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公开(公告)号：KR101528098B1
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：KR1020140024198
申请日：2014-02-28
Applicant: 전북대학교산학협력단
IPC: H01L33/40 , H01L21/205
CPC classification number: H01L33/40 , H01L21/205 , H01L33/42
Abstract: 본발명의반도체와금속사이의오믹특성강화방법은, 질화갈륨(GaN) 계열반도체상에니켈/금(Ni/Au) 전극을형성하는방법에있어서, 상기반도체와상기전극간의양질의오믹접촉을위하여전자빔 빗각증착(oblique-angle deposition)하는단계, 및상기반도체와상기전극을산소(O₂) 분위기에서열처리(rapid thermal annealing)하는단계를포함한다.
Abstract translation: 一种用于加强半导体和金属之间的欧姆特性的方法包括以下步骤：对半导体和电极之间的高欧姆接触进行电子束斜角沉积; 以及在GaN基半导体上形成Ni / Au电极的方法中，在O2气氛下进行半导体和电极的快速热退火。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR1020180060491A
公开(公告)日：2018-06-07
申请号：KR1020160160027
申请日：2016-11-29
Applicant: 전북대학교산학협력단
CPC classification number: H01L33/42 , H01L33/04 , H01L33/44 , H01L2924/12041 , H01L2933/0016
Abstract: 혼성투명전극으로, 상호이격된복수개의단위 ITO전극으로이루어진 ITO 아일랜드; 상기 ITO 아일랜드를도포하는 ZAZ층을포함하는것을특징으로하는혼성투명전극이제공된다.
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公开(公告)号：KR101824322B1
公开(公告)日：2018-01-31
申请号：KR1020160070408
申请日：2016-06-07
Applicant: 전북대학교산학협력단
Abstract: 본발명은기판; 질화갈륨계열의제 1 도전형반도체층; 질화갈륨계열의제 2 도전형반도체층; 및상기제 1 도전형반도체층과상기제 2 도전형반도체층사이에개재된활성층; 상기제 2 도전형반도체층에접촉되는투명전극을포함하며, 투명전극이전자빔증발법(electron-beam evaporator)으로증착된제 1 전극층및 스퍼터(sputter)로증착된제 2 전극층을포함하는것을특징으로하는질화갈륨계고효율발광다이오드및 그의제조방법을제공한다. 본발명의질화갈륨계고효율발광다이오드는높은광투과도와낮은면저항을가질수 있다.
Abstract translation: 基板本发明涉及基板， 氮化镓基第一导电型半导体层; 氮化镓基第二导电类型半导体层; 以及介于第一导电半导体层和第二导电半导体层之间的有源层; 其特征在于，它包括沉积在所述第二导电类型的第二电极层包括与所述半导体层接触的透明电极，透明电极是通过电子束蒸镀法（电子束蒸发器）的第一电极层，和溅射（溅射）沉积 氮化镓基高效率发光二极管及其制造方法。 本发明的氮化镓基高效率发光二极管可以具有高透光率和低薄层电阻。
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公开(公告)号：KR101701316B1
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：KR1020150034916
申请日：2015-03-13
Applicant: 전북대학교산학협력단
Abstract: 본발명은기판; 질화갈륨계열의 n형반도체층; 질화갈륨계열의 p형반도체층; 및상기 n형반도체층과상기 p형반도체층사이에개재된활성층;을포함하는질화갈륨계고효율발광다이오드에있어서, 상기질화갈륨계열의 p형반도체층에접촉되는투명전극이 Ag 나노와이어를포함하여형성된것임을특징으로하는질화갈륨계고효율발광다이오드및 그의제조방법을제공한다.
Abstract translation: 本发明提供了一种高效率的氮化镓系发光二极管，其具有优异的电流扩散效率，提供低接触电阻，并且即使在低波长下也在可见光区域提供优异的透光率，并且制造 方法。 具有高效率的氮化镓系发光二极管包括：基板; 氮化镓系n型半导体层; 氮化镓系p型半导体层; 以及介于n型半导体层和p型半导体层之间的有源层。 通过包含银（Ag）纳米线，形成与氮化镓系p型半导体层接触的透明电极。
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