능동 피드백 제어용 인공 와우 장치, 및 그 방법
    1.
    发明公开
    능동 피드백 제어용 인공 와우 장치, 및 그 방법 有权
    具有有源反馈控制的COCHLEAR IMPLANT DEVICE,该方法

    公开(公告)号:KR1020130092318A

    公开(公告)日:2013-08-20

    申请号:KR1020120013980

    申请日:2012-02-10

    Abstract: PURPOSE: An artificial cochlea device for the active feedback controlling and a method thereof are provided to copy the mechanism of an outer hair cell of the cochlea through an actuator which is driven by the sound pressure, thereby classifying and recognizing various sizes of sound by the pressure deviation. CONSTITUTION: A sensor unit senses the vibration by sound, and generates an electric signal corresponding to the size of the vibration. The sensor unit comprises a plurality of operator (230) which moves a frequency dividing unit in response to the electric signal. The operator operates the sensitivity by the size of sound or the selectivity of sound which is sensed by each frequency band. A plurality of operator is arranged separately to a plurality of base unit (216). The plurality of operator is consecutively connected along a first substrate (210) or a second substrate (212). The operator moves up and down by the electric signal which is generated in the base unit and a nanopillar (214).

    Abstract translation: 目的:提供一种用于主动反馈控制的人造耳蜗装置及其方法,用于通过由声压驱动的致动器来复制耳蜗外毛细胞的机构,由此分类并识别各种尺寸的声音 压力偏差。 构成:传感器单元通过声音感知振动,并产生与振动大小相对应的电信号。 传感器单元包括响应于电信号移动分频单元的多个操作器(230)。 操作员通过声音的大小或由每个频带感测到的声音的选择性来操作灵敏度。 多个操作者分离地布置到多个基座单元(216)。 多个操作者沿着第一基板(210)或第二基板(212)连续地连接。 操作者通过在基本单元中产生的电信号和纳米柱(214)来上下移动。

    플루오린화마그네슘을 전류 억제층으로 이용하는 질화갈륨 계열 반도체 기반 수직형 발광 다이오드 제조방법
    4.
    发明公开
    플루오린화마그네슘을 전류 억제층으로 이용하는 질화갈륨 계열 반도체 기반 수직형 발광 다이오드 제조방법 有权
    具有作为MGF2的电流块层的垂直氮化镓型发光二极管及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020160013224A

    公开(公告)日:2016-02-03

    申请号:KR1020160003675

    申请日:2016-01-12

    Abstract: 본발명의수직형발광다이오드의제조방법은, 기판상에제1도전성반도체층, 활성층, 및제2도전성반도체층을순차적으로형성하고, 상기제2도전성반도체층상에전류억제층을증착장비를이용하여형성하며, 상기전류억제층상에제2전극을형성하되, 상기전류억제층의증착장비를이용하여증착하며, 상기기판을제거하고, 상기제1도전성반도체층상에제1전극을형성하는것을포함한다. 이와같은본 발명에의하면, 플루오린화마그네슘(MgF) 물질의전류차단을통하여전기적기능을개선되는동시에플루오린화마그네슘(MgF) 물질의낮은굴절률에의하여광학적기능이동시에개선되는효과가있다.

    Abstract translation: 制造垂直发光二极管的方法包括以下步骤:依次在衬底上形成第一导电半导体层,有源层和第二导电半导体层; 使用沉积设备在所述第二导电半导体层上形成电流阻挡层; 使用当前阻挡层的沉积设备在当前阻挡层上形成第二电极; 以及去除所述衬底并在所述第一导电半导体层上形成第一电极。 根据本发明,通过氟化镁(MGF2)材料的电流阻塞来改善电功能,同时通过氟化镁材料的低折射率改善光学功能。

    쇼트키 다이오드 및 그 제조방법
    5.
    发明授权
    쇼트키 다이오드 및 그 제조방법 有权
    肖特基二极体及其制备方法

    公开(公告)号:KR101450263B1

    公开(公告)日:2014-10-22

    申请号:KR1020130083116

    申请日:2013-07-15

    Inventor: 김성준 김현수

    CPC classification number: H01L29/872 H01L29/47 H01L29/66143

    Abstract: The present invention provides a Schottky diode and a manufacturing method thereof, capable of obtaining an improved property of low leakage current by including a Schottky electrode with a multilayer structure by successively laminating an adhesive layer; a Schottky metal layer including metal with a work function over 5.95 eV; and a cap layer on a semiconductor substrate.

    Abstract translation: 本发明提供一种肖特基二极管及其制造方法,其能够通过依次层叠粘合剂层而包含具有多层结构的肖特基电极,从而获得低泄漏电流的性能; 肖特基金属层包括功能超过5.95 eV的金属; 以及半导体衬底上的覆盖层。

    능동 피드백 제어용 인공 와우 장치, 및 그 방법
    6.
    发明授权
    능동 피드백 제어용 인공 와우 장치, 및 그 방법 有权
    具有有源反馈控制的COCHLEAR IMPLANT DEVICE,该方法

    公开(公告)号:KR101346710B1

    公开(公告)日:2014-01-16

    申请号:KR1020120013980

    申请日:2012-02-10

    Abstract: 본 발명은 인공 와우 장치에 관한 것으로, 좀 더 구체적으로 액추에이터를 통해 소리의 민감도나 주파수 선택도를 조정할 수 있도록 하는 인공 와우 장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 능동 피드백 제어용 인공 와우 장치는 인체 내부로 삽입되어 주파수 대역별로 소리를 감지하는 인공 와우 장치로서, 소리에 의한 진동을 감지하고, 상기 진동의 크기에 대응되는 전기신호를 생성하는 센서부와, 상기 센서부에 배치되어 상기 전기신호에 따라 반응하여, 상기 소리의 크기에 따른 민감도를 조절하거나 상기 주파수 대역별로 감지되는 소리의 주파수 선택도를 조절하는 작동자를 포함하는 것을 특징으로 한다.

    Abstract translation: 本发明涉及耳蜗植入装置,更具体地说,涉及一种能够通过致动器控制声音的灵敏度或选择性的人工耳蜗植入装置。 根据本发明的示例性实施例,用于主动反馈控制的耳蜗植入装置被插入到人体中并且被配置为检测每个频带中的声音,包括:传感器单元,被配置为根据声音检测振动并产生 对应于设置在传感器单元中的振动和致动器的大小的电信号,并且每个被配置为对电信号作出反应并且根据声音的大小或在每个频带中检测到的声音的选择性来控制灵敏度。

    오·폐수의 재이용을 위한 고도 산화 처리 장치
    7.
    发明授权
    오·폐수의 재이용을 위한 고도 산화 처리 장치 有权
    先进的废水再利用氧化处理设备

    公开(公告)号:KR100994178B1

    公开(公告)日:2010-11-15

    申请号:KR1020100005172

    申请日:2010-01-20

    Abstract: 본 발명은 오존산화부, 자외선 산화부 및 촉매부를 구비하는 반응조가 설치된 폐수처리장치 및 이를 이용한 폐수처리방법에 관한 것이다. 또한 본 발명은 상기 반응조 상단에 분리막을 침지하고 있는 집수조를 더 구비함으로써 분리막에 의해 입자상물질을 제거한 후, 오존산화부, 자외선 산화부 및 촉매부를 구비한 반응조를 통과하여 폐수 내 함유되어 있는 유해물질을, 반응조 내에 생성된 오존, 수산화라디칼과 같은 과량의 활성기 등으로 제거시키는 폐수처리 장치 및 폐수처리 방법을 제공한다.
    본 발명은, 기존의 폐수 고도처리방법에서 활용되고 있는 오존처리방법, 막분리방법, 활성탄처리방법, 고도산화방법보다 이 들 방법들을 병합시키는 막/오존/자외선/촉매를 이용한 하이브리드 고도처리기술로서 막분리로 미세한 입자까지 제거시키고, 오존, 자외선 및 촉매에 의해 생성된 오존, OH라디칼, 활성기 들이 분자성 유기화합물까지 분해제거함으로써 처리수는 재이용수로 활용할 수 있어 환경적 오염부하가 적게 할 수 있다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种废水处理方法,并且包括用于臭氧化装置,紫外线氧化装置,并安装在它的催化剂的反应容器中的水处理装置。 另外,包含在本发明中的有害物质,废水通过分离器,它进一步包括除去所述颗粒物质:一个水箱,其浸在反应器的顶部分离器,使其通过反应器,包括一个臭氧化单元,紫外线单元氧化物和催化 过量的活性基团如反应罐中产生的臭氧和羟基自由基,以及废水处理方法。

    오·폐수의 재이용을 위한 고도 산화 처리 장치
    8.
    发明公开
    오·폐수의 재이용을 위한 고도 산화 처리 장치 有权
    通过高氧化处理回收污水和废水的方法和装置

    公开(公告)号:KR1020100012891A

    公开(公告)日:2010-02-08

    申请号:KR1020100005172

    申请日:2010-01-20

    CPC classification number: C02F9/00 C02F1/325 C02F1/78 C02F2201/002

    Abstract: PURPOSE: An advanced oxidation processing method for reuses of wastewater is provided to remove molecular organic compounds by ozone, OH radical and an activation group after removing minute particles by membrane separation. CONSTITUTION: An advanced oxidation processing method for reuses of wastewater uses a membrane, ozone, ultraviolet rays and a catalyst. An advanced oxidation processing device includes the following: a membrane(31) removing particulate materials; a water collecting tank(30) with an air injector(33) capable of preventing clogging of the membrane; a reaction bath(50) with an ozone oxidized portion, an ultraviolet oxidation part and a catalyst; and a water treatment tank(60) storing processing water.

    Abstract translation: 目的:提供废水再利用的先进氧化处理方法,通过膜分离除去微粒后,通过臭氧,OH自由基和活化基除去分子有机化合物。 构成:废水再利用的先进氧化处理方法采用膜,臭氧,紫外线和催化剂。 一种先进的氧化处理装置包括:除去微粒材料的膜(31) 具有能够防止膜堵塞的空气喷射器(33)的集水箱(30) 具有臭氧氧化部分的反应槽(50),紫外线氧化部分和催化剂; 和储存处理水的水处理槽(60)。

    플루오린화마그네슘을 전류 억제층으로 이용하는 질화갈륨 계열 반도체 기반 수직형 발광 다이오드 및 그 제조방법
    9.
    发明公开
    플루오린화마그네슘을 전류 억제층으로 이용하는 질화갈륨 계열 반도체 기반 수직형 발광 다이오드 및 그 제조방법 无效
    具有作为MGF2的电流块层的垂直氮化镓型发光二极管及其制造方法

    公开(公告)号:KR1020150102396A

    公开(公告)日:2015-09-07

    申请号:KR1020140024207

    申请日:2014-02-28

    Abstract: 본 발명의 수직형 발광 다이오드의 제조방법은, 기판 상에 제1도전성 반도체층, 활성층, 및 제2도전성 반도체층을 순차적으로 형성하고, 상기 제2도전성 반도체층 상에 전류 억제층을 증착 장비를 이용하여 형성하며, 상기 전류 억제층 상에 제2전극을 형성하되, 상기 전류 억제층의 증착 장비를 이용하여 증착하며, 상기 기판을 제거하고, 상기 제1도전성 반도체층 상에 제1전극을 형성하는 것을 포함한다. 이와 같은 본 발명에 의하면, 플루오린화마그네슘(MgF
    2 ) 물질의 전류 차단을 통하여 전기적 기능을 개선되는 동시에 플루오린화마그네슘(MgF
    2 ) 물질의 낮은 굴절률에 의하여 광학적 기능이 동시에 개선되는 효과가 있다.

    Abstract translation: 一种用于制造垂直发光二极管的方法包括以下步骤:在衬底上依次形成第一导电半导体层,有源层和第二导电半导体层,通过使用沉积在第二导电半导体层上形成电流阻挡层 设备; 通过使用电流阻挡层的沉积设备在电流阻挡层上形成第二电极; 去除衬底; 以及在所述第一导电半导体层上形成所述第一电极。 根据本发明,通过MgF2材料的电流阻塞来改善电功能,同时通过MgF 2材料的低折射率改善光学功能。

    전자 빔 빗각 증착과 열처리를 이용하는 질화갈륨 계열 발광 다이오드 제조 방법
    10.
    发明授权
    전자 빔 빗각 증착과 열처리를 이용하는 질화갈륨 계열 발광 다이오드 제조 방법 有权
    使用OBLIQUE角度沉积和RTA制造氮化镓型发光二极管的方法

    公开(公告)号:KR101528098B1

    公开(公告)日:2015-06-10

    申请号:KR1020140024198

    申请日:2014-02-28

    CPC classification number: H01L33/40 H01L21/205 H01L33/42

    Abstract: 본발명의반도체와금속사이의오믹특성강화방법은, 질화갈륨(GaN) 계열반도체상에니켈/금(Ni/Au) 전극을형성하는방법에있어서, 상기반도체와상기전극간의양질의오믹접촉을위하여전자빔 빗각증착(oblique-angle deposition)하는단계, 및상기반도체와상기전극을산소(O₂) 분위기에서열처리(rapid thermal annealing)하는단계를포함한다.

    Abstract translation: 一种用于加强半导体和金属之间的欧姆特性的方法包括以下步骤:对半导体和电极之间的高欧姆接触进行电子束斜角沉积; 以及在GaN基半导体上形成Ni / Au电极的方法中,在O2气氛下进行半导体和电极的快速热退火。

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