公开(公告)号：KR1020070109858A

公开(公告)日：2007-11-15

申请号：KR1020070044011

申请日：2007-05-07

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 아와타히데아키 ,  에무라카츠지 ,  요시다켄타로

IPC: G01B7/06 ,  G01B21/08

CPC classification number: C23C14/545 ,  C23C14/562

Abstract: A coating thickness measurement mechanism and a coating apparatus using the same are provided to minimize deviation of thickness in a length direction by feeding back data on manufacture factors, such as temperature, to a control system. A coating thickness measurement mechanism continuously confirms the thickness of a layer coated on a conductive base material(1) during the coating process. The coating layer thickness measurement mechanism includes a pair of sensing units(4,8) arranged at the front and the rear sides of the base material to measure the electrostatic capacitance value of the coated layer. A tension applied to the base material in the sensing units is greater than the tension applied to the base material.

Abstract translation: 提供一种涂层厚度测量机构和使用该涂层厚度测量机构的涂覆装置，通过将关于诸如温度的制造因素的数据反馈到控制系统来最小化长度方向上的厚度偏差。 涂层厚度测量机构在涂覆过程中连续地确认涂覆在导电基材（1）上的层的厚度。 涂层厚度测量机构包括布置在基材的前侧和后侧的一对感测单元（4,8），以测量涂层的静电电容值。 施加到感测单元中的基材的张力大于施加到基材的张力。

公开(公告)号：KR101948998B1

公开(公告)日：2019-02-15

申请号：KR1020167025555

申请日：2015-08-21

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 미야나가미키 ,  와타타니겐이치 ,  아와타히데아키

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L29/06 ,  H01L27/12

公开(公告)号：KR101863467B1

公开(公告)日：2018-05-31

申请号：KR1020167011648

申请日：2015-06-18

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 미야나가미키 ,  와타타니겐이치 ,  소가베고이치 ,  아와타히데아키

IPC: C04B35/01 ,  C23C14/34 ,  H01L29/786 ,  H01L21/02

CPC classification number: C04B35/01 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/62675 ,  C04B35/62685 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3231 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/762 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/79 ,  C23C14/08 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  H01J37/3429 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/786 ,  H01L29/7869

Abstract: 인듐, 텅스텐및 아연을함유하고, 빅스바이트형(bixbite type) 결정상을주성분으로서포함하며, 겉보기밀도가 6.8 g/㎤보다크고 7.2 g/㎤이하이고, 인듐, 텅스텐및 아연의합계에대한텅스텐의함유율이 0.5 원자%보다크고 1.2 원자% 이하이며, 인듐, 텅스텐및 아연의합계에대한아연의함유율이 0.5 원자%보다크고 1.2 원자% 이하인산화물소결체및 그제조방법, 상기산화물소결체를포함하는스퍼터타겟, 및상기스퍼터타겟을이용하여스퍼터법에의해형성한산화물반도체막(14)을포함하는반도체디바이스(10)가제공된다.

公开(公告)号：KR101853575B1

公开(公告)日：2018-04-30

申请号：KR1020167025886

申请日：2015-10-15

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 미야나가미키 ,  아와타히데아키 ,  와타타니겐이치

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01J37/3429 ,  C04B35/01 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/62645 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/326 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/602 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/767 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C23C14/3414 ,  C23C16/40 ,  H01J37/3491 ,  H01J2237/332 ,  H01L29/22

Abstract: 인듐, 텅스텐및 아연을함유하는산화물소결체로서, 빅스바이트형결정상을주성분으로서포함하고, 겉보기밀도가 6.6 g/㎤보다크고 7.5 g/㎤이하이고, 산화물소결체내의인듐, 텅스텐및 아연의합계에대한텅스텐의함유율이 0.5 원자%보다크고 5.0 원자% 이하이고, 산화물소결체내의인듐, 텅스텐및 아연의합계에대한아연의함유율이 1.2 원자% 이상 19 원자% 이하이고, 텅스텐에대한아연의원자비가 1.0보다크고 60보다작은산화물소결체, 이것을이용한스퍼터타겟및 반도체디바이스(10)가제공된다.

公开(公告)号：KR101816468B1

公开(公告)日：2018-01-08

申请号：KR1020167016975

申请日：2015-04-08

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 미야나가미키 ,  와타타니겐이치 ,  소가베고이치 ,  아와타히데아키 ,  구리스겐이치

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/453 ,  C04B35/457 ,  C23C14/34 ,  H01L29/786

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C04B35/00 ,  C04B35/495 ,  C04B35/62218 ,  C04B2235/326 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C23C14/083 ,  C23C14/086 ,  C23C14/34 ,  H01B1/08 ,  H01J37/3429 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/786 ,  H01L29/7869

Abstract: 인듐과, 텅스텐과, 아연및 주석중 적어도하나를포함하는산화물소결체이며, 결정상으로서텅스텐과, 아연및 주석중 적어도하나를포함하는복산화물결정상을포함하는산화물소결체, 그리고이 산화물소결체를타겟으로서이용하여스퍼터법에의해형성한산화물반도체막(14)을포함하는반도체디바이스(10)가제공된다.

公开(公告)号：KR1020170072259A

公开(公告)日：2017-06-26

申请号：KR1020177013037

申请日：2016-05-06

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 미야나가미키 ,  와타타니겐이치 ,  아와타히데아키

IPC: C04B35/495 ,  C04B35/64 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L29/786

CPC classification number: C23C14/3414 ,  C04B35/00 ,  C04B35/453 ,  C04B2235/326 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/786 ,  C23C14/08 ,  C23C14/083 ,  C23C14/086 ,  H01J37/3426 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/0257 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/786 ,  H01L29/78693 ,  C04B35/495 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/76 ,  C23C14/34

Abstract: 인듐, 텅스텐및 아연을함유하는산화물소결체로서, 산화물소결체의주성분이며빅스바이트형결정상을포함하는제1 결정상과, 제1 결정상보다아연의함유율이높은제2 결정상을포함하고, 제2 결정상을구성하는입자는, 평균장축직경이 3 ㎛이상 50 ㎛이하이며, 평균종횡비가 4 이상 50 이하인산화물소결체가제공된다.

Abstract translation: 作为含有铟，钨和锌，氧化物烧结体的主要成分的氧化物烧结体，并且包括第一晶相和锌更高的第二结晶相的比含有格斯字节型晶相的第一结晶相的含量，构成第二结晶相 颗粒，不小于3㎛50㎛下面，设置了氧化物烧结体的具有一定范围的平均纵横比为4至50的平均长轴直径。

公开(公告)号：KR1020160121577A

公开(公告)日：2016-10-19

申请号：KR1020167025886

申请日：2015-10-15

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 미야나가미키 ,  아와타히데아키 ,  와타타니겐이치

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01J37/3429 ,  C04B35/01 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/62645 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/326 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/602 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/767 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C23C14/3414 ,  C23C16/40 ,  H01J2237/332 ,  H01L29/22 ,  H01L21/28238 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/324 ,  H01L29/7869 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01074

Abstract: 인듐, 텅스텐및 아연을함유하는산화물소결체로서, 빅스바이트형결정상을주성분으로서포함하고, 겉보기밀도가 6.6 g/㎤보다크고 7.5 g/㎤이하이고, 산화물소결체내의인듐, 텅스텐및 아연의합계에대한텅스텐의함유율이 0.5 원자%보다크고 5.0 원자% 이하이고, 산화물소결체내의인듐, 텅스텐및 아연의합계에대한아연의함유율이 1.2 원자% 이상 19 원자% 이하이고, 텅스텐에대한아연의원자비가 1.0보다크고 60보다작은산화물소결체, 이것을이용한스퍼터타겟및 반도체디바이스(10)가제공된다.

Abstract translation: 提供了包括铟，钨和锌的氧化物烧结体，其中氧化物烧结体包括双键型晶相作为主要成分，其表观密度高于6.6g / cm 3且等于或低于7.5g / cm3时，氧化物烧结体中钨与铟，钨，锌的含有率高于0.5原子％以上且5.0原子％以下，锌与铟，钨的总量， 氧化物烧结体中的锌等于或高于1.2原子％且等于或低于19原子％，并且锌与钨的原子比高于1.0且低于60.还提供了溅射靶，包括 该氧化物烧结体和半导体器件。

公开(公告)号：KR1020160120774A

公开(公告)日：2016-10-18

申请号：KR1020167025555

申请日：2015-08-21

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 미야나가미키 ,  와타타니겐이치 ,  아와타히데아키

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/02 ,  H01L21/324 ,  H01L29/06 ,  H01L27/12

CPC classification number: H01L29/7869 ,  C01G41/00 ,  C01G41/006 ,  C01P2006/40 ,  C23C14/08 ,  C23C14/083 ,  C23C14/086 ,  C23C14/34 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/467 ,  H01L21/477 ,  H01L29/24 ,  H01L29/263 ,  H01L29/786 ,  H01L21/02592 ,  H01L21/324 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/0665

Abstract: 나노결정산화물또는비정질산화물로구성되는산화물반도체막으로서, 인듐, 텅스텐및 아연을함유하고, 산화물반도체막중의인듐, 텅스텐및 아연의합계에대한텅스텐의함유율이 0.5 원자%보다크고 5 원자% 이하이며, 전기저항률이 10Ωcm 이상인산화물반도체막(14) 및이것을포함하는반도체디바이스(10)가제공된다.

Abstract translation: 提供了由纳米晶体氧化物或无定形氧化物构成的氧化物半导体膜（14），其中氧化物半导体膜包括铟，钨和锌，氧化物半导体膜中的钨含量总共为铟，钨和锌的含量为 高于0.5原子％且等于或低于5原子％，电阻率等于或高于10 -1厘米。 还提供了包括氧化物半导体膜的半导体器件（10）。

公开(公告)号：KR1020160065188A

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：KR1020167011648

申请日：2015-06-18

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 미야나가미키 ,  와타타니겐이치 ,  소가베고이치 ,  아와타히데아키

IPC: C04B35/01 ,  C23C14/34 ,  H01L29/786 ,  H01L21/02

CPC classification number: C04B35/01 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/62675 ,  C04B35/62685 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3231 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/762 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/79 ,  C23C14/08 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  H01J37/3429 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/24 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/786 ,  H01L29/7869 ,  C23C14/34 ,  C23C14/3407 ,  H01L21/02266

Abstract: 인듐, 텅스텐및 아연을함유하고, 빅스바이트형(bixbite type) 결정상을주성분으로서포함하며, 겉보기밀도가 6.8 g/㎤보다크고 7.2 g/㎤이하이고, 인듐, 텅스텐및 아연의합계에대한텅스텐의함유율이 0.5 원자%보다크고 1.2 원자% 이하이며, 인듐, 텅스텐및 아연의합계에대한아연의함유율이 0.5 원자%보다크고 1.2 원자% 이하인산화물소결체및 그제조방법, 상기산화물소결체를포함하는스퍼터타겟, 및상기스퍼터타겟을이용하여스퍼터법에의해형성한산화물반도체막(14)을포함하는반도체디바이스(10)가제공된다.

Abstract translation: 提供了包括铟，钨和锌的氧化物烧结体，其中氧化物烧结体包括双键型晶相作为主要成分，其表观密度高于6.8g / cm 3且等于或低于7.2g / cm 3时，钨的总含量为铟，钨，锌的含有率为0.5原子％以上且1.2原子％以下，锌与铟，钨，锌的合计含有率高于 0.5原子％且等于或小于1.2原子％。 还提供了一种用于制造氧化物烧结体的方法，包括氧化物烧结体的溅射靶，以及包括通过使用溅射靶通过溅射法形成的氧化物半导体膜的半导体器件。

公开(公告)号：KR1020090094214A

公开(公告)日：2009-09-04

申请号：KR1020097005099

申请日：2007-11-15

Applicant: 스미토모덴키고교가부시키가이샤

Inventor： 에무라카츠지 ,  우에무라타카시 ,  아와타히데아키 ,  요시다켄타로 ,  오가와미츠야스 ,  이쿠타리키조

IPC: H01M10/04 ,  H01M10/05 ,  H01M6/02

CPC classification number: H01M2/1673 ,  H01M6/40 ,  H01M10/052 ,  H01M10/0585

Abstract: A battery comprises a positive electrode layer (20), a negative electrode layer (50), and an electrolyte layer (40) for conducting ions between the both electrode layers. In this battery, the positive electrode layer (20) and the negative electrode layer (50) are stacked and an insulating layer (30) is interposed between the positive electrode layer (20) and the negative electrode layer (50). The insulating layer (30) is formed to have an area smaller than that of one of the positive electrode layer (20) and the negative electrode layer (50) and larger than that of the other one. It is so formed that there is no area where the positive electrode layer (20) and the negative electrode layer (50) face each other with only the electrolyte layer (40) interposed between them. The insulating layer (30) interposed between the positive electrode layer (20) and the negative electrode layer (50) prevents a short-circuit from occurring between the positive and negative electrode layers even if a pinhole is present in the electrolyte layer (40).

Abstract translation: 电池包括正极层（20），负极层（50）和用于在两个电极层之间传导离子的电解质层（40）。 在该电池中，堆叠正极层（20）和负极层（50），在正极层（20）和负极层（50）之间插入有绝缘层（30）。 形成绝缘层（30）的面积比正极层（20）和负极层（50）的面积小。 通过这样形成，只有电极层（40）插入在正极层（20）和负极层（50）之间不存在区域。 介于正电极层（20）和负电极层（50）之间的绝缘层（30）即使在电解质层（40）中存在针孔，也防止了在正电极层和负电极层之间发生短路， 。