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公开(公告)号：KR1020100070820A
公开(公告)日：2010-06-28
申请号：KR1020080129542
申请日：2008-12-18
Abstract: PURPOSE: A high efficiency heat emission resonance light-emitting diode package and a manufacturing method thereof are provided to efficiently discharge and amplify photons generated in an active layer by forming a DBR(Distributed Bragg Reflector) layer under a light emitting diode, thereby generating resonance effect. CONSTITUTION: A light emitting diode(200) comprises a DBR layer(230), a P-type semiconductor layer(240), an active layer(250), and a N type semiconductor layer(260). A substrate(210) is formed under the light emitting diode. A heat emission metal part(270) emits heat generated in the light emitting diode. A first electrode layer is formed in the lower part of the substrate including the heat emission metal part. A second electrode layer(290) is formed in the upper part the light emitting diode. A submount(310) is formed in the lower part of the first electrode layer.
Abstract translation: 目的：提供一种高效率的发热共振发光二极管封装及其制造方法，通过在发光二极管下形成DBR（分布式布拉格反射器）层，有效地对有源层中产生的光子进行放电和放大，从而产生共振 影响。 构成：发光二极管（200）包括DBR层（230），P型半导体层（240），有源层（250）和N型半导体层（260）。 衬底（210）形成在发光二极管的下方。 发热金属部件（270）发射在发光二极管中产生的热量。 第一电极层形成在包括发热金属部分的基板的下部。 第二电极层（290）形成在发光二极管的上部。 在第一电极层的下部形成有基座（310）。
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公开(公告)号：KR101558232B1
公开(公告)日：2015-10-12
申请号：KR1020130165858
申请日：2013-12-27
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: 레이저영상기기용화이트밸런스조정방법이제공된다. 본발명의실시예에따른레이저영상기기는, 레이저광원에서출사되는광을분리하는색분리광학계, 분리된광들의세기들을각각측정하는수광소자들및 수광소자들에서측정된세기들을기초로레이저광원을제어하여화이트밸런스를조정함에있어, 화이트밸런스조정에필요한광학계들을최소화시키면서도광 효율은극대화할수 있게된다.
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公开(公告)号：KR1020150077048A
公开(公告)日：2015-07-07
申请号：KR1020130165879
申请日：2013-12-27
Applicant: 전자부품연구원
CPC classification number: H01S5/06256 , H01S5/0268 , H01S5/0653 , H01S5/1003
Abstract: 단일횡모드와단일종모드확보및 고출력발진이가능한하이브리드레이저다이오드가제공된다. 본발명의실시예에따른반도체레이저다이오드는, 광을발진시키는증폭영역, 단일횡모드확보를위해광을도파시키는도파영역및 단일종모드확보를위해도파영역의양측에서회절격자를이용하여광의특정파장을선택하는회절격자영역을포함한다. 이에의해, 현재반도체레이저에서요구되어지는단일광모드와높은광출력두 가지모두를동시에만족시킬수 있게되고, 기본보다빔질의향상을더욱높일수 있게된다.
Abstract translation: 提供了执行单横模，单纵模和高输出振荡的混合激光二极管。 根据本发明的实施例的半导体激光二极管包括使光发生振荡的放大区域，引导用于固定单横模的光的引导区域，以及通过使用 用于固定单个纵向模式的引导区域两侧的衍射格子。 由此，本发明同时满足当前半导体激光器所需的高光输出和单光模式两种，并且与基本光束相比提高了光束的质量。
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公开(公告)号：KR101507775B1
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：KR1020140041790
申请日：2014-04-08
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H04B10/071 , H04B10/40
CPC classification number: H04B10/40 , G02B7/02 , H04B10/071 , H04B10/25
Abstract: 본발명은광 트랜시버내장형오티디알기능을갖는오에스에이에관한것으로, 광섬유방향으로광 신호를출사(出射)시키는 OTDR송신부와; 광섬유방향으로출사하는광신호는통과시키고, 광섬유에서레일리산란에의하여후방산란된 광을수신하여광 선로의상태를판단하는 OTDR필터와; OTDR필터를통해출사되는광신호를광섬유의관로내로유입되도록광 신호를포커싱하는포커싱렌즈를포함하여구성되는것을특징으로하며, OTDR 기능을구성하는지향성커플러와포토다이오드(Photo Diode)를대신하여포토다이오드어레이와홀(PD Array) 구조를함께적용함으로써기존대비소형화, 경량화, 대량생산화에적합하고, 기존의광 통신망인프라에결합할수 있는외장형 OTDR에적용하여급격하게증가하는광선로망장애를진단하고판별하는데용의하다.
Abstract translation: 本发明涉及具有OTDR功能的光收发器嵌入式OSA，其包括在光纤方向发射光信号的OTDR发射器，OTDR滤波器，其通过接收散射的光来确定光线的状态 通过光纤中的瑞利散射向后，以及聚焦透镜，其聚焦光信号以将通过OTDR滤光器发射的光信号输入到光纤的管道。 本发明减小尺寸和重量并进行批量生产通过将光电二极管阵列和PD阵列结构组合在一起而不是光电二极管和定向耦合器来形成OTDR功能。 通过与现有的光通信网络基础设施相结合的外部OTDR的应用，可以容易地诊断和确定光线路网络的快速增加的障碍。
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公开(公告)号：KR101300495B1
公开(公告)日：2013-09-02
申请号：KR1020110143025
申请日：2011-12-27
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L33/10
Abstract: 본 발명은 높은 반사율의 반사층을 구비하여 광의 손실을 최소화하고 광질이 우수한 LED에 관한 것으로 본 발명에 따른 발광 다이오드는,
N형 반도체층,
P형 반도체 층, 및
N형 반도체와 P형 반도체 사이에 형성된 활성층을 포함하고,
상기 활성층으로부터 방출된 광 중 발광 다이오드의 광 출사면의 반대측으로 방출된 광을 광 출사면으로 반사하기 위한 반사층을 포함하고,
상기 반사층은 반사층에 도달한 광을 미리 정해진 각도 범위 내로 반사하기 위한 반사 구조물을 포함한다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020120059819A
公开(公告)日：2012-06-11
申请号：KR1020100121281
申请日：2010-12-01
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G01N21/00
Abstract: PURPOSE: A light application sensor module is provided to eliminate noise flowing from outside by passing through only lights having wavelengths of a predetermined band. CONSTITUTION: A light application sensor module(100) comprises a polarizing part(140), a light receiving part(120), and a light emitting part(150). The polarizing part is arranged by being spaced from a sample(S) at a predetermined interval. The light receiving part is arranged by being spaced from one side of the polarizing part at a predetermined interval. The light emitting part is arranged to emit light to the sample. The polarizing part is a polarizing lens. The light emitting part emits lights to a focal distance(C) of the polarizing lens.
Abstract translation: 目的：提供一种光应用传感器模块，用于消除仅通过具有预定波段的光的外部流动的噪声。 构成：光应用传感器模块（100）包括偏振部分（140），光接收部分（120）和发光部分（150）。 偏振部件以预定间隔与样品（S）间隔开来布置。 光接收部分以预定间隔与偏振部分的一侧隔开布置。 发光部被配置为向样品发光。 偏光部是偏光透镜。 发光部分发光到偏振透镜的焦距（C）。
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公开(公告)号：KR101030493B1
公开(公告)日：2011-04-21
申请号：KR1020080129542
申请日：2008-12-18
Abstract: 본 발명은 공진 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 반도체 기판 상부에 형성된 식각 정지층을 이용하여 열적 저항이 많이 걸리는 반도체 기판의 일부분을 제거하고 제거된 부분에 두꺼운 금속층을 형성하거나 반도체 기판의 전부를 제거함으로써, 발광 다이오드에서 생기는 열이 효과적으로 방출되도록 함은 물론, 공진 발광 다이오드의 아래 부분에 DBR층을 형성하여 공진효과를 일으킴으로써, 활성층에서 만들어진 광자들을 효율적으로 방출 및 증폭시키는 고효율 열방출 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 고효율 열방출 공진 발광 다이오드 패키지는 식각 정지층, DBR층, P형 반도체층, 활성층, N형 반도체층을 포함하는 발광 다이오드; 상기 발광 다이오드 하부에 형성되고, 일부가 식각된 기판; 상기 기판의 식각된 부분에 형성되고, 상기 발광 다이오드에서 생성되는 열을 방출하기 위한 열 방출 금속부; 상기 열 방출 금속부를 포함하는 상기 기판 하부에 형성된 제1 전극층과 상기 발광 다이오드 상부에 형성된 제2 전극층; 및 상기 제1 전극층 하부에 형성되고, 상부에 금속 접촉층이 형성된 서브마운트를 포함함에 기술적 특징이 있다.
발광 다이오드, 공진 발광 다이오드, DBR층, 식각 정지층-
公开(公告)号：KR1020110033742A
公开(公告)日：2011-03-31
申请号：KR1020090091351
申请日：2009-09-25
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: PURPOSE: A nitride metal structure and a manufacturing method of the same are provide to suppress the deformation in the surface of an ohmic metal after a heat treatment under high temperature, thereby being operated as a mask align key. CONSTITUTION: In a nitride metal structure and a manufacturing method of the same, an epi layer(100) is formed on a substrate(1). A first metal layer(210), a second metal layer(220), and an anti oxidation layer(230) are laminated to form a mask align key electrode. The first metal layer, second metal layer, and the anti oxidation layer are formed by using a metal deposition method. First and the second metal layers, the anti oxidation layer, and low resistance film are laminated to the ohmic electrode having low resistance. The anti oxidation layer is formed by one of Ni, Ti, Pt, Pd, Cr, Mo, and Ta.
Abstract translation: 目的：提供一种氮化物金属结构及其制造方法，以在高温下进行热处理之后抑制欧姆金属表面的变形，从而作为掩模对准键进行操作。 构成：在氮化物金属结构体及其制造方法中，在基板（1）上形成外延层（100）。 层叠第一金属层（210），第二金属层（220）和抗氧化层（230）以形成掩模对准键电极。 通过使用金属沉积法形成第一金属层，第二金属层和抗氧化层。 第一和第二金属层，抗氧化层和低电阻膜层压到具有低电阻的欧姆电极。 抗氧化层由Ni，Ti，Pt，Pd，Cr，Mo和Ta中的一种形成。
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公开(公告)号：KR101001185B1
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：KR1020080094241
申请日：2008-09-25
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: 본 발명은 수발광 일체형 소자에 관한 것으로, 보다 자세하게는 수광소자와 발광소자를 모노리틱(Monolithic)하게 형성하여 콤팩트한 모듈이 가능하며, 금속 그리드(Metal grid)의 형성으로 수광소자의 효율이 우수하고 발광소자에서 나온 광이 수광소자에 직접 입사되는 것을 방지하는 광분리층(Optical isolation layer)을 형성하여 수광소자와 발광소자 간의 크로스토크(Crosstalk)를 줄일 수 있는 수발광 일체형 소자에 관한 것이다.
본 발명의 수발광 일체형 소자는 기판, 상기 기판 하부에 형성되는 제1전극층, 상기 기판 상부에 형성되는 제1N형반도체층, 상기 제1N형반도체층 상부에 형성되는 제1P형반도체층, 상기 제1P형반도체층 상부에 형성되며 발광영역을 정의해주는 제2전극층, 상기 발광영역과 제2전극층이 존재하지 않는 영역에 존재하며 제1P형반도체층 상부에 형성되고 요부와 철부를 갖는 제2N형반도체층, 상기 제2N형반도체층의 철부에 형성되는 제2P형반도체층, 상기 제2N형반도체층의 요부에 형성되는 제3전극층 및 상기 제2P형반도체층 상부에 존재하며 제3전극층과 이격되어 존재하여 수광영역을 정의해주는 제4전극층을 포함함에 기술적 특징이 있다.
수발광, 일체, 모노리틱(monolithic), 크로스토그(crosstalk), 금속 그리드-
公开(公告)号：KR1020100034987A
公开(公告)日：2010-04-02
申请号：KR1020080094251
申请日：2008-09-25
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: PURPOSE: A receiving light emitter monolithic device forms to be monolithic the light receiving element and emitting device. The simplification and compaction of system are realized. CONSTITUTION: A first distributed brag reflection layer and semiconductor layer are respectively formed in the lower part and top of substrate. A first electrode layer(230) is formed in the main part of the semiconductor layer. The light emission region defined in the summit of the semiconductor layer with the first reflection electrode layer(240). The second distributed brag reflection layer is formed in the summit of the semiconductor layer.
Abstract translation: 目的：接收光发射体单片装置形成为光接收元件和发射装置的单片。 实现了系统的简化和压缩。 构成：在基板的下部和顶部分别形成第一分布式布拉格反射层和半导体层。 第一电极层（230）形成在半导体层的主要部分中。 限定在半导体层的顶点与第一反射电极层（240）的发光区域。 第二分布式布拉格反射层形成在半导体层的顶点。
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