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公开(公告)号：KR101577204B1
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：KR1020140190207
申请日：2014-12-26
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H04B10/071 , H04B10/43
Abstract: 본발명은광통신선로의상태를감시하는 OTDR(Optical time domain reflectometer)을광통신모듈인 OSA(Optical sub assemble)에일체로구현하여광선로상태를실시간으로감시하도록하는광 트랜시버내장형오에스에이에관한것으로, 각각의수동소자의정렬에대한안정성과, 이에따른동작특성을최적화할 수있는광 트랜시버내장형오에스에이를제공하는데 그목적이있다. 본발명은감시를위한제1 광을광섬유로송신하고, 광섬유로부터후방산란된 반사광을분할하여전달받기위한스플리터부를구비하여광섬유로부터후방산란된 반사광을수신하는제1 광선로, 제1 광선로의일측면에연결되고, 제1 광의방향으로스플리터부와수직하게배치되며제1 광을투과하여광섬유로전달하고광섬유로송신되는데이터신호를포함하는제2 광과, 광섬유로부터수신되는데이터신호를포함하는제3 광을반사시키는제1 필터를구비하는제2 광선로, 제2 광선로의하부에연결되고, 제1 필터와수직하게배치되며제2 광을투과하여광섬유로전달하고광섬유로부터수신되는데이터신호를포함하는제3 광을반사시키는제2 필터를구비하여광섬유로부터수신되는제3 광을수신하는제3 광선로를포함한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种光收发机嵌入式光子组件（OSA），其中监视光通信线路的状态的光时域反射计（OTDR）被集成到作为光通信模块的OSA中，以监视条件 的光线。 本发明的目的是提供一种能够稳定无源元件对准并优化操作特性的光收发器嵌入式OSA。 根据本发明的光收发器嵌入式OSA包括：第一光线路，用于将用于监视的第一光发送到光纤，并且包括分离器单元，用于分割和接收从光纤向后散射的反射光，以接收 从光纤向后散射的反射光; 连接到第一光线路的一侧并且设置有沿着第一光的方向垂直于分光器单元设置的第一滤光器的第二光线将第一光透过，将第一光转印到光纤上， 并且反射包含传输到光纤的数据信号的第二光和包含从光纤接收的数据信号的第三光; 以及连接到第二光线路的下部并且设置有与第一滤光器垂直布置的第二滤光器的第三光线，将第二光透过，将第二光转印到光纤上，并将第三光 包含从光纤接收的数据信号以接收从光纤接收的第三光。
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公开(公告)号：KR101517808B1
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：KR1020130167983
申请日：2013-12-31
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: 크랙감소를위한실리콘기판위 GaN 성장방법이개시된다. 본발명의일 실시예에따른실리콘기판위 GaN 성장방법은분자선에피탁시장치의성장챔버를통하여 N 플럭스과잉상태의금속 N 화합물을기판에증착시켜제1 금속 N 화합물층을형성시키는 1단계; 제1 금속 N 화합물층상에금속플럭스과잉상태의금속 N 화합물을증착시켜제2 금속 N 화합물층을형성시키는 2단계; 제2 금속 N 화합물층상에마그네슘(Mg)이도핑되고 N 플럭스과잉상태의 GaN을증착시켜제1 GaN층을형성시키는 3단계; 및제1 GaN층상에 Ga 플럭스과잉상태의 GaN을증착시켜제2 GaN층을형성시키는 4단계를포함한다.
Abstract translation: 公开了一种在Si衬底上生长GaN以减少裂纹的方法。 根据本发明实施例的在Si衬底上生长GaN的方法包括：第一步骤，通过分子束外延装置的生长室在衬底上沉积N磁通剩余状态的金属N复合物，并形成第一 金属N复合层; 在所述第一金属N复合层上沉积金属助焊剂剩余态的N复合物并形成第二金属N复合层的第二步骤; 第三步骤，用Mg掺杂第二金属N复合层，沉积N磁通剩余状态的GaN，并形成第一GaN层; 以及在所述第一GaN层上沉积Ga通量剩余状态的GaN并形成第二GaN层的第四步骤。
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公开(公告)号：KR101220284B1
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：KR1020100135342
申请日：2010-12-27
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: 본 발명은 분자진단기용 광모듈 패키지를 개시한다. 본 발명은, 발광소자와, 상기 발광소자로부터 방출되는 빛을 안내하는 광도파로와, 상기 광도파로와 소정간격 이격되어 배치되고, 상기 광도파로에서 방출되어 시료를 통과한 빛의 흡광 특성을 측정하는 흡광센서를 포함한다.
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公开(公告)号：KR101094067B1
公开(公告)日：2011-12-15
申请号：KR1020090090863
申请日：2009-09-25
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: 본 발명은 3.5GHz WiMAX에 적용되는 고효율을 갖는 클래스 F 및 인버스 클래스 F 도허티 증폭기에 관한 것이다. 본 발명의 도허티 증폭기는 메인 증폭기; 하나 이상의 피킹 증폭기; 입력되는 RF 신호를 상기 메인 증폭기 및 상기 하나 이상의 피킹 증폭기 각각에 비대칭 분배하기 위한 비대칭 전력 분배기; 메인 증폭기 및 하나 이상의 피킹 증폭기의 입력단들 및 상기 비대칭 전력 분배기의 출력단 사이에 연결되어 상기 메인 증폭기 및 상기 하나 이상의 피킹 증폭기의 입력 임피던스를 메칭시키기 위한 입력 정합부; 상기 메인 증폭기 및 상기 하나 이상의 피킹 증폭기 각각에 의해 증폭된 RF 신호의 2차 및 3차 하모닉을 쇼트 또는 오픈시키기 위한 하모닉 제어 회로부; 상기 하모닉 제어 회로부의 출력단에 연결되어, 상기 메인 증폭기 및 상기 하나 이상의 피킹 증폭기 각각의 출력 임피던스를 매칭시키기 위한 출력 정합부; 및 상기 출력 매칭부의 출력단에 연결되어 도허티 동작을 위한 제 1 및 제 2 1/4 파장 전송 라인들을 포함한다.
도허티, 클래스 F, 하모닉, 제어, 인버스 클래스 Ｆ-
公开(公告)号：KR101001193B1
公开(公告)日：2010-12-15
申请号：KR1020080094251
申请日：2008-09-25
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: 본 발명은 수발광 일체형 소자에 관한 것으로, 보다 자세하게는 수광소자와 발광소자를 모노리틱(monolithic)하게 형성하여 콤팩트한 모듈이 가능하며, 특정 파장에 대한 선택도(selectivity)를 높일 수 있는 결합공동(coupled cavity) 구조의 수발광 일체형 소자, 이를 이용한 2D 어레이(array) 모듈 및 패키지에 관한 것이다.
본 발명의 수발광 일체형 소자는 기판, 상기 기판 하부에 형성되는 제1DBR층, 상기 기판 상부에 형성되며 발광소자의 전극이 형성될 요부와 그 밖의 철부를 가지는 제1반도체층, 상기 제1반도체층의 요부에 형성되는 제1전극층, 상기 제1반도체층의 철부 중 제1전극층 사이의 영역에 형성되어 발광영역을 정의하는 제1반사전극층, 상기 제1반도체층의 철부 중 제1전극층과 제1반사전극층이 존재하지 않는 영역에 형성되는 제2DBR층, 상기 제2DBR층 상부에 형성되며 요부와 철부를 갖는 제2반도체층, 상기 제2반도체층의 요부에 형성되는 제2전극층 및 상기 제2반도체층의 철부에 형성되어 수광영역을 정의하는 제2반사전극층을 포함함에 기술적 특징이 있다.
수발광, 일체, 결합공동(coupled cavity), DBR(Distributed Bragg Reflector), 반사전극층, 플립칩-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020100096943A
公开(公告)日：2010-09-02
申请号：KR1020090016048
申请日：2009-02-25
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L29/778
CPC classification number: H01L29/7783 , H01L29/66462
Abstract: PURPOSE: A transistor having a heat dissipation structure is provided to maintain good characteristics of a device by efficiently dissipating heat to the outside. CONSTITUTION: A substrate(10) has a front side and a back side. Multiple nitride layers(12, 14, 16, 18, 19) are formed on the front side of the substrate. A source electrode(31), a gate electrode(33), and a drain electrode(35) are formed on the multiple nitride layers. The dissipation structure includes a cooling groove(41) and a radiation layer.
Abstract translation: 目的：提供具有散热结构的晶体管，以通过有效地将热量散发到外部来保持器件的良好特性。 构成：衬底（10）具有前侧和后侧。 多个氮化物层（12,14,16,18,19）形成在衬底的正面上。 在多个氮化物层上形成源电极（31），栅电极（33）和漏电极（35）。 散热结构包括冷却槽（41）和辐射层。
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公开(公告)号：KR1020100071542A
公开(公告)日：2010-06-29
申请号：KR1020080130305
申请日：2008-12-19
IPC: H01L33/60
Abstract: PURPOSE: An LED package including a lens and a mirror is provided to improve linearity of light and extraction efficiency of light by comprising the lens and the mirror on the upper side and the lateral side of the LED. CONSTITUTION: An LED with an active mesa layer and an electrode is located on a substrate. The lens is attached to the upper side of the LED. The mirror is formed on the lateral side of the LED. The mirror reflects the light emitted from the lateral side of the active mesa layer to the lens direction. The lens is a fresnel lens or aspheric lens.
Abstract translation: 目的：提供包括透镜和反射镜的LED封装，以通过在LED的上侧和外侧上包括透镜和反射镜来提高光的线性和光的提取效率。 构成：具有活性台面层和电极的LED位于基板上。 镜头连接到LED的上侧。 镜子形成在LED的侧面。 反射镜将从活性台面层的侧面发射到透镜方向的光反射。 透镜是菲涅尔透镜或非球面透镜。
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公开(公告)号：KR1020100034980A
公开(公告)日：2010-04-02
申请号：KR1020080094241
申请日：2008-09-25
Applicant: 전자부품연구원
Abstract: PURPOSE: A receiving light emitter monolithic device forms to be monolithic the light receiving element and emitting device. The module which is compact is constituted. CONSTITUTION: A first electrode layer(202) and the first N type semiconductor layer are respectively formed in the lower part and top of the substrate(200). The first p-type semiconductor layer is formed on the top of the first N type semiconductor layer. The light emission region defined on the top of the first p-type semiconductor layer with the second electrode layer(208). The second N type semiconductor layer is formed on the top of the first p-type semiconductor layer.
Abstract translation: 目的：接收光发射体单片装置形成为光接收元件和发射装置的单片。 构成紧凑的模块。 构成：在基板（200）的下部和顶部分别形成第一电极层（202）和第一N型半导体层。 第一p型半导体层形成在第一N型半导体层的顶部。 限定在具有第二电极层（208）的第一p型半导体层的顶部上的发光区域。 第二N型半导体层形成在第一p型半导体层的顶部。
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公开(公告)号：KR1020090092057A
公开(公告)日：2009-08-31
申请号：KR1020080017334
申请日：2008-02-26
Applicant: 전자부품연구원
CPC classification number: H03F1/565 , H01G7/06 , H03F1/0288 , H03F1/32 , H03H7/38
Abstract: An amplifier including a tunable matching network is provided to minimize an amplifier package by providing a tunable matching network using an inductor of a bond wire form and a tunable capacitor using ferroelectric inside a package. A first inductor(210) is formed with a bond wire form. An input port and a transistor function as both pads of the first inductor. A tunable capacitor(240) is formed by laminating ferroelectric on a package substrate. If an external bias voltage is applied, a dielectric constant of the ferroelectric is changed. A second inductor(230) is formed with a bond wire form. The tunable capacitor and the transistor function as both pads of the second inductor. An output port(400) is formed by laminating a conductor pattern on the ferroelectric. One surface of the output port is connected to an output part. A third inductor is formed with a bond wire form. The tunable capacitor and the output port function as both pads of the third inductor. The ferroelectric has high dielectric constant and low dielectric loss property at a high frequency domain.
Abstract translation: 提供了包括可调匹配网络的放大器，以通过使用键合线形式的电感器和在封装内使用铁电体的可调电容器提供可调谐匹配网络来最小化放大器封装。 第一电感器（210）形成有接合线形式。 输入端口和晶体管用作第一电感器的两个焊盘。 可变电容器（240）通过在封装衬底上堆叠铁电体而形成。 如果施加外部偏置电压，则铁电体的介电常数发生变化。 第二电感器（230）形成有接合线形式。 可调电容器和晶体管用作第二电感器的两个焊盘。 通过在铁电体上层叠导体图案形成输出端口（400）。 输出端口的一个表面连接到输出部分。 第三电感器形成有接合线形式。 可调电容器和输出端口用作第三电感器的两个焊盘。 铁电体在高频区具有高介电常数和低介电损耗特性。
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公开(公告)号：KR100894810B1
公开(公告)日：2009-04-24
申请号：KR1020070095067
申请日：2007-09-19
Applicant: 전자부품연구원
IPC: H01L29/778
Abstract: 본 발명은 고전자 이동도 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것으로, 보다 자세하게는 질화물을 이용한 트랜지스터를 제조함에 있어서 소자 분리방법을 개선시켜 낮은 누설전류를 가지며 높은 동작전류를 갖는 고전자 이동도 트랜지스터 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명의 고전자 이동도 트랜지스터는 기판 상부에 형성된 제1 버퍼층; 상기 제1 버퍼층 상부에 형성되고 소자가 형성되지 않을 영역의 상기 제1 버퍼층 일부가 노출되도록 패터닝된 제1 산화물층; 상기 제1 산화층 상부에 형성된 제2 버퍼층; 상기 제2 버퍼층 상부에 형성된 2DEG층; 상기 2DEG층 상부에 형성된 장벽층; 및 상기 장벽층 상부에 형성된 소스, 드레인 및 게이트 전극을 포함함에 기술적 특징이 있다.
고전자 이동도 트랜지스터(HEMT), 질화물, 아이솔레이션, 산화물층Abstract translation: 本发明，并且该晶体管的电子迁移率和制造方法，并且更特别地，使用氮化物，以提高生产的晶体管的器件隔离方法的方法，并具有低的漏电流和电子迁移率具有高的工作电流，也晶体管和 及其制造方法。
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