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公开(公告)号：KR1020160013224A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：KR1020160003675
申请日：2016-01-12
Applicant: 전북대학교산학협력단
IPC: H01L33/14
Abstract: 본발명의수직형발광다이오드의제조방법은, 기판상에제1도전성반도체층, 활성층, 및제2도전성반도체층을순차적으로형성하고, 상기제2도전성반도체층상에전류억제층을증착장비를이용하여형성하며, 상기전류억제층상에제2전극을형성하되, 상기전류억제층의증착장비를이용하여증착하며, 상기기판을제거하고, 상기제1도전성반도체층상에제1전극을형성하는것을포함한다. 이와같은본 발명에의하면, 플루오린화마그네슘(MgF) 물질의전류차단을통하여전기적기능을개선되는동시에플루오린화마그네슘(MgF) 물질의낮은굴절률에의하여광학적기능이동시에개선되는효과가있다.
Abstract translation: 制造垂直发光二极管的方法包括以下步骤：依次在衬底上形成第一导电半导体层，有源层和第二导电半导体层; 使用沉积设备在所述第二导电半导体层上形成电流阻挡层; 使用当前阻挡层的沉积设备在当前阻挡层上形成第二电极; 以及去除所述衬底并在所述第一导电半导体层上形成第一电极。 根据本发明，通过氟化镁（MGF2）材料的电流阻塞来改善电功能，同时通过氟化镁材料的低折射率改善光学功能。
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公开(公告)号：KR101528098B1
公开(公告)日：2015-06-10
申请号：KR1020140024198
申请日：2014-02-28
Applicant: 전북대학교산학협력단
IPC: H01L33/40 , H01L21/205
CPC classification number: H01L33/40 , H01L21/205 , H01L33/42
Abstract: 본발명의반도체와금속사이의오믹특성강화방법은, 질화갈륨(GaN) 계열반도체상에니켈/금(Ni/Au) 전극을형성하는방법에있어서, 상기반도체와상기전극간의양질의오믹접촉을위하여전자빔 빗각증착(oblique-angle deposition)하는단계, 및상기반도체와상기전극을산소(O₂) 분위기에서열처리(rapid thermal annealing)하는단계를포함한다.
Abstract translation: 一种用于加强半导体和金属之间的欧姆特性的方法包括以下步骤：对半导体和电极之间的高欧姆接触进行电子束斜角沉积; 以及在GaN基半导体上形成Ni / Au电极的方法中，在O2气氛下进行半导体和电极的快速热退火。
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3.发明授权
公开(公告)号：KR101646894B1
公开(公告)日：2016-08-08
申请号：KR1020160003675
申请日：2016-01-12
Applicant: 전북대학교산학협력단
IPC: H01L33/14
Abstract: 본발명의수직형발광다이오드의제조방법은, 기판상에제1도전성반도체층, 활성층, 및제2도전성반도체층을순차적으로형성하고, 상기제2도전성반도체층상에전류억제층을증착장비를이용하여형성하며, 상기전류억제층상에제2전극을형성하되, 상기전류억제층의증착장비를이용하여증착하며, 상기기판을제거하고, 상기제1도전성반도체층상에제1전극을형성하는것을포함한다. 이와같은본 발명에의하면, 플루오린화마그네슘(MgF) 물질의전류차단을통하여전기적기능을개선되는동시에플루오린화마그네슘(MgF) 물질의낮은굴절률에의하여광학적기능이동시에개선되는효과가있다.
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4.发明公开
公开(公告)号：KR1020150102396A
公开(公告)日：2015-09-07
申请号：KR1020140024207
申请日：2014-02-28
Applicant: 전북대학교산학협력단
IPC: H01L33/14
CPC classification number: H01L33/44 , H01L33/0079 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/405 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025 , H01L33/14 , H01L33/145
Abstract: 본 발명의 수직형 발광 다이오드의 제조방법은, 기판 상에 제1도전성 반도체층, 활성층, 및 제2도전성 반도체층을 순차적으로 형성하고, 상기 제2도전성 반도체층 상에 전류 억제층을 증착 장비를 이용하여 형성하며, 상기 전류 억제층 상에 제2전극을 형성하되, 상기 전류 억제층의 증착 장비를 이용하여 증착하며, 상기 기판을 제거하고, 상기 제1도전성 반도체층 상에 제1전극을 형성하는 것을 포함한다. 이와 같은 본 발명에 의하면, 플루오린화마그네슘(MgF
2 ) 물질의 전류 차단을 통하여 전기적 기능을 개선되는 동시에 플루오린화마그네슘(MgF
2 ) 물질의 낮은 굴절률에 의하여 광학적 기능이 동시에 개선되는 효과가 있다.Abstract translation: 一种用于制造垂直发光二极管的方法包括以下步骤：在衬底上依次形成第一导电半导体层，有源层和第二导电半导体层，通过使用沉积在第二导电半导体层上形成电流阻挡层 设备; 通过使用电流阻挡层的沉积设备在电流阻挡层上形成第二电极; 去除衬底; 以及在所述第一导电半导体层上形成所述第一电极。 根据本发明，通过MgF2材料的电流阻塞来改善电功能，同时通过MgF 2材料的低折射率改善光学功能。
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