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11.发明授权
公开(公告)号：KR101327243B1
公开(公告)日：2013-11-12
申请号：KR1020110143012
申请日：2011-12-27
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: 본 발명은 멀티 레이저 다이오드를 개별 구동하기 위한 p-서브마운트에 관한 것으로, 본 발명에 따르면, p형 전극과 n형 전극이 서로 반대 방향에 위치한 바형태의 레이저 다이오드 어레이의 p형 서브마운트에 있어서, 열전달성을 가진 기판;
상기 기판의 상면에 상기 기판의 일방향을 따라 배치되고 상호 전기적으로 절연된 복수의 전도성 라인 구조물을 포함하고,
상기 복수의 전도성 라인 구조물 각각은, 전원이 공급되는 전원 단자부; 상기 바형태의 레이저 다이오드 어레이의 p형 전극이 결합되는 탑재부; 및 상기 전원 단자부와 상기 탑재부 사이를 전기적으로 연결하는 배선라인을 포함한다.-
公开(公告)号：KR1020120069468A
公开(公告)日：2012-06-28
申请号：KR1020100131025
申请日：2010-12-20
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L29/872
CPC classification number: H01L29/66212 , H01L29/454 , H01L29/475 , H01L29/872
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a high voltage GaN Schottky barrier diode is provided to reduce metal spike by dropping an annealing temperature of an ohmic contact. CONSTITUTION: An ohmic contact(50) is formed by annealing a doped GaN layer(40) at 700 to 800 degrees centigrade for 30 to 60 seconds. A recess(43) is formed on the doped GaN layer separated from the ohmic contact area. A Schottky contact(60) is formed in the recess. A protection layer(70) is formed on the upper side of the substrate to cover an exposed part. The protection layer exposes the ohmic contact and the Schottky contact.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造高电压GaN肖特基势垒二极管的方法，通过降低欧姆接触的退火温度来减少金属尖峰。 构成：通过在700至800摄氏度下对掺杂的GaN层（40）退火30至60秒形成欧姆接触（50）。 在与欧姆接触区域分离的掺杂GaN层上形成凹部（43）。 肖特基接触件（60）形成在凹部中。 保护层（70）形成在基板的上侧以覆盖露出部分。 保护层暴露了欧姆接触和肖特基接触。
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公开(公告)号：KR1020110033969A
公开(公告)日：2011-04-04
申请号：KR1020090091353
申请日：2009-09-25
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L31/12 , H01L31/0232
CPC classification number: H01L31/12 , H01L31/02002 , H01L31/0232 , H01L31/052 , H01L33/62
Abstract: PURPOSE: A package module integrate with a light emitting device and a light receiving device is provided to reduce an integration volume by integrating the light emitting device and the light receiving device with one package. CONSTITUTION: A light emitting device module(200) includes a light emitting device(210) and an optical device which faces an object by controlling a light emitting axis of the light emitting device. A light receiving device module(100) includes a light receiving device(110) which receives fluorescence from the object and is integrated with the light emitting device module.
Abstract translation: 目的：提供与发光器件集成的封装模块和光接收器件，以通过将发光器件和光接收器件集成在一个封装中来减小积分体积。 构成：发光器件模块（200）包括通过控制发光器件的发光轴而面对物体的发光器件（210）和光学器件。 光接收装置模块（100）包括光接收装置（110），其接收来自物体的荧光并与发光装置模块集成。
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公开(公告)号：KR101558232B1
公开(公告)日：2015-10-12
申请号：KR1020130165858
申请日：2013-12-27
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: 레이저영상기기용화이트밸런스조정방법이제공된다. 본발명의실시예에따른레이저영상기기는, 레이저광원에서출사되는광을분리하는색분리광학계, 분리된광들의세기들을각각측정하는수광소자들및 수광소자들에서측정된세기들을기초로레이저광원을제어하여화이트밸런스를조정함에있어, 화이트밸런스조정에필요한광학계들을최소화시키면서도광 효율은극대화할수 있게된다.
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公开(公告)号：KR1020150077048A
公开(公告)日：2015-07-07
申请号：KR1020130165879
申请日：2013-12-27
Applicant: 전자부품연구원
CPC classification number: H01S5/06256 , H01S5/0268 , H01S5/0653 , H01S5/1003
Abstract: 단일횡모드와단일종모드확보및 고출력발진이가능한하이브리드레이저다이오드가제공된다. 본발명의실시예에따른반도체레이저다이오드는, 광을발진시키는증폭영역, 단일횡모드확보를위해광을도파시키는도파영역및 단일종모드확보를위해도파영역의양측에서회절격자를이용하여광의특정파장을선택하는회절격자영역을포함한다. 이에의해, 현재반도체레이저에서요구되어지는단일광모드와높은광출력두 가지모두를동시에만족시킬수 있게되고, 기본보다빔질의향상을더욱높일수 있게된다.
Abstract translation: 提供了执行单横模，单纵模和高输出振荡的混合激光二极管。 根据本发明的实施例的半导体激光二极管包括使光发生振荡的放大区域，引导用于固定单横模的光的引导区域，以及通过使用 用于固定单个纵向模式的引导区域两侧的衍射格子。 由此，本发明同时满足当前半导体激光器所需的高光输出和单光模式两种，并且与基本光束相比提高了光束的质量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101507775B1
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：KR1020140041790
申请日：2014-04-08
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H04B10/071 , H04B10/40
CPC classification number: H04B10/40 , G02B7/02 , H04B10/071 , H04B10/25
Abstract: 본발명은광 트랜시버내장형오티디알기능을갖는오에스에이에관한것으로, 광섬유방향으로광 신호를출사(出射)시키는 OTDR송신부와; 광섬유방향으로출사하는광신호는통과시키고, 광섬유에서레일리산란에의하여후방산란된 광을수신하여광 선로의상태를판단하는 OTDR필터와; OTDR필터를통해출사되는광신호를광섬유의관로내로유입되도록광 신호를포커싱하는포커싱렌즈를포함하여구성되는것을특징으로하며, OTDR 기능을구성하는지향성커플러와포토다이오드(Photo Diode)를대신하여포토다이오드어레이와홀(PD Array) 구조를함께적용함으로써기존대비소형화, 경량화, 대량생산화에적합하고, 기존의광 통신망인프라에결합할수 있는외장형 OTDR에적용하여급격하게증가하는광선로망장애를진단하고판별하는데용의하다.
Abstract translation: 本发明涉及具有OTDR功能的光收发器嵌入式OSA，其包括在光纤方向发射光信号的OTDR发射器，OTDR滤波器，其通过接收散射的光来确定光线的状态 通过光纤中的瑞利散射向后，以及聚焦透镜，其聚焦光信号以将通过OTDR滤光器发射的光信号输入到光纤的管道。 本发明减小尺寸和重量并进行批量生产通过将光电二极管阵列和PD阵列结构组合在一起而不是光电二极管和定向耦合器来形成OTDR功能。 通过与现有的光通信网络基础设施相结合的外部OTDR的应用，可以容易地诊断和确定光线路网络的快速增加的障碍。
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公开(公告)号：KR101471351B1
公开(公告)日：2014-12-10
申请号：KR1020120155268
申请日：2012-12-27
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L29/861
Abstract: 본발명은 N- 질화갈륨에피택시웨이퍼를 P+ 실리콘웨이퍼와금속솔더로접합하여구현한하이브리드수직형질화갈륨다이오드의구조및 그제조방법에관한것이다. 기판위에 N- 질화갈륨에피택시웨이퍼를성장시킨후, N- 질화갈륨에피택시웨이퍼의상단에금속패턴을결합하고, 금속패턴에의해 N- 질화갈륨에피택시웨이퍼를 P+ 실리콘웨이퍼와결합한다. 웨이퍼박판화공정을통해기판을제거한후, N- 질화갈륨에피택시웨이퍼의하부면에후면오믹컨택을형성하고, P+ 실리콘웨이퍼의상부면에액티브영역을결정하는전면오믹컨택을형성한다. P+ 실리콘웨이퍼를선택적으로식각하여에지터미네이션을위한플로팅 P+ 실리콘접합을형성할수 있다.
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公开(公告)号：KR101300495B1
公开(公告)日：2013-09-02
申请号：KR1020110143025
申请日：2011-12-27
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L33/10
Abstract: 본 발명은 높은 반사율의 반사층을 구비하여 광의 손실을 최소화하고 광질이 우수한 LED에 관한 것으로 본 발명에 따른 발광 다이오드는,
N형 반도체층,
P형 반도체 층, 및
N형 반도체와 P형 반도체 사이에 형성된 활성층을 포함하고,
상기 활성층으로부터 방출된 광 중 발광 다이오드의 광 출사면의 반대측으로 방출된 광을 광 출사면으로 반사하기 위한 반사층을 포함하고,
상기 반사층은 반사층에 도달한 광을 미리 정해진 각도 범위 내로 반사하기 위한 반사 구조물을 포함한다.-
公开(公告)号：KR1020120059819A
公开(公告)日：2012-06-11
申请号：KR1020100121281
申请日：2010-12-01
Applicant: 전자부품연구원
IPC: G01N21/00
Abstract: PURPOSE: A light application sensor module is provided to eliminate noise flowing from outside by passing through only lights having wavelengths of a predetermined band. CONSTITUTION: A light application sensor module(100) comprises a polarizing part(140), a light receiving part(120), and a light emitting part(150). The polarizing part is arranged by being spaced from a sample(S) at a predetermined interval. The light receiving part is arranged by being spaced from one side of the polarizing part at a predetermined interval. The light emitting part is arranged to emit light to the sample. The polarizing part is a polarizing lens. The light emitting part emits lights to a focal distance(C) of the polarizing lens.
Abstract translation: 目的：提供一种光应用传感器模块，用于消除仅通过具有预定波段的光的外部流动的噪声。 构成：光应用传感器模块（100）包括偏振部分（140），光接收部分（120）和发光部分（150）。 偏振部件以预定间隔与样品（S）间隔开来布置。 光接收部分以预定间隔与偏振部分的一侧隔开布置。 发光部被配置为向样品发光。 偏光部是偏光透镜。 发光部分发光到偏振透镜的焦距（C）。
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公开(公告)号：KR101030493B1
公开(公告)日：2011-04-21
申请号：KR1020080129542
申请日：2008-12-18
Abstract: 본 발명은 공진 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 반도체 기판 상부에 형성된 식각 정지층을 이용하여 열적 저항이 많이 걸리는 반도체 기판의 일부분을 제거하고 제거된 부분에 두꺼운 금속층을 형성하거나 반도체 기판의 전부를 제거함으로써, 발광 다이오드에서 생기는 열이 효과적으로 방출되도록 함은 물론, 공진 발광 다이오드의 아래 부분에 DBR층을 형성하여 공진효과를 일으킴으로써, 활성층에서 만들어진 광자들을 효율적으로 방출 및 증폭시키는 고효율 열방출 발광 다이오드 패키지 및 그 제조방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 고효율 열방출 공진 발광 다이오드 패키지는 식각 정지층, DBR층, P형 반도체층, 활성층, N형 반도체층을 포함하는 발광 다이오드; 상기 발광 다이오드 하부에 형성되고, 일부가 식각된 기판; 상기 기판의 식각된 부분에 형성되고, 상기 발광 다이오드에서 생성되는 열을 방출하기 위한 열 방출 금속부; 상기 열 방출 금속부를 포함하는 상기 기판 하부에 형성된 제1 전극층과 상기 발광 다이오드 상부에 형성된 제2 전극층; 및 상기 제1 전극층 하부에 형성되고, 상부에 금속 접촉층이 형성된 서브마운트를 포함함에 기술적 특징이 있다.
발광 다이오드, 공진 발광 다이오드, DBR층, 식각 정지층
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