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公开(公告)号：KR101702991B1
公开(公告)日：2017-02-10
申请号：KR1020150105724
申请日：2015-07-27
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
IPC: H01L31/0236 , H01L31/0216 , H01L21/311 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 반도체나노월 구조의제조방법이개시된다. 본발명은기판을준비하는단계(단계 1); 상기기판상에감광제를스핀코팅하여감광제층을형성하는단계(단계 2); 상기감광제층의일부를노광하여복수의홀 어레이를형성하는단계(단계 3); 상기형성된복수의홀 하부를식각하는단계(단계 4); 상기식각된홀 하부의표면및 측면을고분자물질로코팅하는단계(단계 5); 상기코팅된홀 하부의기판일부를식각하는단계 (단계 6); 상기단계 5의고분자코팅과상기단계 6의식각을반복수행하여월의깊이및 깊이방향형태를조절하는단계(단계 7); 상기감광제층을제거하고, 건식산화공정및 BOE를사용한습식식각을수행하여 3차원주기성을갖는나노월 구조의반도체를제조하는단계(단계 8)를포함하는 3차원주기성을갖는반도체나노월 구조의제조방법을포함한다.
Abstract translation: 公开了一种半导体纳米壁结构的制造方法。 本发明提供了一种制造半导体器件的方法，包括：准备衬底（步骤1）; 通过在衬底上旋涂光刻胶来形成光刻胶层（步骤2）; 暴露一部分光敏剂层以形成多个孔阵列（步骤3）; 蚀刻多个孔的底部（步骤4）; 用聚合物材料涂覆蚀刻孔的表面和侧面（步骤5）; 在涂覆的孔下方蚀刻一部分基板（步骤6）; 重复步骤5的聚合物涂层和步骤6的意识以调整深度和深度方向的壁的形状（步骤7）; 除去光敏材料层，具有三维周期性，包括：制造通过使用干法氧化工艺和BOE执行湿蚀刻具有三维周期性的半导体纳米月结构的步骤的半导体纳米月结构（步骤8） ＆lt;
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公开(公告)号：KR1020170013439A
公开(公告)日：2017-02-07
申请号：KR1020150105724
申请日：2015-07-27
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
IPC: H01L31/0236 , H01L31/0216 , H01L21/311 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 반도체나노월 구조의제조방법이개시된다. 본발명은기판을준비하는단계(단계 1); 상기기판상에감광제를스핀코팅하여감광제층을형성하는단계(단계 2); 상기감광제층의일부를노광하여복수의홀 어레이를형성하는단계(단계 3); 상기형성된복수의홀 하부를식각하는단계(단계 4); 상기식각된홀 하부의표면및 측면을고분자물질로코팅하는단계(단계 5); 상기코팅된홀 하부의기판일부를식각하는단계 (단계 6); 상기단계 5의고분자코팅과상기단계 6의식각을반복수행하여월의깊이및 깊이방향형태를조절하는단계(단계 7); 상기감광제층을제거하고, 건식산화공정및 BOE를사용한습식식각을수행하여 3차원주기성을갖는나노월 구조의반도체를제조하는단계(단계 8)를포함하는 3차원주기성을갖는반도체나노월 구조의제조방법을포함한다.
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13.发明公开금속 나노 홀 어레이에 의한 표면 플라즈몬 현상을 이용한 금속 막 구조 투명 자석 및 금속 막 구조 투명 자석 제작 방법 有权使用金属纳米孔阵列的表面等离子体的金属膜结构的透明磁体和制造透明磁体的方法
公开(公告)号：KR1020160107747A
公开(公告)日：2016-09-19
申请号：KR1020150030962
申请日：2015-03-05
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
Abstract: 금속나노홀 어레이에의한표면플라즈몬현상을이용한금속막 구조투명자석및 금속막 구조투명자석제작방법이개시된다. 본발명의일실시예에따른금속막 구조투명자석은, 적어도하나의나노홀 어레이가형성되는한층이상의금속막을포함하고, 상기한층이상의금속막은, 상기나노홀 어레이로광이입사됨에따라, 표면플라즈몬(Surface Plasmon)을발생하여광투과성을갖는다.
Abstract translation: 公开了使用通过金属纳米孔阵列产生表面等离子体的金属膜结构的透明磁体及其制造方法。 根据本发明的实施例，具有金属膜结构的透明磁体包括形成有至少一个纳米孔阵列的一层或多层金属膜，其中一层或多层金属膜根据光产生表面等离子体 进入纳米孔阵列以具有透光能力。
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公开(公告)号：KR101773578B1
公开(公告)日：2017-09-13
申请号：KR1020160029410
申请日：2016-03-11
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
IPC: H01L31/0216 , B82B1/00 , B82Y20/00 , H01L31/04 , H01L31/09
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본발명은물결형태의외벽을포함하는반도체나노와이어및 이를포함하는광대역광흡수체에관한것으로, 더욱상세하게는물결형태의오목부또는볼록부가주기적으로형성되고, 상기오목부또는볼록부에의한광대역파장에서광흡수특성이향상된반도체나노와이어및 이를포함하는광대역광흡수체에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及一种宽带光吸收体，包括半导体纳米线，并且其包括波形的外壁，并且更具体地，形成在凹部或周期性凸部，宽带的波形形状因凹部或凸部 更具体地说，涉及一种宽带光吸收器和包括其的半导体纳米线。
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15.发明授权금속 나노 홀 어레이에 의한 표면 플라즈몬 현상을 이용한 금속 막 구조 투명 자석 및 금속 막 구조 투명 자석 제작 방법 有权使用金属纳米孔阵列的表面等离子体的金属膜结构的透明磁体和制造透明磁体的方法
公开(公告)号：KR101714862B1
公开(公告)日：2017-03-09
申请号：KR1020150030962
申请日：2015-03-05
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
Abstract: 금속나노홀 어레이에의한표면플라즈몬현상을이용한금속막 구조투명자석및 금속막 구조투명자석제작방법이개시된다. 본발명의일실시예에따른금속막 구조투명자석은, 적어도하나의나노홀 어레이가형성되는한층이상의금속막을포함하고, 상기한층이상의금속막은, 상기나노홀 어레이로광이입사됨에따라, 표면플라즈몬(Surface Plasmon)을발생하여광투과성을갖는다.
Abstract translation: 公开了使用通过金属纳米孔阵列产生表面等离子体的金属膜结构的透明磁体及其制造方法。 根据本发明的实施例，具有金属膜结构的透明磁体包括形成有至少一个纳米孔阵列的一层或多层金属膜，其中一层或多层金属膜根据光产生表面等离子体 进入纳米孔阵列以具有透光能力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020150135583A
公开(公告)日：2015-12-03
申请号：KR1020140061476
申请日：2014-05-22
Applicant: 재단법인대구경북과학기술원
CPC classification number: H01L31/035227 , H01L21/02603 , H01L21/0274 , H01L21/30604 , H01L21/56 , H01L29/0669
Abstract: 본발명은물결형상반도체나노와이어의제조방법및 이에의해제조된물결형상반도체나노와이어에관한것으로, 더욱상세하게는반도체의패턴을형성한후 식각하며, 식각된반도체기판의측면에고분자코팅을하여다시식각하는공정을반복적으로수행하여최종적으로는물결형상반도체나노와이어를제조하는물결형상반도체나노와이어의제조방법및 이에의해제조된물결형상반도체나노와이어에관한것이다. 본발명에따르면, 반도체기판상에서로이격하여형성되는물결형상의반도체나노와이어를형성하여광대역의파장에대하여공명현상이가능하며, 이러한현상을통해넓은파장의영역에대하여빛의흡수가가능하여물결형상의반도체나노와이어를이용하여태양전지, 광검출기및 나노안테나등에사용할경우, 광대역의파장을흡수할수 있는효과가있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种波导半导体纳米线的制造方法和由此制造的波浪状半导体纳米线，更具体地说，涉及一种波导半导体纳米线的制造方法，该方法重复地进行形成半导体图案，然后对其进行蚀刻的工艺， 并且在蚀刻的半导体衬底的侧面上涂覆聚合物以再次蚀刻该聚合物，以便最终产生波浪形半导体纳米线，以及由此制造的波形半导体纳米线。 根据本发明，通过形成在半导体衬底上彼此间隔开的波形半导体纳米线，可以通过形成宽波长区域中的光的吸收，从而可以通过这样的方式来吸收宽波长区域的波长 现象。 因此，当半导体纳米线用于太阳能电池，光电检测器，纳米天线等时，可以吸收宽带波长。
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公开(公告)号：KR101359486B1
公开(公告)日：2014-02-06
申请号：KR1020120046834
申请日：2012-05-03
Applicant: 광주과학기술원
IPC: H01L33/04
Abstract: 발광 동작을 수행하는 다중양자우물층과 접하는 부위에 형성된 밴드 경사층을 가지는 발광 다이오드가 개시된다. 밴드 경사층은 다중양자우물층의 상하부에 형성된다. 밴드 경사층은 다중양자우물층을 이루는 장벽층보다 낮은 밴드갭을 가지며, 우물층의 밴드갭 이상의 값을 가진다. 정방향 바이어스가 인가되면, 여기된 전자와 정공은 장벽층을 터널링하여 우물층으로 구속된다. 이를 통해 고전류가 인가되더라도 내부양자효율은 지속적으로 증가될 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020080068241A
公开(公告)日：2008-07-23
申请号：KR1020070005714
申请日：2007-01-18
Applicant: 광주과학기술원
Abstract: A silicon quantum dot light emitting device and a method for manufacturing the same are provided to increase light emission efficiency by discharging light to THE outside of the silicon quantum dot light emitting device. A silicon quantum dot light emitting device includes a silicon substrate(100), a surface plasmon layer(110), a silicon emission layer(120), a first metal layer(140), and a second metal layer(160). The surface plasmon layer is formed on the silicon substrate. The silicon emission layer is formed on the surface plasmon layer. The first metal layer is formed on the silicon emission layer, and injects an electron to the silicon emission layer. The second metal layer is formed on a rear surface of the surface plasmon layer, and injects a hole to the silicon emission layer. The surface plasmon layer is coupled with the silicon emission layer by surface plasmon. The surface plasmon layer reflects light generated by the silicon emission layer.
Abstract translation: 提供硅量子点发光器件及其制造方法，以通过将光放电到硅量子点发光器件的外部来提高发光效率。 硅量子点发光器件包括硅衬底（100），表面等离子体激元层（110），硅发射层（120），第一金属层（140）和第二金属层（160）。 表面等离子体膜层形成在硅衬底上。 在表面等离子体层上形成硅发射层。 在硅发射层上形成第一金属层，并向硅发射层注入电子。 第二金属层形成在表面等离子体激元层的后表面上，并向硅发射层注入空穴。 表面等离子体层通过表面等离子体激元与硅发射层耦合。 表面等离子体层反射由硅发射层产生的光。
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公开(公告)号：KR100899940B1
公开(公告)日：2009-05-28
申请号：KR1020070005714
申请日：2007-01-18
Applicant: 광주과학기술원
Abstract: 표면 플라즈몬을 이용하는 실리콘 양자점 발광소자 및 그 제조 방법이 개시된다. 실리콘 기판 상에 표면 플라즈몬층이 형성되고 표면 플라즈몬층 상에 양자점을 가진 실리콘 발광층이 구비된다. 표면 플라즈몬층은 실리콘 발광층과 커플링되고, 소정의 반사율을 가진 Ag, Au, Al, Cu, Pt 및 Pb로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 어느 하나로 형성된다. 표면 플라즈몬층은 1차원 또는 2차원 배열의 불규칙적이거나 규칙적인 배열을 가지고, 실리콘 발광층과 커플링되어 광효율을 향상시킨다.
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公开(公告)号：KR1020080104935A
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：KR1020070112815
申请日：2007-11-06
Applicant: 광주과학기술원
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247
CPC classification number: H01L21/28273 , H01L29/517
Abstract: A nonvolatile optoelectronic memory device is provided to minimize the power consumption by using only optical signal. A nonvolatile memory device comprises the substrate(100), the source/drain region(120), and the gate electrode(140). The source/drain region is formed on the top of the substrate. The gate electrode is formed on the upper part of channel region between the source/drain areas. The gate electrode varies the threshold voltage according to the optical signal irradiated. The gate electrode comprises the dielectric layer(142), and the transparent electrode layer(144). The dielectric layer is formed on the upper part of the channel region and has the semiconductor quantum dot(143). The transparent electrode layer is formed on the dielectric layer upper part and the optical signal is transmitted.
Abstract translation: 提供非易失性光电存储器件以通过仅使用光信号来最小化功耗。 非易失性存储器件包括衬底（100），源/漏区（120）和栅电极（140）。 源极/漏极区域形成在衬底的顶部上。 栅极电极形成在源极/漏极区域之间的沟道区域的上部。 栅电极根据照射的光信号改变阈值电压。 栅电极包括电介质层（142）和透明电极层（144）。 电介质层形成在沟道区的上部并具有半导体量子点（143）。 在电介质层上部形成透明电极层，透过光信号。
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