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公开(公告)号:KR101773578B1
公开(公告)日:2017-09-13
申请号:KR1020160029410
申请日:2016-03-11
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
IPC: H01L31/0216 , B82B1/00 , B82Y20/00 , H01L31/04 , H01L31/09
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본발명은물결형태의외벽을포함하는반도체나노와이어및 이를포함하는광대역광흡수체에관한것으로, 더욱상세하게는물결형태의오목부또는볼록부가주기적으로형성되고, 상기오목부또는볼록부에의한광대역파장에서광흡수특성이향상된반도체나노와이어및 이를포함하는광대역광흡수체에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种宽带光吸收体,包括半导体纳米线,并且其包括波形的外壁,并且更具体地,形成在凹部或周期性凸部,宽带的波形形状因凹部或凸部 更具体地说,涉及一种宽带光吸收器和包括其的半导体纳米线。
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13.금속 나노 홀 어레이에 의한 표면 플라즈몬 현상을 이용한 금속 막 구조 투명 자석 및 금속 막 구조 투명 자석 제작 방법 有权
Title translation: 使用金属纳米孔阵列的表面等离子体的金属膜结构的透明磁体和制造透明磁体的方法公开(公告)号:KR101714862B1
公开(公告)日:2017-03-09
申请号:KR1020150030962
申请日:2015-03-05
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
Abstract: 금속나노홀 어레이에의한표면플라즈몬현상을이용한금속막 구조투명자석및 금속막 구조투명자석제작방법이개시된다. 본발명의일실시예에따른금속막 구조투명자석은, 적어도하나의나노홀 어레이가형성되는한층이상의금속막을포함하고, 상기한층이상의금속막은, 상기나노홀 어레이로광이입사됨에따라, 표면플라즈몬(Surface Plasmon)을발생하여광투과성을갖는다.
Abstract translation: 公开了使用通过金属纳米孔阵列产生表面等离子体的金属膜结构的透明磁体及其制造方法。 根据本发明的实施例,具有金属膜结构的透明磁体包括形成有至少一个纳米孔阵列的一层或多层金属膜,其中一层或多层金属膜根据光产生表面等离子体 进入纳米孔阵列以具有透光能力。
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公开(公告)号:KR1020160110837A
公开(公告)日:2016-09-22
申请号:KR1020150035096
申请日:2015-03-13
Applicant: 광주과학기술원 , 재단법인대구경북과학기술원
CPC classification number: H01L33/42 , H01L31/0224 , H01L51/5215 , H01B13/0026 , H01B1/02 , H01B1/08
Abstract: 금속나노홀패턴층을구비한다층투명전극이제공된다. 구체적으로, 상기다층투명전극은, 하부산화물층, 상기하부산화물층상에배치된금속나노홀패턴층및 상기금속나노홀패턴층상에배치된상부산화물층을포함할수 있다. 이에, 본발명은금속나노홀패턴층의패턴주기및 나노홀크기를조절함으로써, 상기금속나노홀패턴층에의해발생되는표면플라즈몬현상을통해특정파장영역에서의다층투명전극의투과도를향상시킬수 있다. 또한, 본발명의금속나노홀패턴층을구비한다층투명전극은홀 크기를조절하여최적화된면저항을구현할수 있어, 이를적용한소자의전기적특성을향상시킬수 있다.
Abstract translation: 提供了包括金属纳米孔图案层的多层透明电极。 具体地,多层透明电极包括:低氧化物层; 安装在低氧化物层上的金属纳米孔图案层; 以及安装在金属纳米孔图案层上的上氧化层。 因此,多层透明电极可以通过由金属纳米孔图案层产生的表面等离子体现象来改善预定波长区域的透射率。 此外,包括金属纳米孔图案层的多层透明电极可以通过控制孔的尺寸来实现优化的表面电阻,从而提高施加多层透明电极的元件的电特性。
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公开(公告)号:KR101803545B1
公开(公告)日:2018-01-11
申请号:KR1020160056907
申请日:2016-05-10
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원 , 광주과학기술원
Abstract: 본발명의목적은반사도가우수하면서도반도체층과의오믹컨택을유지할수 있는발광다이오드용반사전극및 이의제조방법을제공하는데있다. 상기목적을달성하기위하여본 발명은반도체층 상에형성되는전도체홀 어레이층; 상기전도체홀 어레이층 상에형성되는도전성층; 및상기도전성층상부에형성되는알루미늄금속층;을포함하는것을특징으로하는발광다이오드용반사전극및 반도체층을형성하는단계; 상기반도체층 상부로전도체홀 어레이층을형성하는단계; 상기전도체홀 어레이층상부로도전성층을형성하는단계; 상기도전성층상부로알루미늄금속층을형성하는단계;를포함하는것을특징으로하는발광다이오드용반사전극의제조방법을제공한다. 본발명에따르면, 반사전극으로본 발명에서제시한구조를사용함으로써가시광영역뿐만아니라자외선영역에서도반사도가우수하여광추출효율이향상되며, 나아가반도체층과의오믹컨택을유지할수 있는효과가있다.
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公开(公告)号:KR1020150135583A
公开(公告)日:2015-12-03
申请号:KR1020140061476
申请日:2014-05-22
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
CPC classification number: H01L31/035227 , H01L21/02603 , H01L21/0274 , H01L21/30604 , H01L21/56 , H01L29/0669
Abstract: 본발명은물결형상반도체나노와이어의제조방법및 이에의해제조된물결형상반도체나노와이어에관한것으로, 더욱상세하게는반도체의패턴을형성한후 식각하며, 식각된반도체기판의측면에고분자코팅을하여다시식각하는공정을반복적으로수행하여최종적으로는물결형상반도체나노와이어를제조하는물결형상반도체나노와이어의제조방법및 이에의해제조된물결형상반도체나노와이어에관한것이다. 본발명에따르면, 반도체기판상에서로이격하여형성되는물결형상의반도체나노와이어를형성하여광대역의파장에대하여공명현상이가능하며, 이러한현상을통해넓은파장의영역에대하여빛의흡수가가능하여물결형상의반도체나노와이어를이용하여태양전지, 광검출기및 나노안테나등에사용할경우, 광대역의파장을흡수할수 있는효과가있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种波导半导体纳米线的制造方法和由此制造的波浪状半导体纳米线,更具体地说,涉及一种波导半导体纳米线的制造方法,该方法重复地进行形成半导体图案,然后对其进行蚀刻的工艺, 并且在蚀刻的半导体衬底的侧面上涂覆聚合物以再次蚀刻该聚合物,以便最终产生波浪形半导体纳米线,以及由此制造的波形半导体纳米线。 根据本发明,通过形成在半导体衬底上彼此间隔开的波形半导体纳米线,可以通过形成宽波长区域中的光的吸收,从而可以通过这样的方式来吸收宽波长区域的波长 现象。 因此,当半导体纳米线用于太阳能电池,光电检测器,纳米天线等时,可以吸收宽带波长。
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