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公开(公告)号：WO2017213403A1
公开(公告)日：2017-12-14
申请号：PCT/KR2017/005880
申请日：2017-06-07
Applicant: 전북대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 기판; 질화갈륨 계열의 제 1 도전형 반도체층; 질화갈륨 계열의 제 2 도전형 반도체층; 및 상기 제 1 도전형 반도체층과 상기 제 2 도전형 반도체층 사이에 개재된 활성층; 상기 제 2 도전형 반도체층에 접촉되는 투명전극을 포함하며, 투명전극이 전자빔 증발법(electron-beam evaporator)으로 증착된 제 1 전극 층 및 스퍼터(sputter)로 증착된 제 2 전극층을 포함하는 것을 특징으로 하는 질화갈륨계 고효율 발광다이오드 및 그의 제조방법을 제공한다. 본 발명의 질화갈륨계 고효율 발광다이오드는 높은 광투과도와 낮은 면저항을 가질 수 있다.
Abstract translation: ＆lt; p num =“0000”＆gt; 氮化镓基第一导电型半导体层; 氮化镓基第二导电类型半导体层; 以及介于第一导电半导体层和第二导电半导体层之间的有源层; 并且包括与第二导电半导体层接触的透明电极的第二电极层，其中透明电极由通过电子束蒸发器沉积的第一电极层和溅射 氮化镓基高效率发光二极管及其制造方法。 本发明的氮化镓基高效率发光二极管可以具有高透光率和低薄层电阻。
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3.发明授权
公开(公告)号：KR101646894B1
公开(公告)日：2016-08-08
申请号：KR1020160003675
申请日：2016-01-12
Applicant: 전북대학교산학협력단
IPC: H01L33/14
Abstract: 본발명의수직형발광다이오드의제조방법은, 기판상에제1도전성반도체층, 활성층, 및제2도전성반도체층을순차적으로형성하고, 상기제2도전성반도체층상에전류억제층을증착장비를이용하여형성하며, 상기전류억제층상에제2전극을형성하되, 상기전류억제층의증착장비를이용하여증착하며, 상기기판을제거하고, 상기제1도전성반도체층상에제1전극을형성하는것을포함한다. 이와같은본 발명에의하면, 플루오린화마그네슘(MgF) 물질의전류차단을통하여전기적기능을개선되는동시에플루오린화마그네슘(MgF) 물질의낮은굴절률에의하여광학적기능이동시에개선되는효과가있다.
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公开(公告)号：KR20210023141A
公开(公告)日：2021-03-04
申请号：KR20190102910
申请日：2019-08-22
Applicant: 전북대학교산학협력단
Abstract: 본발명은발광다이오드및 이의제조방법에관한것으로서, 상기발광다이오드는서로마주보며배치되는제 1 반도체층과제 2 반도체층, 상기제 1 반도체층과상기제 2 반도체층사이에위치하는활성층, 그리고상기제 2 반도체층위에서로이격되어위치하는제 1 전극및 제 2 전극을포함하며, 상기제 1 전극은전반사반사경(Omni-directional reflectors, ODR) 전극이다. 상기발광다이오드는식각공정없이항복현상을이용하여반도체층과전극을형성함으로써공정을단순화하고공정단가를절감할수 있고, 플립-칩구현으로발광면적의손실없이전극배치를최적화함으로효율을증가시키고, 광손실을최소화시킬수 있으며, 균일한전류전달효과를얻을수 있다.
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公开(公告)号：KR1020160109815A
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：KR1020150034916
申请日：2015-03-13
Applicant: 전북대학교산학협력단
CPC classification number: H01L33/40 , H01L21/02603 , H01L2924/12041
Abstract: 본발명은기판; 질화갈륨계열의 n형반도체층; 질화갈륨계열의 p형반도체층; 및상기 n형반도체층과상기 p형반도체층사이에개재된활성층;을포함하는질화갈륨계고효율발광다이오드에있어서, 상기질화갈륨계열의 p형반도체층에접촉되는투명전극이 Ag 나노와이어를포함하여형성된것임을특징으로하는질화갈륨계고효율발광다이오드및 그의제조방법을제공한다.
Abstract translation: 本发明提供了一种高效率的氮化镓系发光二极管，其具有优异的电流扩散效率，提供低接触电阻，并且即使在低波长下也在可见光区域提供优异的透光率，并且制造 方法。 具有高效率的氮化镓系发光二极管包括：基板; 氮化镓系n型半导体层; 氮化镓系p型半导体层; 以及介于n型半导体层和p型半导体层之间的有源层。 通过包含银（Ag）纳米线，形成与氮化镓系p型半导体层接触的透明电极。
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Patent Agency Ranking6.发明公开
公开(公告)号：KR1020150102396A
公开(公告)日：2015-09-07
申请号：KR1020140024207
申请日：2014-02-28
Applicant: 전북대학교산학협력단
IPC: H01L33/14
CPC classification number: H01L33/44 , H01L33/0079 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L33/405 , H01L2933/0016 , H01L2933/0025 , H01L33/14 , H01L33/145
Abstract: 본 발명의 수직형 발광 다이오드의 제조방법은, 기판 상에 제1도전성 반도체층, 활성층, 및 제2도전성 반도체층을 순차적으로 형성하고, 상기 제2도전성 반도체층 상에 전류 억제층을 증착 장비를 이용하여 형성하며, 상기 전류 억제층 상에 제2전극을 형성하되, 상기 전류 억제층의 증착 장비를 이용하여 증착하며, 상기 기판을 제거하고, 상기 제1도전성 반도체층 상에 제1전극을 형성하는 것을 포함한다. 이와 같은 본 발명에 의하면, 플루오린화마그네슘(MgF
2 ) 물질의 전류 차단을 통하여 전기적 기능을 개선되는 동시에 플루오린화마그네슘(MgF
2 ) 물질의 낮은 굴절률에 의하여 광학적 기능이 동시에 개선되는 효과가 있다.Abstract translation: 一种用于制造垂直发光二极管的方法包括以下步骤：在衬底上依次形成第一导电半导体层，有源层和第二导电半导体层，通过使用沉积在第二导电半导体层上形成电流阻挡层 设备; 通过使用电流阻挡层的沉积设备在电流阻挡层上形成第二电极; 去除衬底; 以及在所述第一导电半导体层上形成所述第一电极。 根据本发明，通过MgF2材料的电流阻塞来改善电功能，同时通过MgF 2材料的低折射率改善光学功能。
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公开(公告)号：KR1020170138247A
公开(公告)日：2017-12-15
申请号：KR1020160070408
申请日：2016-06-07
Applicant: 전북대학교산학협력단
CPC classification number: H01L33/36 , H01L33/005 , H01L33/14 , H01L33/38 , H01L33/40 , H01L2924/12041 , H01L2933/0016
Abstract: 본발명은기판; 질화갈륨계열의제 1 도전형반도체층; 질화갈륨계열의제 2 도전형반도체층; 및상기제 1 도전형반도체층과상기제 2 도전형반도체층사이에개재된활성층; 상기제 2 도전형반도체층에접촉되는투명전극을포함하며, 투명전극이전자빔증발법(electron-beam evaporator)으로증착된제 1 전극층및 스퍼터(sputter)로증착된제 2 전극층을포함하는것을특징으로하는질화갈륨계고효율발광다이오드및 그의제조방법을제공한다. 본발명의질화갈륨계고효율발광다이오드는높은광투과도와낮은면저항을가질수 있다.
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公开(公告)号：KR101749154B1
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：KR1020160111617
申请日：2016-08-31
Applicant: 전북대학교산학협력단
CPC classification number: H01L33/42 , H01L33/02 , H01L33/44 , H01L33/48 , H01L2924/12041 , H01L2933/0016
Abstract: 발광다이오드칩 및이의제조방법이제공된다. 본발명의일 실시예에따라구현되는발광다이오드칩은기판, 상기기판상에형성된제 1 반도체층, 상기제 1 반도체층상에형성된활성층, 상기활성층상에형성된제 2 반도체층, 상기제 2 반도체층상에형성된투명전극층, 상기투명전극상의적어도일부에형성된제 1 전극, 상기제 1 반도체층과전기적으로접속된제 2 전극및 적어도상기제 1 전극을감싸도록상기투명전극상에배치된은 나노와이어네트워크층을포함한다. 이에의하면, 높은광 출력을가짐으로써광 효율이향상될수 있고, 전류밀집효과로인해발광다이오드칩의면적대비높은광 추출효율을달성할수 있다. 나아가저저항, 고투과특성으로인하여광 효율을극대화시킬수 있다.
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10.发明公开
公开(公告)号：KR1020160013224A
公开(公告)日：2016-02-03
申请号：KR1020160003675
申请日：2016-01-12
Applicant: 전북대학교산학협력단
IPC: H01L33/14
Abstract: 본발명의수직형발광다이오드의제조방법은, 기판상에제1도전성반도체층, 활성층, 및제2도전성반도체층을순차적으로형성하고, 상기제2도전성반도체층상에전류억제층을증착장비를이용하여형성하며, 상기전류억제층상에제2전극을형성하되, 상기전류억제층의증착장비를이용하여증착하며, 상기기판을제거하고, 상기제1도전성반도체층상에제1전극을형성하는것을포함한다. 이와같은본 발명에의하면, 플루오린화마그네슘(MgF) 물질의전류차단을통하여전기적기능을개선되는동시에플루오린화마그네슘(MgF) 물질의낮은굴절률에의하여광학적기능이동시에개선되는효과가있다.
Abstract translation: 制造垂直发光二极管的方法包括以下步骤：依次在衬底上形成第一导电半导体层，有源层和第二导电半导体层; 使用沉积设备在所述第二导电半导体层上形成电流阻挡层; 使用当前阻挡层的沉积设备在当前阻挡层上形成第二电极; 以及去除所述衬底并在所述第一导电半导体层上形成第一电极。 根据本发明，通过氟化镁（MGF2）材料的电流阻塞来改善电功能，同时通过氟化镁材料的低折射率改善光学功能。
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