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    Zn(O, S) 버퍼층 CZTS계 박막 태양전지의 제조방법
    11.
    发明授权
    Zn(O, S) 버퍼층 CZTS계 박막 태양전지의 제조방법 有权
    ZnO S CZTS制造具有ZnO S缓冲层的CZTS基薄膜太阳能电池的方法

    公开(公告)号：KR101632631B1

    公开(公告)日：2016-06-23

    申请号：KR1020150043102

    申请日：2015-03-27

    Applicant: 재단법인대구경북과학기술원

    Inventor： 양기정 ,  심준형 ,  손대호 ,  강진규 ,  이상주

    IPC: H01L31/0749 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/18 ,  H01L31/0256

    CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

    Abstract: 본발명은 Zn(O, S) 버퍼층 CZTS계박막태양전지의제조방법에관한것으로, 상세하게는 Zn(O, S) 버퍼층을원자층증착법으로형성하여정확한비율의 Zn(O, S) 버퍼층의제조가가능한 Zn(O, S) 버퍼층 CZTS계박막태양전지의제조방법에관한것이다. 본발명에따른 Zn(O, S) 버퍼층 CZTS계박막태양전지의제조방법은 CZTS의광흡수층상에 Zn(O, S)의버퍼층을원자층증착법으로형성시켜, Zn(O, S)의버퍼층의산화아연(ZnS), 황화아연(ZnO)의비율을정확하게제어할수 있으며, 원자층증착법에의해 CZTS계의광흡수층과접촉되는계면의품질이향상되어계면에서전류와전압의손실이저하되는효과가있으며, 기존의버퍼층에서사용되는물질인 CdS를사용하지않아제조공정상의환경오염문제를해결할수 있다.

    반도체 소자 제조 방법
    12.
    发明公开
    반도체 소자 제조 방법 有权
    制造半导体器件的方法

    公开(公告)号：KR1020110011402A

    公开(公告)日：2011-02-08

    申请号：KR1020090069032

    申请日：2009-07-28

    Applicant: 재단법인대구경북과학기술원

    Inventor： 손대호 ,  김대환 ,  성시준 ,  강진규

    IPC: H01L29/786

    CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L29/45 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/78696

    Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a semiconductor device is provided to improve the characteristic of the semiconductor device by changing the electrical characteristic of an active surface in order to form a schottky junction or an ohmic junction. CONSTITUTION: A cathode electrode(102) is formed on a substrate(101). An active layer(103) is formed on the cathode electrode. The active layer is based on an indium-gallium-zinc oxide semiconductor in which the ratio of argon and oxygen is regulated. A metal anode electrode(104) is formed on the active layer. The electron affinity of the active layer is controlled by regulating processing conditions including gas atmosphere in the formation of the active layer.

    Abstract translation: 目的：提供一种用于制造半导体器件的方法，以通过改变活性表面的电特性来改善半导体器件的特性，以便形成肖特基结或欧姆结。 构成：在基板（101）上形成阴极电极（102）。 在阴极上形成有源层（103）。 有源层基于其中调节氩和氧的比例的铟镓镓锌氧化物半导体。 在有源层上形成金属阳极电极（104）。 活性层的电子亲和力通过调节包括形成有源层的气氛的处理条件来控制。

    균일한 조성의 광흡수층을 포함하는 CZTS 박막 태양전지 및 그의 제조방법
    19.
    发明公开
    균일한 조성의 광흡수층을 포함하는 CZTS 박막 태양전지 및 그의 제조방법 审中-实审
    包含具有均匀组成的CZTS薄膜的太阳能电池及其制造方法

    公开(公告)号：KR1020150023102A

    公开(公告)日：2015-03-05

    申请号：KR1020130099638

    申请日：2013-08-22

    Applicant: 재단법인대구경북과학기술원

    Inventor： 양기정 ,  심준형 ,  전보람 ,  손대호 ,  강진규 ,  김대환

    IPC: H01L31/04 ,  H01L31/18

    CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/18 ,  H01L31/04

    Abstract: 본 기재는CZTS계 박막 태양전지를 제조하는 방법으로서, 기판을 준비하는 단계 (S1), 상기 기판 상에 제 1 전극을 형성하는 단계 (S2); 상기 제 1 전극 상에 Cu 전구체, Sn 전구체 및 Zn 전구체를 증착하여, 각각 2 이상의 Cu 전구체층, Sn 전구체층 및 Zn 전구체층을 형성하는 단계 (S3); 및 상기 증착된 금속 전구체를 황화 또는 셀렌화 기체 분위기 하에서 열처리하여 광흡수층을 형성하는 단계 (S4)를 포함하며, 여기서, 상기 단계 (S3)는 상기 제 1 전극 상에 Zn 전구체층을 먼저 증착하고, Cu 전구체층의 양면이 Sn 전구체층과 인접하고, 상기 Sn 전구체층의 적어도 일면이 Zn 전구체층과 인접하록 금속 전구체를 증착하는 것을 포함한다.

    Abstract translation: 本公开涉及制造基于CZTS的薄膜太阳能电池的方法。 它包括：准备衬底的步骤（S1） 在所述基板上形成第一电极的工序（S2）; 在第一电极上沉积Cu前体，Sn前体和Zn前体的步骤（S3），并形成至少两个Cu前体层，Sn前体层和Zn前体层; 以及在S或Se气体气氛下进行沉积的金属前体的热处理并形成光吸收层的步骤（S4），其中步骤（S3）沉积金属前体以允许Cu前体的两侧接近 Sn前体层，并使Sn前体层的至少一侧接近Zn前体层。

    유연 무기물 태양전지의 제조 방법
    20.
    发明公开
    유연 무기물 태양전지의 제조 방법 有权
    可拉伸无机化合物太阳能电池及其制造方法

    公开(公告)号：KR1020140062207A

    公开(公告)日：2014-05-23

    申请号：KR1020120128542

    申请日：2012-11-14

    Applicant: 재단법인대구경북과학기술원

    Inventor： 강진규 ,  손대호 ,  김대환 ,  양기정 ,  조성진

    IPC: H01L31/042 ,  H01L31/072 ,  H01L31/18

    CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/042 ,  H01L31/072 ,  H01L31/18

    Abstract: The present invention relates to a stretchable inorganic compound solar cell which can efficiently manufacture a solar cell by a process for transferring an inorganic compound solar cell onto a stretchable substrate by using elastic polymer. The structure includes a backside electrode formed on the stretchable substrate; a light absorption layer formed on the backside electrode; a buffer layer formed on the light absorption layer; an n type material layer formed on the buffer layer and a transparent electrode and upper metal electrode layer formed on the n type material layer.

    Abstract translation: 本发明涉及通过使用弹性聚合物将无机化合物太阳能电池转移到伸缩性基板上的方法，能够有效地制造太阳能电池的伸缩性无机化合物太阳能电池。 该结构包括形成在可拉伸基板上的背面电极; 形成在背面电极上的光吸收层; 形成在所述光吸收层上的缓冲层; 形成在缓冲层上的n型材料层和形成在n型材料层上的透明电极和上部金属电极层。

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