公开(公告)号：KR101501338B1

公开(公告)日：2015-03-16

申请号：KR1020130012174

申请日：2013-02-04

Applicant: 스마트전자 주식회사 ,  아주대학교산학협력단

Inventor： 정종일 ,  강두원 ,  안규진 ,  진상준 ,  김현창 ,  이경미 ,  백창용 ,  우창수 ,  강태헌 ,  김창구 ,  조성운 ,  김준현

IPC: C23C16/448 ,  C23C16/44

Abstract: 본 발명은 서지흡수기 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 저압 화학기상증착 방식으로 전도성 박막이 형성되기 때문에 고순도의 박막을 형성할 수 있고, 반응기 내의 압력, 증착온도, 유량비 및 증착시간 등의 조건에 있어서 임계적 의의가 인정되는 각 수치범위를 제시함으로써, 서지 흡수기의 응답속도를 극대화할 수 있고, 공정 효율을 향상시킬 수 있는 서지흡수기 제조방법에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR101735999B1

公开(公告)日：2017-05-15

申请号：KR1020160016292

申请日：2016-02-12

Applicant: 아주대학교산학협력단

Inventor： 김창구 ,  김준현 ,  박정근

IPC: B32B18/00 ,  B32B3/30 ,  B32B38/00 ,  B32B37/24 ,  C23C16/06 ,  C23C16/448

Abstract: 본발명의이중구조산화주석박막및 이의제조방법에서, 본발명의이중구조산화주석박막은메쉬(mesh)형오목패턴(pattern)이형성된제1 산화주석(tin oxide) 박막, 상기오목패턴내에귀금속으로형성된귀금속메쉬패턴및 상기제1 산화주석박막층의표면및 귀금속메쉬패턴의표면에형성된제2 산화주석박막층을포함한다.

Abstract translation: 在本发明的双结构氧化锡薄膜及其制造方法中，本发明的双结构氧化锡薄膜是具有网状凹图案和贵金属的氧化锡薄膜 以及在第一氧化锡薄膜层的表面和贵金属网格图案的表面上形成的第二氧化锡薄膜层。

公开(公告)号：KR101623654B1

公开(公告)日：2016-05-23

申请号：KR1020140165011

申请日：2014-11-25

Applicant: 아주대학교산학협력단

Inventor： 김창구 ,  조성운 ,  김준현

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L21/3065 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/30655 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826

Abstract: 실리콘기판의원하는부분을식각하는실리콘기판식각방법에있어서, 본발명의실리콘기판식각방법은실리콘기판상에식각마스크를형성하는단계; 할로겐기초가스, 불화탄소가스및 산소를포함하는제1 가스를준비하는단계; 및상기제1 가스를상기기판상에플라즈마처리하여상기기판을식각하는단계;를포함할수 있다.

Abstract translation: 在使用等离子体气体蚀刻硅衬底以蚀刻硅衬底的期望部分的方法中，根据本发明的用于蚀刻硅衬底的方法可以包括在硅衬底上形成蚀刻掩模的步骤; 制备包括卤素基础气体，氟化碳气体和氧气的第一气体的步骤; 以及通过对衬底上的第一气体进行等离子体处理来蚀刻衬底的步骤。 因此，可以提供具有优异性能的各向异性蚀刻的硅衬底。

公开(公告)号：KR101886963B1

公开(公告)日：2018-08-08

申请号：KR1020170036558

申请日：2017-03-23

Applicant: 아주대학교산학협력단

Inventor： 김창구 ,  박정근 ,  김준현 ,  박창진

IPC: C23C16/06 ,  C23C16/18 ,  C23C16/08 ,  C23C16/52

CPC classification number: C23C16/06 ,  C23C16/08 ,  C23C16/18 ,  C23C16/52

Abstract: 본발명은니켈계금속포일상에주석전구체를이용하는화학기상증착법을통해주석을상기니켈계금속포일상에증착하여, 상기니켈계금속포일표면에니켈/주석합금층을형성하는단계;를포함, 니켈계금속포일의비저항조절방법에관한것이다.

公开(公告)号：KR101620786B1

公开(公告)日：2016-05-12

申请号：KR1020150080868

申请日：2015-06-08

Applicant: 아주대학교산학협력단

Inventor： 조성운 ,  김준현 ,  박정근 ,  김창구

IPC: H01L21/312 ,  H01L21/314 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/033

CPC classification number: H01L21/3065 ,  B32B33/00 ,  B32B2307/73 ,  H01L21/02112 ,  H01L21/033 ,  H01L21/0334

Abstract: 본발명은초소수성표면제조방법및 초소수성표면체에관한것으로서, 플라즈마식각과증착만으로초소수성표면을구현할수 있는방법에관한것이다. 본발명의초소수성표면은부착일(work of adhesion)이 3 mJ/m이하로매우작아자가세정(self-cleaning) 표면, 흐림방지(anti-fogging) 표면, 자동차유리표면, 약물전달소자등 다양한분야에응용될수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及超疏水表面和超疏水表面结构的制造方法。 该方法只能通过等离子体蚀刻和沉积实现超疏水表面。 疏水表面具有低于或等于3mJ / m ^ 2的非常低的附着力，因此疏水性表面可以应用于各种领域，例如自清洁表面，防雾表面，车辆玻璃 表面，药物传递装置等。该方法包括以下步骤：a）在上部制备具有二维图案化掩模的衬底; b）通过用包含氟碳的气体的等离子体处理衬底，在掩模的孔的内表面和掩模的表面上形成碳氟化合物层; c）在基板上形成对应于掩模的杆; d）通过重复形成碳氟化合物层的步骤b）和形成棒的步骤c）来增加杆的高度; e）去除在其上形成多个棒层的基底上的掩模; 以及f）通过用形成在其上的多个杆层的等离子体处理含有碳氟化合物的气体的等离子体，在棒表面上形成碳氟化合物层。

公开(公告)号：KR1020140099964A

公开(公告)日：2014-08-14

申请号：KR1020130012174

申请日：2013-02-04

Applicant: 스마트전자 주식회사 ,  아주대학교산학협력단

Inventor： 정종일 ,  강두원 ,  안규진 ,  진상준 ,  김현창 ,  이경미 ,  백창용 ,  우창수 ,  강태헌 ,  김창구 ,  조성운 ,  김준현

IPC: C23C16/448 ,  C23C16/44

Abstract: The present invention relates to a manufacturing method of a surge absorber. In particular, according to the manufacturing method of a surge absorber, a thin film with high purity can be formed as a conductive thin film is formed by a low pressure chemical vapor deposition. Numerical ranges, in which critical threshold of pressure, the deposition temperature, a flow volume ratio, and deposition time in a reactor are recognized, are suggested by the present invention. Therefore, a response speed of the surge absorber can be maximized, and an efficiency of a process can be increased.

Abstract translation: 本发明涉及浪涌吸收器的制造方法。 特别地，根据浪涌吸收体的制造方法，可以通过低压化学气相沉积形成导电薄膜，形成高纯度的薄膜。 本发明提出了数值范围，其中压力的临界阈值，沉积温度，流动体积比和反应器中的沉积时间被识别。 因此，浪涌吸收器的响应速度可以最大化，并且可以提高处理的效率。