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公开(公告)号：KR1020100128802A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：KR1020090047424
申请日：2009-05-29
Applicant: 한국원자력연구원
IPC: H01L21/027 , H01J1/304
CPC classification number: H01J37/3174 , G03F7/2059 , G03F7/70375
Abstract: PURPOSE: A lithograph apparatus using a ballistic-electron emission device is provided to reduce the size by simplifying the structure of a lithography apparatus by minimizing a scanning process for patterning or skipping the scanning process. CONSTITUTION: A ballistic electron discharging device(110) is installed inside the main body(120) and discharges the ballistic electron. A top electrode(114) of the ballistic electron discharging device is arranged in a direction opposing a transmitting window. The inside of the main body is maintained to keep the vacuum condition.
Abstract translation: 目的：提供一种使用弹道电子发射装置的光刻设备，通过最小化扫描过程的图形化或跳过扫描过程来简化光刻设备的结构来减小尺寸。 构成：弹道电子放电装置（110）安装在主体（120）的内部，并对弹道电子进行放电。 弹道电子放电装置的顶部电极（114）沿与发射窗口相反的方向布置。 保持主体内部保持真空状态。
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公开(公告)号：KR100985692B1
公开(公告)日：2010-10-05
申请号：KR1020080051048
申请日：2008-05-30
Applicant: 홍익대학교 산학협력단 , 한국원자력연구원 , 한국화학연구원
IPC: H01L29/788 , H01L27/115 , H01L21/8247 , B82Y10/00
Abstract: 본 발명은 나노 플로팅 게이트 메모리 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 해결하고자 하는 기술적 과제는 고유전율 단일 절연막 또는 전하 저장층과 고유전율 단일 절연막에 전자빔을 조사함으로써 간단하게 메모리 특성을 구현하는데 있다.
이를 위해 본 발명은 반도체 기판 도입 단계와, 반도체 기판 위에 원자층 증착 반응으로 고유전율의 절연막을 형성하는 절연막 형성 단계와, 고유전율의 절연막 표면에 전자빔을 조사하는 전자빔 조사 단계로 이루어진 나노 플로팅 게이트 메모리의 제조 방법을 개시한다.-
公开(公告)号：KR1020100070038A
公开(公告)日：2010-06-25
申请号：KR1020080128628
申请日：2008-12-17
Applicant: 한국원자력연구원
IPC: C01G23/00 , C01G23/047 , B82B3/00
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing titanium dioxide by irradiation is provided to massively produce titanium dioxide having various sizes based on use. CONSTITUTION: A method for manufacturing titanium dioxide by irradiation comprises a step of dissolving precursor containing titanium in water and irradiating to titanium precursor aqueous solution. The precursor containing titanium is one selected from the group consisting of titanium chloride, titanium dichloride(TiCl_2), titanium trichloride(TiCl_3), titanium tetrachloride(TiCl_4), titanium bromide(TiBr_4), and titanium oxysulfate.
Abstract translation: 目的：提供通过照射制造二氧化钛的方法，以大量生产基于使用的各种尺寸的二氧化钛。 构成：通过照射制造二氧化钛的方法包括将含钛的前体溶解在水中并照射到钛前体水溶液的步骤。 含钛的前体是选自氯化钛，二氯化钛（TiCl 2），三氯化钛（TiCl 3），四氯化钛（TiCl 4），溴化钛（TiBr_4）和硫酸氧钛的组中的一种。
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公开(公告)号：KR1020080041833A
公开(公告)日：2008-05-14
申请号：KR1020060109933
申请日：2006-11-08
Applicant: 한국원자력연구원
Abstract: A field emission electron source using a conductive nano-tube and magnetic metal particles and a manufacturing method thereof are provided to attach a conductive nano-tube to a metal tip by using the magnetic metal particles as a medium. A magnetic material layer(20) is formed at an end part of a metal tip(10). A magnetic material micro-chip(40) is composed of magnetic metal particles formed on a surface of the magnetic material layer. A conductive nano-tube(50) is attached to the metal tip by using the magnetic metal particles of the magnetic material micro-chip as a medium. The metal tip is composed of tungsten, molybdenum, titanium, or an alloy of the tungsten, the molybdenum, and the titanium.
Abstract translation: 提供使用导电性纳米管和磁性金属粒子的场致发射型电子源及其制造方法，通过使用磁性金属粒子作为介质，将导电性纳米管附着于金属尖端。 磁性材料层（20）形成在金属端头（10）的端部。 磁性材料微芯片（40）由形成在磁性材料层的表面上的磁性金属颗粒构成。 通过使用磁性材料微芯片的磁性金属颗粒作为介质将导电纳米管（50）附接到金属尖端。 金属尖端由钨，钼，钛或钨，钼和钛的合金构成。
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公开(公告)号：KR101042250B1
公开(公告)日：2011-06-17
申请号：KR1020090047424
申请日：2009-05-29
Applicant: 한국원자력연구원
IPC: H01L21/027 , H01J1/304
Abstract: 본 발명은 전자의 면 방출이 가능한 탄도전자 방출소자를 이용한 리소그래피 장치에 관한 것이다.
본 발명의 일 실시예에 따른 탄도전자 방출소자를 이용한 리소그래피 장치는 내부가 진공상태로 이루어지며, 전자가 투과가 가능하도록 어느 일 면에 투과창이 구비되는 본체와 상기 본체의 내부에 장착되고, 면 영역으로 전자의 방출이 가능하며, 터널링 효과로 방출되는 전자의 직진성이 확보되도록 구성되는 탄도전자 방출소자와 상기 탄도전자 방출소자로부터 전자의 방출을 위해 탄도전자 방출소자에 전위차를 형성시키도록, 직류의 전류를 공급하는 전원, 전원을 개폐시키는 스위치 및 탄도전자 방출소자의 상부전극과 본체를 접지시켜 방출되지 않은 일부 전자가 탄도전자 방출소자와 본체에 충전되는 것을 방지하는 접지부를 포함하는 전원공급부와 상기 탄도전자 방출소자, 상기 투과창 또는 상기 투과창과 전자가 조사되는 레지스트 사이에, 전자가 투과되지 못하는 물질로 이루어지는 박막 또는 박판 형태로 제공되되, 상기 레지스트에 형성시키고자 하는 패턴으로 형성되는 마스크를 포함하여, 상기 탄도전자 방출소자에서 방출되는 전자를 상기 레지스트에 조사시켜 반응을 일으켜 요구되는 패턴이 형성되도록 구성될 수 있다.
상기와 같은 구성에 의해 본 발명은 리소그래피 공정을 위한 전자조사가 대면적으로 이루어질 수 있고, 낮은 전력으로도 전자의 방출이 이루어질 수 있으며, 패터닝을 위한 전자의 이동경로를 보정 또는 패터닝을 위한 스캐닝 과정이 요구되지 않아 장치의 구조를 단순화 할 수 있으며, 리소그래피 공정에 요구되는 시간을 단축시킬 수 있다.
리소그래피, 탄도전자, 반도체, 마스크, 레지스트, 터널링-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020090124693A
公开(公告)日：2009-12-03
申请号：KR1020080051047
申请日：2008-05-30
Applicant: 홍익대학교 산학협력단 , 한국원자력연구원 , 한국화학연구원
IPC: H01L27/115 , H01L21/8247 , B82Y10/00
CPC classification number: H01L21/28273 , B82Y10/00 , H01L21/28185 , H01L29/66825
Abstract: PURPOSE: A method of manufacturing nano floating gate memory is provided to increase the charge trap or the interface trap by using additional electronic beam. CONSTITUTION: The semiconductor substrate(110) is introduced inside the atomic layer deposition reactor. The aluminum atom and oxygen atom are supplied on the semiconductor substrate and the tunneling layer(120) is formed. The nickel source person and oxygen atom are supplied on the tunneling layer and the charge storage layer(130) is formed. The electronic beam is researched in the surface of the charge storage layer. The aluminum atom and oxygen atom are supplied on the charge storage layer and the control layer(140) is formed. The electronic beam is irradiated in the surface of the control layer.
Abstract translation: 目的：提供一种制造纳米浮动栅极存储器的方法，通过使用附加的电子束来增加电荷陷阱或接口陷阱。 构成：将半导体衬底（110）引入原子层沉积反应器内部。 在半导体衬底上提供铝原子和氧原子，形成隧道层（120）。 镍源人和氧原子被提供在隧道层上，形成电荷存储层（130）。 在电荷存储层的表面研究电子束。 在电荷存储层上供给铝原子和氧原子，形成控制层（140）。 电子束照射在控制层的表面。
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公开(公告)号：KR100926151B1
公开(公告)日：2009-11-10
申请号：KR1020070071853
申请日：2007-07-18
Applicant: 한국원자력연구원
Abstract: 본 발명은 전도성 금속 기판상에 증착되는 폴리머 층; 및 상기 폴리머 층에 결합되고 수직 방향으로 형성되는 다수의 탄소나노튜브;를 구비하는 탄소나노튜브 대면적 에미터(emitter)와 증류수에 탄소나노튜브와 폴리머를 분산시켜 복합체 용액을 제조하는 단계(단계 1); 상기 단계 1의 탄소나노튜브-폴리머 복합체를 전기영동법을 이용하여 전극에 증착하여 에미터를 형성하는 단계(단계 2); 상기 단계 2의 에미터에 증착된 탄소나노튜브-폴리머 복합체를 전자빔을 가하여 경화시키는 단계(단계 3)를 포함하는 것을 특징으로 하는, 탄소나노튜브-폴리머 복합체를 이용한 전계방출용 대면적 에미터의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따라 제조된 탄소나노튜브-폴리머 복합체를 이용한 대면적 에미터는 상용가능한 수명을 갖을 수 있는 가능성이 향상된바 저전압, 고효율의 대면적 평판 디스플레이를 구현할 수 있다.
탄소나노튜브(carbon nanotube), 폴리머(polymer), 전계 방출 에미터(field emitter), 전자빔(electron beam)-
公开(公告)号：KR1020050090556A
公开(公告)日：2005-09-14
申请号：KR1020040015693
申请日：2004-03-09
Applicant: 한국원자력연구원
CPC classification number: G21K5/02 , A61L2/087 , A61L2202/24 , B82Y10/00 , G21K5/10 , H01J33/02 , H01J31/02 , H01J1/304
Abstract: 본 발명은 전계방출팁을 이용하여 높은 전류밀도로 광범위한 전자빔의 조사가 이루어질 수 있도록 하는 전자빔 조사장치에 관한 것이다.
본 발명은 둘레의 일측에 길이방향으로 전자빔 조사창이 형성된 진공챔버; 상기 진공챔버의 내부 중심 길이방향으로 구비되고, 둘레의 일측으로 상기 전자빔 조사창에 대응되는 전계방출팁이 형성된 음극; 및 상기 진공챔버의 일단에 구비되고, 상기 음극측으로 고전압을 인가시키는 고전압 인가부; 를 포함하는 전자빔 조사장치를 구비한다.
본 발명에 의하면, 전자석을 사용하지 않고서도 넓은 폭으로 광범위한 전자빔의 조사가 이루어질 수 있을 뿐만 아니라 필라멘트와 같은 가열수단이나 별도의 추가적인 전원장치 등이 없이도 높은 전류밀도의 전자빔의 조사가 이루어질 수 있고, 또한 이로 인해 구조의 단순화 및 소형화를 확보할 수 있는 효과가 있다.-
公开(公告)号：KR1020100128695A
公开(公告)日：2010-12-08
申请号：KR1020090047252
申请日：2009-05-29
Applicant: 한국원자력연구원
IPC: B82B3/00
CPC classification number: B82B3/0004 , B22F2202/06 , B22F2304/054 , B82B3/0038 , B82Y30/00 , B82Y40/00
Abstract: PURPOSE: A device for manufacturing nano particles is provided to easily produce nano particles by a triode-type electron beam irradiator. CONSTITUTION: A device for manufacturing nano particles comprises a triode-type electron beam irradiator(500) and an irradiation portion(20). The triode-type electron beam irradiator comprises a vacuum chamber with an irradiation window, a negative electrode with a field emission tip which is installed in the center of the vacuum chamber in a longitudinal direction, an insulation film with cavity, a gate electrode formed on the upper part of the insulation film, a voltage application portion, and a gate voltage application portion.
Abstract translation: 目的：提供用于制造纳米颗粒的装置，以通过三极管型电子束照射器容易地制备纳米颗粒。 构成：用于制造纳米颗粒的装置包括三极管型电子束照射器（500）和照射部分（20）。 三极管型电子束照射器包括具有照射窗的真空室，具有场致发射尖端的负极，其沿纵向安装在真空室的中心，具有空腔的绝缘膜，形成在 绝缘膜的上部，电压施加部分和栅极电压施加部分。
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公开(公告)号：KR1020090008696A
公开(公告)日：2009-01-22
申请号：KR1020070071853
申请日：2007-07-18
Applicant: 한국원자력연구원
CPC classification number: H01J1/304 , C01B2202/06 , H01J9/025 , H01J2201/30446 , H01J2201/30469
Abstract: A carbon nanotube large area emitter is provided to improve stability and life by increasing coherence with electrode and to improve a field emission factor by increasing a conductivity of the carbon nanotube. A carbon nanotube large area emitter contains a polymer(3) layer evaporated on a substrate of a conductive metal; and a plurality of carbon nanotubes(4) combined in the polymer layer and formed into a vertical direction. The conductive metal is selected from a group consisting of platinum, gold, aluminium, chrome, tungsten and copper. The polymer is selected from a group consisting of polyethylene glycol, polyvinyl alcohol, poly-vinyl methyl ether, polyvinlpyrrolidon, polyethyleneimine. The carbon nanotube is a multi-walled carbon nanotube. The carbon nanotube has 1~20 mum of length and 10~40 nm of diameter.
Abstract translation: 提供了一种碳纳米管大面积发射体，通过增加与电极的相干性来提高稳定性和寿命，并通过增加碳纳米管的导电性来改善场致发射因子。 碳纳米管大面积发射体含有在导电金属的基底上蒸发的聚合物（3）层; 和多个在聚合物层中组合并形成垂直方向的碳纳米管（4）。 导电金属选自铂，金，铝，铬，钨和铜。 聚合物选自聚乙二醇，聚乙烯醇，聚乙烯基甲基醚，聚乙烯吡咯烷酮，聚乙烯亚胺。 碳纳米管是多壁碳纳米管。 碳纳米管的长度为1〜20毫米，直径为10〜40纳米。
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