公开(公告)号：WO2010036030A2

公开(公告)日：2010-04-01

申请号：PCT/KR2009/005434

申请日：2009-09-23

Applicant: 광주과학기술원 ,  박성주 ,  박태영 ,  오민석 ,  최용석 ,  강장원

Inventor： 박성주 ,  박태영 ,  오민석 ,  최용석 ,  강장원

IPC: H01L33/40

CPC classification number: H01L33/42 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32 ,  H01L2933/0091

Abstract: 전기적 특성이 향상된 산화 아연계 전극을 이용한 발광 다이오드 및 그의 제조방법이 개시되어 있다. 발광 다이오드는 베이스 기판 상에 차례로 위치하는 제1형 반도체층, 활성층 및 제2형 반도체층을 구비하는 발광구조체 및 발광구조체 상부면에 위치하며, 산화아연계 박막 및 상기 산화아연계 박막 상에 돌출된 산화아연계 나노 막대들을 구비하는 전류 스프레딩층을 포함한다. 또한, 발광 다이오드의 제조방법은 베이스 기판 상에 차례로 위치하는 제1형 반도체층, 활성층 및 제2형 반도체층을 구비하는 발광구조체를 형성하는 단계 및 발광구조체의 상부면에 MOCVD 성장법을 이용하여 산화아연계 박막 및 상기 산화아연계 박막 상에 돌출된 산화아연계 나노 막대들을 구비하는 전류 스프레딩층을 형성하는 단계를 포함한다.

Abstract translation: 公开了一种使用具有改进的电性能的氧化锌基电极的发光二极管及其制造方法。 在本发明的一个实施例中，发光二极管包括具有顺序地设置在基底基板上的第一半导体层，有源层和第二半导体层的发光结构; 以及配置在发光体的上表面的电流扩散层，所述电流扩散层具有氧化锌系薄膜和从所述氧化锌系薄膜突出的氧化锌系纳米棒。 此外，发光二极管的制造方法包括以下步骤：形成具有依次设置在基底基板上的第一半导体层，有源层和第二半导体层的发光体; 通过MOCVD生长法在发光体的上面形成电流扩散层，形成从氧化锌系薄膜突出的氧化锌系薄膜和氧化锌系纳米棒。

公开(公告)号：KR1020160110837A

公开(公告)日：2016-09-22

申请号：KR1020150035096

申请日：2015-03-13

Applicant: 광주과학기술원 ,  재단법인대구경북과학기술원

Inventor： 박성주 ,  송선혜 ,  홍상현 ,  이효주 ,  강장원 ,  조창희 ,  송보경

IPC: H01B13/00 ,  H01B1/08 ,  H01B1/02

CPC classification number: H01L33/42 ,  H01L31/0224 ,  H01L51/5215 ,  H01B13/0026 ,  H01B1/02 ,  H01B1/08

Abstract: 금속나노홀패턴층을구비한다층투명전극이제공된다. 구체적으로, 상기다층투명전극은, 하부산화물층, 상기하부산화물층상에배치된금속나노홀패턴층및 상기금속나노홀패턴층상에배치된상부산화물층을포함할수 있다. 이에, 본발명은금속나노홀패턴층의패턴주기및 나노홀크기를조절함으로써, 상기금속나노홀패턴층에의해발생되는표면플라즈몬현상을통해특정파장영역에서의다층투명전극의투과도를향상시킬수 있다. 또한, 본발명의금속나노홀패턴층을구비한다층투명전극은홀 크기를조절하여최적화된면저항을구현할수 있어, 이를적용한소자의전기적특성을향상시킬수 있다.

Abstract translation: 提供了包括金属纳米孔图案层的多层透明电极。 具体地，多层透明电极包括：低氧化物层; 安装在低氧化物层上的金属纳米孔图案层; 以及安装在金属纳米孔图案层上的上氧化层。 因此，多层透明电极可以通过由金属纳米孔图案层产生的表面等离子体现象来改善预定波长区域的透射率。 此外，包括金属纳米孔图案层的多层透明电极可以通过控制孔的尺寸来实现优化的表面电阻，从而提高施加多层透明电极的元件的电特性。

公开(公告)号：KR101806024B1

公开(公告)日：2017-12-08

申请号：KR1020160060629

申请日：2016-05-18

Applicant: 재단법인대구경북과학기술원

Inventor： 조창희 ,  강장원 ,  고민지

IPC: H01L31/10 ,  H01L31/09 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/18

Abstract: 소스와연결된그래핀층, 드레인과연결된제 1 층및 그래핀층 및제 1 층을연결하는터널링배리어를포함하는채널을포함하는포토트랜지스터및 이를제작하기위한방법이제공된다. 포토트랜지스터는전계효과트랜지스터(Field Effect Transistor; FET) 구조를갖는다.

公开(公告)号：KR1020170130646A

公开(公告)日：2017-11-29

申请号：KR1020160060629

申请日：2016-05-18

Applicant: 재단법인대구경북과학기술원

Inventor： 조창희 ,  강장원 ,  고민지

IPC: H01L31/10 ,  H01L31/09 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/10 ,  H01L31/0392 ,  H01L31/09 ,  H01L31/18

Abstract: 소스와연결된그래핀층, 드레인과연결된제 1 층및 그래핀층 및제 1 층을연결하는터널링배리어를포함하는채널을포함하는포토트랜지스터및 이를제작하기위한방법이제공된다. 포토트랜지스터는전계효과트랜지스터(Field Effect Transistor; FET) 구조를갖는다.

Abstract translation: 提供了一种光电晶体管及其制造方法，该光电晶体管包括连接到源极的石墨烯层，连接到漏极的第一层以及包括连接石墨烯层和第一层的隧穿势垒的沟道。 光电晶体管具有场效应晶体管（FET）结构。

公开(公告)号：KR1020150094284A

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：KR1020140015377

申请日：2014-02-11

Applicant: 광주과학기술원

Inventor： 박성주 ,  권혜진 ,  강장원 ,  김나영

IPC: C01B31/04 ,  C23C16/26

CPC classification number: C01B32/186 ,  C23C16/26

Abstract: 패턴화된 그래핀의 직접 성장 방법 및 그를 이용하여 제조된 그래핀이 개시된다. 이는 기판 상의 마스크층에 홀을 형성하고 홀에 그래핀을 성장시키기 때문에 그래핀이 패턴화됨과 동시에 별도의 전사 과정이 불필요하므로 공정 효율이 향상되는 효과가 있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于直接生长图案化石墨烯的方法和使用该方法制备的石墨烯。 该方法包括在基板上的掩模层上形成孔以使石墨烯生长的步骤。 因此，石墨烯被图案化。 此外，本发明不需要额外的转移过程，从而提高了处理效率。

公开(公告)号：KR1020130123592A

公开(公告)日：2013-11-13

申请号：KR1020120046834

申请日：2012-05-03

Applicant: 광주과학기술원

Inventor： 박성주 ,  조창희 ,  강장원

IPC: H01L33/04

CPC classification number: H01L33/06 ,  H01L33/0008 ,  H01L33/14 ,  H01L2924/12041

Abstract: Disclosed is a light emitting diode having a band slope layer formed on an area in contact with a multi-quantum well layer which emits light. The band slope layer is formed on the upper and lower parts of the multi-quantum well layer. The band slope layer has a lower band gap than that of a barrier layer composing the multi-quantum well layer and has a value greater than the band gap of the well layer. When a forward bias is applied, excited electrons and holes are bounded in the well layer by tunneling the barrier layer. As a result, internal quantum efficiency can be increased continuously even when a high current is applied.

Abstract translation: 公开了一种发光二极管，其具有形成在与发射光的多量子阱层接触的区域上的带斜率层。 带状斜率层形成在多量子阱层的上部和下部。 带斜层具有比构成多量子阱层的势垒层的带隙低的带隙，并且具有大于阱层的带隙的值。 当施加正向偏压时，激发的电子和空穴通过隧穿阻挡层在阱层中被界定。 结果，即使施加高电流，也可以连续地提高内部量子效率。

公开(公告)号：KR1020100106723A

公开(公告)日：2010-10-04

申请号：KR1020090024830

申请日：2009-03-24

Applicant: 광주과학기술원

Inventor： 박성주 ,  최용석 ,  강장원

IPC: C23C16/40 ,  H01L21/205 ,  H01B13/00 ,  H01L31/04

CPC classification number: Y02E10/50

Abstract: PURPOSE: A method of forming ZnO film having single crystalline structure, which forms an oxidation zinc thin film of a monocrystal from which crystal defect is removed, is provided to provide the foundation of a light emitting layer formation technology having an oxidation zinc thin film and a multiple quantum well of P-type. CONSTITUTION: A method of forming ZnO film having single crystalline structure comprises next steps. Zinc source gas and oxygen gas are supplied. An oxide zinc thin film of monocrystal is formed on the surface of a substrate. An oxidation zinc thin film of monocrystal form is formed by controlling the molar ratio of the zinc comparison oxygen gas. The temperature of substrate is 300~900°C. The pressure of the inside of chamber is 20 torr atmospheric pressure. The molar ratio of the zinc comparison oxygen gas is 7500~50000. The temperature of substrate is 600~700°C.

Abstract translation: 目的：提供形成具有单晶结构的ZnO膜的方法，其形成除去晶体缺陷的单晶氧化锌薄膜，以提供具有氧化锌薄膜的发光层形成技术的基础， P型多重量子阱。 构成：形成具有单晶结构的ZnO膜的方法包括以下步骤。 供应锌源气体和氧气。 在基板的表面上形成单晶氧化锌薄膜。 通过控制锌比较氧气的摩尔比形成单晶形式的氧化锌薄膜。 基板温度为300〜900℃。 室内压力为20乇大气压。 锌比较氧气的摩尔比为7500〜50000。 基板温度为600〜700℃。

公开(公告)号：KR101847468B1

公开(公告)日：2018-04-11

申请号：KR1020100063085

申请日：2010-06-30

Applicant: 삼성전자주식회사 ,  광주과학기술원

Inventor： 채승완 ,  김태수 ,  박성주 ,  강장원 ,  김동유 ,  김제원

IPC: H01L33/58 ,  G02B5/02 ,  G02B3/00 ,  H01L33/44 ,  H01L33/20 ,  F21Y101/02

Abstract: 광학렌즈, 이를구비하는발광소자패키지및 그제조방법이제공된다. 본발명의실시형태에따른광학렌즈는, 볼록렌즈형태로돌출형성되는렌즈본체; 및상기렌즈본체의외부표면에부착되며, 광투과성을갖는복수의콜로이드입자;를포함할수 있다

公开(公告)号：KR101471620B1

公开(公告)日：2014-12-11

申请号：KR1020130065145

申请日：2013-06-07

Applicant: 광주과학기술원

Inventor： 박성주 ,  최용석 ,  강장원 ,  김병혁

IPC: H01L21/20 ,  H01L33/28

CPC classification number: H01L33/0083 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02403 ,  H01L21/0242 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02642 ,  H01L21/02647 ,  H01L29/22 ,  H01L33/0087 ,  H01L33/28

Abstract: 산화아연 박막 구조체 및 이의 형성방법이 개시된다. ELOG를 통해 성장되는 산화아연 박막의 전위 밀도는 최소화된다. ELOG 성장시, 마스크층과의 화학적 반응을 차단하기 위해 마스크층의 재질은 AlF3, NaF2, SrF2 또는 MgF2를 가진다. 이를 통해 산화아연과 마스크층의 화학적 반응은 차단되고, 기판으로부터의 전위의 전이도 차단된다.

Abstract translation: 公开了ZnO薄膜结构及其制造方法。 由ELOG生长的ZnO薄膜的位错密度最小化。 在ELOG生长中，掩模层的材料包括AlF 3，NaF 2，SrF 2或MgF 2，以防止与掩模层的化学反应。 因此，可以防止ZnO与掩模层的化学反应。 防止位错从基板的转变。

公开(公告)号：KR101324105B1

公开(公告)日：2013-10-31

申请号：KR1020120031636

申请日：2012-03-28

Applicant: 광주과학기술원

Inventor： 박성주 ,  최용석 ,  강장원

IPC: H01L21/365

CPC classification number: H01L21/02507 ,  H01L21/02472 ,  H01L21/02483 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02579 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/477

Abstract: p형의 산화아연 박막을 형성하는 방법이 개시된다. 기판 상에 산화아연층 및 산화안티모니층이 번갈아 형성되어 초격자층이 구성된다. 열처리를 통해 초격자층은 p형의 산화아연 박막으로 개질된다. 열처리를 통해 산화아연층의 아연 원자는 산화안티모니층으로 확산되고, 산화안티모니층의 안티모니 원자는 산화아연층으로 확산된다.