公开(公告)号：KR1020170127391A

公开(公告)日：2017-11-21

申请号：KR1020170148022

申请日：2017-11-08

Applicant: 주성엔지니어링(주)

Inventor： 허승회 ,  한정훈

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67 ,  H01L21/3065 ,  H01J37/32

Abstract: 본발명은플라즈마를분사하는공간과소스가스를분사하는공간을분리하여박막물질의균일도를증가시키고박막물질의막질제어를용이하게할 수있도록한 기판처리장치및 기판처리방법에관한것으로, 본발명에따른기판처리장치는공정챔버; 상기공정챔버에회전가능하게설치되어복수의기판을지지하는기판지지부; 상기기판지지부에대향되도록상기공정챔버의상부를덮는챔버리드; 및상기챔버리드에일정한간격으로설치된복수의전극모듈을이용해상기각 기판상에소스가스(Source Gas)와반응가스가서로분리되도록분사하여상기복수의기판상에박막물질을증착하는전극부를포함하여구성되고, 상기복수의전극모듈각각은상기기판상에반응가스를분사하기위한적어도하나의반응가스분사공간, 및상기반응가스분사공간과공간적으로분리되어상기기판상에소스가스를분사하기위한적어도하나의소스가스분사공간을포함하여구성하여구성될수 있다.

公开(公告)号：KR101503512B1

公开(公告)日：2015-03-18

申请号：KR1020110141796

申请日：2011-12-23

Applicant: 주성엔지니어링(주)

Inventor： 허승회 ,  한정훈

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/205

CPC classification number: H01L21/68764 ,  B05D3/044 ,  C23C16/509 ,  H01J37/32366 ,  H01J37/3244 ,  H01J37/32449 ,  H01J37/3255 ,  H01J37/32568 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32733 ,  H01J37/32752 ,  H01L21/02 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/68771

Abstract: 본 발명은 플라즈마 공간과 소스 가스 분사 공간을 분리하여 박막 물질의 균일도를 증가시키고 박막 물질의 막질 제어를 용이하게 할 수 있도록 한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 공정 챔버; 상기 공정 챔버에 설치되어 기판을 지지하는 기판 지지부; 및 상기 기판 상에 플라즈마를 분출시키기 위한 플라즈마 형성 공간과 상기 기판 상에 소스 가스(Source Gas)를 분사하기 위한 소스 가스 분사 공간이 분리되도록 형성되어 상기 기판 지지부의 상부에 배치된 전극부를 포함하여 구성될 수 있다.

Abstract translation: 本发明涉及一种等离子体空间和基板处理装置和基板处理方法，以提高膜材料的均匀性的源气体喷射空间分离，并促进薄膜材料的薄膜的质量控制，根据本发明的基板处理装置 处理室; 衬底支撑件，设置在处理室中并支撑衬底; 以及电极部分，其形成在基板支撑部分上以分离用于在基板上喷射等离子体的等离子体形成空间和用于在基板上喷射源气体的源气体喷射空间， 它可以是。

公开(公告)号：KR1020130142418A

公开(公告)日：2013-12-30

申请号：KR1020120065622

申请日：2012-06-19

Applicant: 주성엔지니어링(주)

Inventor： 한정훈 ,  황철주 ,  서승훈 ,  이상돈

IPC: H01L21/205

Abstract: The present invention includes a process chamber; a substrate support part rotating in a predetermined direction and installed in the process chamber to support at least one substrate; a chamber lid covering the upper part of the process chamber and facing the substrate support part; and a gas injection part comprising gas injection modules for injecting a gas onto the substrate and connected to the chamber lid. At this time, the gas injection module has a tilt structure where the center part of the substrate support part is higher than the edge of the substrate support part.

Abstract translation: 本发明包括处理室; 基板支撑部分，其沿预定方向旋转并安装在所述处理室中以支撑至少一个基板; 覆盖处理室的上部并面向基板支撑部的室盖; 以及气体注入部，其包括气体注入模块，用于将气体注入到所述基板上并连接到所述室盖。 此时，气体注入模块具有倾斜结构，其中基板支撑部分的中心部分高​​于基板支撑部分的边缘。

公开(公告)号：KR1020130137328A

公开(公告)日：2013-12-17

申请号：KR1020120060810

申请日：2012-06-07

Applicant: 주성엔지니어링(주)

Inventor： 한정훈 ,  서승훈 ,  이상돈 ,  황철주

IPC: H01L21/205

Abstract: The present invention relates to a device and a method for processing a substrate for improving the deposition uniformity of a thin film deposited at the substrate comprising a processing chamber providing a processing space; a substrate supporting part mounted at the inside of the processing chamber for supporting at least one substrate; a driving part rotating the substrate supporting part in a particular direction; a chamber lid covering the upper part of the processing chamber to face the substrate supporting part; a gas spraying part being mounted at the chamber lid to partially face the substrate supporting part for partially spraying processing gas on the substrate supporting part; and a first pumping part formed at the center part of the substrate supporting part for pumping the processing gas to outside.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于处理衬底的装置和方法，用于改善沉积在衬底上的薄膜的沉积均匀性，该衬底包括提供处理空间的处理室; 安装在所述处理室内部的用于支撑至少一个基板的基板支撑部; 驱动部，沿着特定方向旋转所述基板支撑部; 覆盖处理室的上部以与基板支撑部分相对的室盖; 安装在所述室盖处的气体喷射部分以部分地面对所述基板支撑部分，以在所述基板支撑部分上部分地喷射处理气体; 以及第一泵送部，形成在所述基板支撑部的中央部，用于将所述处理气体泵送到外部。

公开(公告)号：KR1020130080370A

公开(公告)日：2013-07-12

申请号：KR1020120001237

申请日：2012-01-04

Applicant: 주성엔지니어링(주)

Inventor： 허승회 ,  한정훈

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/509 ,  C23C16/4408 ,  C23C16/45574 ,  H01L21/02274

Abstract: PURPOSE: A substrate processing apparatus and a substrate processing method are provided to increase the uniformity of a thin film material by separating a plasma spray space from a source gas spray space. CONSTITUTION: A substrate support unit (620) is installed in a processing chamber (610) and supports a plurality of substrates. A chamber lid (615) covers the upper side of the processing chamber to face the substrate support unit. Electrode parts (630) are inserted into first to fourth electrode module insertion units. The electrode parts spray reactive gases and source gases processed with plasma on the substrates. A plurality of modules (630a-630d) are regularly installed on the chamber lid.

Abstract translation: 目的：提供一种基板处理装置和基板处理方法，通过从源气体喷射空间分离等离子体喷涂空间来提高薄膜材料的均匀性。 构成：衬底支撑单元（620）安装在处理室（610）中并支撑多个衬底。 室盖（615）覆盖处理室的上侧以面对基板支撑单元。 电极部件（630）插入到第一至第四电极模块插入单元中。 电极部分喷射在基板上用等离子体处理的反应气体和源气体。 多个模块（630a-630d）被规则地安装在室盖上。

公开(公告)号：KR101197019B1

公开(公告)日：2012-11-06

申请号：KR1020060054032

申请日：2006-06-15

Applicant: 주성엔지니어링(주)

Inventor： 한정훈 ,  손종원 ,  유진혁

IPC: H01L21/205

Abstract: 본 발명은, 갭이 형성된 기판을 챔버 내부의 기판안치대에 안치시키는 단계; 상기 챔버 내부로 비반응성 가스를 공급하고, 소스RF전력을 인가하여 상기 기판 상부의 반응공간에 플라즈마를 발생시키는 단계; 상기 반응공간에 증착용 공정가스를 공급하고, 바이어스 RF전력을 펄스RF로 변환하여 상기 기판안치대에 인가하는 단계; 상기 공정가스의 공급과 상기 바이어스 RF전력의 인가를 차단하는 단계; 상기 반응공간의 플라즈마를 소멸시키는 단계;를 포함하는 갭필(Gap-fill) 방법 및 이를 위한 갭필 장치에 관한 것이다.
본 발명에 따르면, 갭필 공정에서 바이어스 RF전력을 펄스RF로 변환하여 공급함으로써 갭의 개구부로 입사하는 이온의 에너지 및 분압을 주기적 제어할 수 있다. 따라서 증착 및 식각에 기여하고 발생한 부산물이 재증착되지 않고 주기적으로 갭 외부로 원활하게 빠져나갈 수 있게 되어 갭필특성을 크게 향상시킬 수 있다.
갭필, HDP CVD, 펄스

公开(公告)号：KR101002940B1

公开(公告)日：2010-12-21

申请号：KR1020030056761

申请日：2003-08-18

Applicant: 주성엔지니어링(주)

Inventor： 정순빈 ,  한정훈

IPC: H01L21/02

Abstract: 본 발명은 공정 챔버 몸체의 냉각 또는 가열을 위해 냉각제 또는 히팅액이 통과하는 유체경로에 관한 것으로서, 공정 챔버 몸체 외부 벽을 따라 하나 이상의 요홈을 형성하는 단계와, 상기 요홈에 파이프를 삽입하는 단계와, 상기 파이프 상단에 인서트를 삽입하는 단계와, 상기 인서트 상단에 인서트 지지재를 삽입하는 단계를 포함하는, 공정 챔버 몸체 벽에 유체경로를 형성하는 방법을 제공한다.
본 발명에 의하면 공정 챔버 몸체가 냉각제 또는 히팅액에 의해 부식되는 것을 사전에 방지할 수 있게 되며, 유체경로의 보수를 파이프의 간단한 교체만으로 가능하게 하므로, 전체 장비의 유지 관리비용을 획기적으로 줄일 수 있게 해준다.

유체경로, 냉각 라인, 히팅 라인, 공정챔버

公开(公告)号：KR1020080112619A

公开(公告)日：2008-12-26

申请号：KR1020070061231

申请日：2007-06-21

Applicant: 주성엔지니어링(주)

Inventor： 한정훈

IPC: H01L21/205

CPC classification number: C23C16/517 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32165

Abstract: A thin film plating method using high density plasma chemical vapor deposition is provided to generate plasma in low pressure by high frequency and generate high density plasma by low frequency as a radio frequency source power and a low frequency source power are respectively divided and provided. A layer deposition method comprises: a step for leading a semiconductor substrate(10) having gap within a chamber(100); a step for supplying process gas into the chamber and making the process gas plasmic by providing a radio frequency source power(141) and a low frequency source power(151); a step for reclaiming gap by using the plasmalyzed process gas; and a step for drawing the semiconductor substrate in which a gap is reclaimed out to the chamber outer side.

Abstract translation: 提供了使用高密度等离子体化学气相沉积的薄膜电镀方法，以高频率产生低压等离子体，并分别提供低频源功率和低频源功率，并通过低频产生高密度等离子体。 层沉积方法包括：引导在室（100）内具有间隙的半导体衬底（10）的步骤; 通过提供射频源功率（141）和低频源功率（151）将处理气体供应到室中并使处理气体等离子体的步骤; 通过使用等离子体处理气体回收间隙的步骤; 以及将间隙回收到室外侧的半导体基板的拉制工序。

公开(公告)号：KR1020060124879A

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：KR1020050044469

申请日：2005-05-26

Applicant: 주성엔지니어링(주)

Inventor： 유진혁 ,  한정훈

IPC: C23C16/44

Abstract: A thin film deposition method that can fill up a device separation space which is formed by submicron critical dimension with an insulating film without an empty space by combining a deposition technology using high density plasma with an atomic layer deposition technology is provided. A method of depositing a thin film comprises the steps of: preparing a semiconductor substrate(110) on which a first trench is formed; depositing a first insulating film(116) on the substrate to fill up a portion of the first trench and form a second trench with shorter width and depth than the first trench; and depositing a second insulating film(118) on the first insulating film through an atomic layer deposition process to fill up the second trench. The first insulating film is formed by a chemical vapor deposition process using plasma, and the plasma has an electron ion density of 10^11 electron ions/cm^3 or more in the chemical vapor deposition process using plasma. The plasma is formed by supplying a high frequency power source of 2 to 60MHz in the chemical vapor deposition process using plasma.

Abstract translation: 提供一种薄膜沉积方法，其可以通过使用高密度等离子体的沉积技术与原子层沉积技术组合来填充由亚微米临界尺寸形成的器件分离空间，其中绝缘膜不具有空白空间。 沉积薄膜的方法包括以下步骤：制备其上形成有第一沟槽的半导体衬底（110）; 在衬底上沉积第一绝缘膜（116）以填充第一沟槽的一部分并形成具有比第一沟槽更短的宽度和深度的第二沟槽; 以及通过原子层沉积工艺在第一绝缘膜上沉积第二绝缘膜（118）以填充第二沟槽。 第一绝缘膜通过使用等离子体的化学气相沉积法形成，并且等离子体在使用等离子体的化学气相沉积工艺中具有10 11电子离子/ cm 3或更大的电子离子密度。 通过在使用等离子体的化学气相沉积工艺中提供2至60MHz的高频电源来形成等离子体。

公开(公告)号：KR1020060003490A

公开(公告)日：2006-01-11

申请号：KR1020040052389

申请日：2004-07-06

Applicant: 주성엔지니어링(주)

Inventor： 한정훈 ,  김철식 ,  이용현

IPC: H01L21/68

Abstract: 본 발명은 반도체 제조 장치의 웨이퍼 고정용 정전척에 관한 것으로, 유전체 판, 쿨링 판 및 상기 유전체 판과 쿨링 판간을 결합시키기 위한 접속막을 포함하는 정전척에 있어서, 상기 유전체 판의 가장자리 영역이 굴절된다. 여기서, 웨이퍼가 파지되는 상기 유전체 판의 상부 가장자리 영역이 굴절되거나, 상기 유전체 판과 상기 쿨링 판이 결합하는 면의 가장자리 영역이 굴절될 수 있다. 이와같이 정전척의 세라믹 판과 쿨링 판을 결합시키는 인듐막의 가장자리에 소정의 경로차를 주어 외부의 플라즈마에 의한 인듐막의 손상을 방지할 수 있고, O-링의 제거하여 O-링으로 인한 접속면 사이의 간격을 제거하여 접촉을 향상시킬 수 있으며, 세라믹판 및 쿨링판의 바깥쪽 공간을 5mm이하로 줄일 수 있고, 이로인해 본딩영역을 더 넓게 할 수 있으며, 정전척의 수명을 늘릴 수 있다.
정전척, 경로차, 인듐막, 세라믹 판, 쿨링 판, 챔버, 웨이퍼