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公开(公告)号：KR1020130097903A
公开(公告)日：2013-09-04
申请号：KR1020120019546
申请日：2012-02-27
Applicant: 중앙대학교 산학협력단
IPC: C07F7/22 , H01L31/042 , C23C16/18
CPC classification number: Y02E10/50 , C07F7/2284 , C23C16/305 , H01L31/0392
Abstract: 본발명은하기화학식 1의구조를포함하는전구체및 이를이용한황화주석박막의제조방법에관한것이다. [화학식 1]화학식 1에서, R, 및 R는독립적으로, 수소또는탄소수 1 내지 4의알킬기이다.
Abstract translation: 目的：提供含有前体的硫化锡薄膜，通过化学气相沉积法获得单相的高纯度硫化锡。 构成：用于形成锡硫化物薄膜的前体包含化学式1的结构。前体具有不对称结构。 制备硫化锡薄膜的方法包括进行前体沉积并形成薄膜的步骤。 沉积是化学气相沉积。
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公开(公告)号：KR101125226B1
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：KR1020090014090
申请日：2009-02-19
Applicant: 중앙대학교 산학협력단 , 서울대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 금속 산화물 및 리튬계 나노입자의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에서는 다중기포 음파발광을 이용하여 목적하는 크기의 균일한 나노입자를 온화한 조건 하에서 단시간 안에 제조할 수 있으며, 또한 이와 같이 제조된 나노입자 상에 또 다른 나노물질의 균일한 코팅층을 효율적으로 형성할 수 있다는 이점이 있다. 이에 따라 본 발명에서는 금속 산화물 나노입자 또는 리튬계 나노입자를 효과적으로 제조할 수 있으며, 이러한 제조 방법은 높은 재현성을 가지고, 또한 추가적인 첨가제 등의 사용도 불필요하다는 이점을 가진다.
다중기포 음파발광, 초음파, 금속 산화물 나노입자, 리튬계 나노입자, 화학전지-
公开(公告)号：KR1020100037320A
公开(公告)日：2010-04-09
申请号：KR1020080096584
申请日：2008-10-01
Applicant: 중앙대학교 산학협력단 , 서울대학교산학협력단
Abstract: PURPOSE: A manufacturing method of a highly pure CuInSe2 thin film and a CuInSe2 thin film for a solar cell manufactured by the same are provided to manufacture a thin film which has a fixed composition ratio despite evaporation under an argon state and a vacuum. CONSTITUTION: A manufacturing method of a highly pure CuInSe2 thin film comprises following steps. A copper foil is formed on a substrate by depositing asymmetry copper precursor under an argon state and a vacuum through a chemical vapor deposition process. The asymmetry copper precursor including indium-selenium is continuously deposited under a mild condition of 350~450°C temperature in the argon state and a vacuum. The continuous deposition process is enabled over 40 minutes.
Abstract translation: 目的：提供一种高纯度CuInSe 2薄膜和由其制造的太阳能电池用CuInSe 2薄膜的制造方法，以制造即使在氩气和真空下蒸发也具有固定组成比的薄膜。 构成：高纯度CuInSe 2薄膜的制造方法包括以下步骤。 通过在氩气状态和真空下通过化学气相沉积工艺沉积不对称铜前体，在基底上形成铜箔。 包括铟硒在内的不对称铜前体在350〜450℃的温度条件下在氩气和真空下连续沉积。 连续沉积工艺可在40分钟以上使用。
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公开(公告)号：KR101540032B1
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：KR1020120019546
申请日：2012-02-27
Applicant: 중앙대학교 산학협력단
IPC: C07F7/22 , H01L31/042 , C23C16/18
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 본발명은하기화학식 1의구조를포함하는전구체및 이를이용한황화주석박막의제조방법에관한것이다. [화학식 1]화학식 1에서, R, 및 R는독립적으로, 수소또는탄소수 1 내지 4의알킬기이다.
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15.发明公开다중기포 음파발광 조건에서 초음파 발광법을 이용하여 Ⅱ 내지 Ⅵ 족 반도체 양자점 또는 나노입자를 제조하는 방법 및 상기 양자점 또는 나노입자의 크기를 제어하는 방법 有权通过多泡发光条件下通过声化学方法制备II至VI族半导体化合物量子点或纳米材料的方法，以及用于控制量子点或纳米粒子尺寸的方法
公开(公告)号：KR1020120117086A
公开(公告)日：2012-10-24
申请号：KR1020110034610
申请日：2011-04-14
Applicant: 중앙대학교 산학협력단
IPC: H01L21/20
Abstract: PURPOSE: A manufacturing method for II to VI group semiconductor quantum dots or nano particles through a sonochemical method under multi-bubble sonoluminescence conditions and a method for controlling size of the quantum dots or the nano particles are provided to control size of the quantum dots or the nano particles by controlling the sonoluminescence conditions or plastic conditions. CONSTITUTION: A mixture of II to VI group semiconductor precursors, a dispersant, and a surfactant are manufactured in a polar or nonpolar solvent. Semiconductor quantum dots are manufactured by processing the mixture with ultrasonic waves under a multi-bubble sonoluminescence condition. The II to VI group semiconductor precursors include Cd(cadmium)Cl2(chlorine gas) and Te(tellurium) or Se(selenium) powder.
Abstract translation: 目的：提供在多气泡声发光条件下通过声化学方法制备II至VI族半导体量子点或纳米颗粒的制造方法以及用于控制量子点或纳米颗粒尺寸的方法以控制量子点的尺寸或 通过控制纳米颗粒的发光条件或塑料条件。 构成：在极性或非极性溶剂中制备II至VI族半导体前体，分散剂和表面活性剂的混合物。 通过在多气泡声发光条件下用超声波处理混合物来制造半导体量子点。 II至VI族半导体前体包括Cd（镉）Cl 2（氯气）和Te（碲）或Se（硒）粉末。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101062398B1
公开(公告)日：2011-09-05
申请号：KR1020080096584
申请日：2008-10-01
Applicant: 중앙대학교 산학협력단 , 서울대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 비대칭 구조를 갖는 구리 전구체를 화학증기증착법으로 증착하여 기판 상에 구리 박막을 제조한 후, 상기 구리 박막이 형성된 기판에 인듐-셀레늄을 포함하는 비대칭 전구체를 온화한 온도 및 시간 조건 하에서 연속 증착하여, 구리: 인듐: 셀레늄의 비율이 1:1:2를 충족하는 단일상의 고순도 CuInSe
2 박막의 제조방법 및 그로부터 제조된 CuInSe
2 박막에 관한 것이다.
본 발명의 제조방법은 비대칭 전구체를 이용하고 화학증기증착법으로 증착함으로써, 종래보다 상대적으로 낮은 온도 및 단축된 시간 내에 조성의 변화 없이 일정하고, 불순물의 유입없이 고순도의 CuInSe
2 박막을 제조할 수 있으며, 제조된 고순도의 CuInSe
2 박막은 태양전지의 광흡수 박막층, 양자점 또는 LED 박막분야에 유용하게 적용될 수 있다. 나아가, 본 발명의 고순도의 CuInSe
2 박막은 초박막 광흡수층 태양전지(Extremely Thin Absorber layer Solar cells, ETA Solar Cells) 분야에 활용할 수 있다.
화학증기증착법, 비대칭 구리전구체, 인듐, 셀레늄, 태양전지소자-
公开(公告)号：KR1020100138483A
公开(公告)日：2010-12-31
申请号：KR1020090057036
申请日：2009-06-25
Applicant: 중앙대학교 산학협력단 , 서울대학교산학협력단
CPC classification number: H01L31/0322 , H01L21/02568 , H01L21/02601 , H01L21/02628 , Y02E10/541 , Y02P70/521
Abstract: PURPOSE: A producing method of a chalcopyrite particle, and a solar battery including thereof are provided to effectively produce the nano-sized chalcopyrite particle without using a toxic additive. CONSTITUTION: A producing method of a chalcopyrite particle comprises the following steps: reacting a copper particle(1), an aluminum family element, and a chalcogen compound, by maintaining a reactor in a multi-bubble sonoluminescence state; and heat-processing the obtained reactant. The multi-bubble sonoluminescence state is formed by maintaining the temperature of 10~50deg C and the pressure of 1~4atm, and applying an ultrasonic wave.
Abstract translation: 目的：提供黄铜矿颗粒的制造方法以及包含其的太阳能电池，以有效地制造纳米级黄铜矿颗粒而不使用有毒添加剂。 构成：黄铜矿颗粒的制备方法包括以下步骤：通过将反应器保持在多气泡声发光状态使铜颗粒（1），铝族元素和硫属化合物反应; 并对所得到的反应物进行热处理。 通过保持10〜50℃的温度和1〜4atm的压力，并施加超声波形成多气泡发声状态。
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公开(公告)号：KR1020170069134A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：KR1020160111072
申请日：2016-08-30
Applicant: 삼성전자주식회사
Abstract: 개시된일 실시예에따른영상의디스플레이를위해소모되는전력을감소시키기위한영상처리장치는, 디스플레이될 영상데이터를입력받는입력부, 영상데이터의일부에대한명도(luminance), 해상도(resolution), 및정밀도(precision) 중적어도하나를조정하여출력픽셀값을획득하는적어도하나이상의프로세서, 및획득된출력픽셀값을포함하는영상데이터를출력하는출력부를포함하는것을특징으로할 수있다.
Abstract translation: 根据本发明的实施例，一种用于减少显示图像所消耗的功率的图像处理装置包括：输入单元，用于接收要显示的图像数据，图像数据的一部分的亮度，分辨率和精度; 以及至少一个处理器，用于调整所述多个精度值中的一个以获得输出像素值，以及输出单元，用于输出包括所获得的输出像素值的图像数据。
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公开(公告)号：KR101535231B1
公开(公告)日：2015-07-08
申请号：KR1020090107516
申请日：2009-11-09
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: G01R31/3177 , G01R31/3181 , G11C29/00
CPC classification number: G11C29/56 , G11C2029/5606 , H05K1/0295 , H05K2201/10159 , H05K2201/10325 , H05K2203/162
Abstract: 실시간으로신호를캡쳐하여저장장치에저장할수 있는신호캡쳐시스템및 이를포함하는테스트장치에관해개시한다. 이를위해본 발명은, 인쇄회로기판, 상기인쇄회로기판과연결되고, 기준메모리컴포넌트를탑재하는소켓, 및상기인쇄회로기판에탑재되고, 상기소켓, 외부장치및 저장장치와연결되며, 상기기준메모리컴포넌트의제 1 신호들을수신하여상기외부장치및 상기저장장치로송신하며, 상기외부장치의제 2 신호들을수신하여상기기준메모리컴포넌트및 상기저장장치로송신하는인터포저를포함하고, 상기소켓의형상은상기기준메모리컴포넌트의종류에따라정의되는것을특징으로한다.
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公开(公告)号：KR101493045B1
公开(公告)日：2015-02-16
申请号：KR1020080110594
申请日：2008-11-07
Applicant: 삼성전자주식회사
IPC: H01R33/76
CPC classification number: G01R31/2886 , G01R1/0408
Abstract: 본 발명은 반도체 칩 테스트용 커넥팅 유닛을 제공한다. 상기 반도체 칩 테스트용 커넥팅 유닛은 일정의 패턴의 전기적 접속 단자들을 갖는 반도체 칩이 안착되며, 다수의 홀들이 형성되는 다수의 커넥터들과, 상기 전기적 접속 단자들을 외부로 통전 시키는 케이블들과, 상기 케이블들을 상기 홀들을 통하여 상기 전기적 접속 단자들과 선택적으로 연결시키는 결합부를 포함한다. 또한, 본 발명은 상기 반도체 칩 테스트용 커넥팅 유닛 및 이를 갖는 반도체 칩 테스트 장치도 제공함으로써, 양한 패턴의 전기적 접속 단자들을 갖는 반도체 칩들에 대하여 전기적 테스트를 수행함과 아울러 반도체 칩들을 트레이에 한 번에 수납시키도록 할 수 있다.
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