온-절연체구조 (200)의제조방법에대한것으로서, 절연체는 50nm보다더 작은두께의실리콘다이옥사이드층(202)이고, 각구조(200)는실리콘-다이옥사이드층 (202)에위치한반도체층(203)을포함하고, 제조방법은복수의구조(200)의열처리단계를포함하고, 열처리단계는실리콘-다이옥사이드층(202)을부분적으로용해시키도록설계되고, 열처리단계는비-산화분위기에서수행되고, 제조방법은 0.1bar 보다낮은비-산화분위기의압력에서수행된다.