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公开(公告)号：KR1020090002348A
公开(公告)日：2009-01-09
申请号：KR1020070064063
申请日：2007-06-28
Applicant: 충남대학교산학협력단 , (주) 케이엠씨 테크놀러지
IPC: H01C7/00
CPC classification number: H01C7/006 , H01C17/075
Abstract: The Ti (N) film resistor evaporated in the AlN(Aluminum Nitride) of the substrate and the attenuator using the same are provided to rapidly process massive data by using the frequency band of 5.7 GHz. The film resistor comprises the AlN substrate, and the Ti(N) amorphous interfacial layer and Ti(N) thin film. The Ti(N) amorphous interfacial layer is formed in the AlN of the substrate. The Ti(N) thin film is formed on the Ti (N) amorphous interfacial layer. The thickness of the Ti (N) thin film is 100 nm through 20.
Abstract translation: 在衬底的AlN（氮化铝）中蒸发的Ti（N）膜电阻器和使用其的衰减器被提供以通过使用5.7GHz的频带来快速处理海量数据。 膜电阻器包括AlN衬底和Ti（N）非晶界面层和Ti（N）薄膜。 在衬底的AlN中形成Ti（N）非晶界面层。 在Ti（N）非晶界面层上形成Ti（N）薄膜。 Ti（N）薄膜的厚度为100nm至20nm。
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公开(公告)号：KR101079784B1
公开(公告)日：2011-11-03
申请号：KR1020100007311
申请日：2010-01-27
Applicant: 충남대학교산학협력단
IPC: B82B3/00 , H01L27/115
CPC classification number: H01L45/1616 , C30B25/005 , C30B29/46 , C30B29/605 , H01L45/06 , H01L45/122 , H01L45/144 , Y10S977/891
Abstract: 본발명은 300℃이하의저온에서상변화메모리재료인 In-Sb-Te의나노와이어를제조할수 있는방법및 이를이용한상변화메모리에관한것으로, 보다구체적으로 In, Sb 및 Te 전구체의증기를진공챔버내의기판상에서반응시키는유기금속화학증착법에의하며, 상기반응시의챔버내의압력이 7~15 Torr인것을특징으로하는유기금속화학증착법에의한 In-Sb-Te 나노와이어의제조방법및 이를이용한상변화메모리에관한것이다. 본발명에의하면종래기술에의한상변화소재인 GST의대체물질인 IST 나노와이어를 300℃이하의저온에서대량으로용이하게제조할수 있으므로상변화메모리소자에효율적으로활용할수 있다.
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公开(公告)号：KR1020080075330A
公开(公告)日：2008-08-18
申请号：KR1020070014346
申请日：2007-02-12
Applicant: 충남대학교산학협력단
IPC: H01L21/205 , B82Y40/00
CPC classification number: B05D3/00 , C23C16/40 , C23C16/45565 , H05K3/146
Abstract: A chemical vapor deposition method performed on a flexible polymer substrate is provided to deposit a dielectric film on the flexible polymer substrate without heating up the substrate by performing a CVD process at room temperature. A source vapor, which is vaporized by a vaporizer, is heated, such that the source vapor is thermally decomposed in a shower head, which is arranged in a reaction chamber, and the source vapor is turned into a nano-sized single phase material. The nano-sized single phase source vapor is deposited on a flexible polymer substrate, which is not heated in the reaction chamber. The source vapor is a mixture of bismuth and niobium and heated to a temperature between 220 and 270 °C in the shower head. A temperature of the flexible polymer substrate lies between 40 and 60 °C.
Abstract translation: 提供在柔性聚合物基材上进行的化学气相沉积方法，以在柔性聚合物基材上沉积电介质膜，而不通过在室温下进行CVD工艺来加热基板。 被汽化器蒸发的源蒸气被加热，使得源蒸汽在布置在反应室中的喷淋头中热分解，并且源蒸气变成纳米尺寸的单相材料。 纳米尺寸的单相源蒸气沉积在柔性聚合物基底上，其在反应室中不被加热。 源蒸气是铋和铌的混合物，并在淋浴头中加热到220和270℃之间的温度。 柔性聚合物基材的温度为40-60℃。
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公开(公告)号：KR100522551B1
公开(公告)日：2005-10-19
申请号：KR1020030048546
申请日：2003-07-16
Applicant: 충남대학교산학협력단
IPC: H01M4/64
Abstract: 본 발명은 박막형 전지의 유효 면적을 증가시키기 위하여 트렌치 구조를 사용하는 전지 구조에 있어서 넓은 면적의 확보와 트렌치 구조의 단차 피복성을 확보하기 위하여 화학 기상 증착법으로 컬렉터, 캐소드 및 전해질(Electrolyte)을 형성하는 것이다. 화학 기상 증착법의 도입은 물리적 제조 방법으로는 트렌치 구조에서 높은 단차 피복성의 확보가 어려운 단점을 극복할 수 있다. 화학 기상 증착법으로 캐소드와 전해질, 전해질과 애노드의 접촉 면적을 증가시키면 면적당 충전 및 방전하는 캐소드의 양이 증가되기 때문에 고용량을 얻을 수 있는 전지를 형성할 수 있다.
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公开(公告)号：KR100490174B1
公开(公告)日：2005-05-17
申请号：KR1020030036639
申请日：2003-06-07
Applicant: 충남대학교산학협력단
IPC: H01L21/20
Abstract: 본 발명은 백금층이 형성된 실리콘 계열의 기재 표면에 레드루테늄옥사이드를 형성함으로써, 높은 잔류분극 값과 낮은 항전계 값을 갖는 강유전체 PZT 박막을 얻을 수 있고 백금(Pt)과 PZT의 상호반응을 억제함으로써 PZT의 화학양론을 유지할 수 있으며 온도변화에도 안정된 계면상태를 유지할 수 있는 반도체 소자와 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 의한 반도체 소자는, 표면에 백금층이 형성된 기재(substrate)와; 백금층 위에 형성된 PRO층과; PRO층 위에 형성된 PZT 박막을 포함하며, 필요에 따라, PZT 박막 위에 PRO층 및 또는 백금층이 추가로 형성될 수도 있다.-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020050009326A
公开(公告)日：2005-01-25
申请号：KR1020030048546
申请日：2003-07-16
Applicant: 충남대학교산학협력단
IPC: H01M4/64
Abstract: PURPOSE: Provided is a thin film type lithium secondary battery obtained by a chemical vapor deposition process, which shows increased electrostatic capacity by virtue of an increase in gap coatability. CONSTITUTION: The thin film type lithium secondary battery comprises a collector(1), cathode(2) and an electrolyte(3), wherein the collector(1) is formed by a chemical vapor deposition process. The cathode(2) may be formed by a chemical vapor deposition process. Additionally, the electrolyte(3) is formed by any one process selected from a sputtering process, pulsed laser deposition process and chemical vapor deposition process.
Abstract translation: 目的：提供通过化学气相沉积法获得的薄膜型锂二次电池，其通过间隙涂布性的增加显示出增加的静电容量。 构成：薄膜型锂二次电池包括集电体（1），阴极（2）和电解质（3），其中集电体（1）通过化学气相沉积工艺形成。 阴极（2）可以通过化学气相沉积工艺形成。 此外，电解质（3）由选自溅射工艺，脉冲激光沉积工艺和化学气相沉积工艺中的任何一种工艺形成。
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公开(公告)号：KR1020040105381A
公开(公告)日：2004-12-16
申请号：KR1020030036639
申请日：2003-06-07
Applicant: 충남대학교산학협력단
IPC: H01L21/20
Abstract: PURPOSE: A semiconductor device including a PZT thin film having an improved ferroelectric property and a fabricating method thereof are provided to maintain stoichiometry of PZT by restricting a mutual reaction between a PbRu2O7-x layer and a platinum layer. CONSTITUTION: A platinum layer(4) is formed on an upper surface of a substrate(1). A PbRu2O7-x layer(2) is formed on an upper surface of the platinum layer. A PZT thin film(3) is formed on an upper surface of the PbRu2O7-x layer. A platinum layer is formed on an upper surface of the PZT layer. A thickness of the PbRu2O7-x layer is 20 to 50nm.
Abstract translation: 目的：提供包括具有改进的铁电性能的PZT薄膜及其制造方法的半导体器件，通过限制PbRu2O7-x层和铂层之间的相互反应来保持PZT的化学计量。 构成：在衬底（1）的上表面上形成铂层（4）。 在铂层的上表面上形成PbRu2O7-x层（2）。 在PbRu2O7-x层的上表面上形成PZT薄膜（3）。 在PZT层的上表面上形成铂层。 PbRu2O7-x层的厚度为20〜50nm。
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公开(公告)号：KR101877500B1
公开(公告)日：2018-07-11
申请号：KR1020170068344
申请日：2017-06-01
Applicant: 충남대학교산학협력단
IPC: C01B32/182 , C23C16/26 , C23C16/02 , C23C16/50
CPC classification number: C01B32/186 , C01B2204/02 , C23C16/0281 , C23C16/26 , C23C16/50
Abstract: 본발명은기판상에결정성이우수한고품질의그래핀층을저온에서대면적으로용이하게형성할수 있는대면적그래핀박막의 in-situ 제조방법및 상기방법을이용한소자의제조방법에관한것으로, 보다상세하게는 (A) 기판상에스퍼터링에의해티타늄촉매층을형성하는단계; 및 (B) 티타늄촉매층이형성된기판상에상기스퍼터링장비와같은장비에서 in-situ로플라즈마보조화학기상증착에의해그래핀박막을성장시키는단계;를포함하는것을특징으로하는그래핀박막의 in-situ 제조방법에관한것이다.
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公开(公告)号：KR101515135B1
公开(公告)日：2015-04-24
申请号：KR1020130089999
申请日：2013-07-30
Applicant: 충남대학교산학협력단
Abstract: 본 발명은 항균특성을 나타내는 은 나노클러스터가 고르게 분포되어 있으면서도 투명성을 유지하는 항균유리의 제조방법 및 그에 의해 제조된 항균유리에 관한 것으로 (A) 유리 위에 SiO
2 박막을 증착하는 단계; (B) 스퍼터링에 의해 상기 SiO
2 박막상에 은 나노클러스터를 형성하는 단계;를 포함하여 제조되는 것을 특징으로 하는 항균유리의 제조방법 및 그에 의해 제조된 항균유리에 관한 것이다.Abstract translation: （A）本发明涉及一种抗菌性玻璃的制造方法，该抗菌性玻璃在保持透明性的同时使呈现抗菌性的银纳米簇均匀分布，并且涉及通过该方法制造的抗菌性玻璃。
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