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11.发明授权
公开(公告)号：KR101544272B1
公开(公告)日：2015-08-13
申请号：KR1020130122416
申请日：2013-10-15
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
IPC: C08G65/00 , C08G65/32 , C08G65/325 , C08G65/326 , H01L27/28
Abstract: 본발명은디지털메모리특성을가지는폴리에테르고분자및 그제조방법에관한것으로서, 보다상세하게는브러쉬말단에디지털메모리특성을가지는화합물이형성되는폴리에테르브러쉬고분자물질과그 합성, 및발명된고분자를상부전극과하부전극사이에서고분자를활성층으로이용하여제조되는비휘발성메모리소자에관한것이다.
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公开(公告)号：KR101836967B1
公开(公告)日：2018-03-12
申请号：KR1020160067532
申请日：2016-05-31
Applicant: 주식회사 쎄코 , 단국대학교 천안캠퍼스 산학협력단 , 포항공과대학교 산학협력단
IPC: C08G65/26 , C08G65/323 , C08J5/18 , C08G65/332 , C08G65/333
CPC classification number: C08G65/26 , C08G65/323 , C08G65/332 , C08G65/333 , C08J5/18
Abstract: 본발명은화학식 1로표시되는중량평균분자량은 5,000 내지 5,000,000, 바람직하게는 5,000 내지 500,000의자가치유기능을가지는폴리에테르화합물및 이의제조방법과이로부터구성되는고분자박막에관한것이다. [화학식 1]본발명에사용된자가치유기능을가지는폴리에테르화합물은가공이용이하고, 다양한기질에쉽게코팅될수 있는경제적인물질로써, 자가치유기능을가지는폴리에테르화합물을이용한고분자박막을제조하는데용이하다. 또한, 이고분자박막은폴리에테르의자가치유특성에의하여표면의미세손상을회복할수 있으며, 특히자가치유기능성분자를이용하여회복능력을극대화하고반복적으로효과적인회복이가능하다.
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13.发明授权인을 포함하는 하이브리드 시스템이 도입된 비휘발성 메모리 특성 고분자 및 그 제조 방법, 이를 이용하는 메모리 소자 有权具有包含磷的混合系统的非易失性存储器聚合物，其制造方法以及使用其的存储器件
公开(公告)号：KR101766976B1
公开(公告)日：2017-08-24
申请号：KR1020150162722
申请日：2015-11-19
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
Abstract: 본발명은고분자메모리소자및 그의제조방법에관한것으로, 보다상세하게는상부전극과하부전극사이에서주쇄에인을포함하는고분자를활성층으로하는비휘발성메모리소자및 그의제조방법에관한것이다. 본발명에있어서, 상기비휘발성메모리소자는하기화학식(I) 로이루어진비휘발성메모리소자용고분자이다.(I) 상기식에서 m은반복단위임.
Abstract translation: 本发明涉及的是，更具体地，在上部电极和包含在所述下部电极之间的主链中到有源层的聚合物的非易失性存储器装置，以及制备聚合物存储器装置上的方法和用于生产它们的方法。 在本发明中，所述非易失性存储器元件，以对于由式（I）的非易失性存储器装置中的聚合物（I），其中m委托eunban复旦大学。
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公开(公告)号：KR1020170059061A
公开(公告)日：2017-05-30
申请号：KR1020150162722
申请日：2015-11-19
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
Abstract: 본발명은고분자메모리소자및 그의제조방법에관한것으로, 보다상세하게는상부전극과하부전극사이에서주쇄에인을포함하는고분자를활성층으로하는비휘발성메모리소자및 그의제조방법에관한것이다. 본발명에있어서, 상기비휘발성메모리소자는하기화학식(I) 로이루어진비휘발성메모리소자용고분자이다.(I) 상기식에서 m은반복단위임.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR101828825B1
公开(公告)日：2018-03-30
申请号：KR1020160151218
申请日：2016-11-14
Applicant: 주식회사 쎄코 , 포항공과대학교 산학협력단
IPC: C08G65/26 , C09D171/00
CPC classification number: C08G65/26 , C09D171/00 , C08G65/263 , C08G2261/136
Abstract: 본발명은브러쉬말단에도입된세포막모방기능기를이용하여자기조립능력과세포막을모방한표면특성을갖는세포막-모방브러쉬고분자및 그제조방법에관한것이다.
Abstract translation: 本发明是通过使用膜模拟引入到电刷接线端子具有模仿与细胞膜的自组装能力的表面特性的细胞膜功能 - 涉及一种刷子模仿聚合物及其制造方法。
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公开(公告)号：KR1020170136123A
公开(公告)日：2017-12-11
申请号：KR1020160067532
申请日：2016-05-31
Applicant: 주식회사 쎄코 , 단국대학교 천안캠퍼스 산학협력단 , 포항공과대학교 산학협력단
IPC: C08G65/26 , C08G65/323 , C08J5/18 , C08G65/332 , C08G65/333
CPC classification number: C08G65/26 , C08G65/323 , C08G65/332 , C08G65/333 , C08J5/18 , C08G65/2603 , C08G65/2636 , C08G65/33317
Abstract: 본발명은화학식 1로표시되는중량평균분자량은 5,000 내지 5,000,000, 바람직하게는 5,000 내지 500,000의자가치유기능을가지는폴리에테르화합물및 이의제조방법과이로부터구성되는고분자박막에관한것이다. [화학식 1]본발명에사용된자가치유기능을가지는폴리에테르화합물은가공이용이하고, 다양한기질에쉽게코팅될수 있는경제적인물질로써, 자가치유기능을가지는폴리에테르화합물을이용한고분자박막을제조하는데용이하다. 또한, 이고분자박막은폴리에테르의자가치유특성에의하여표면의미세손상을회복할수 있으며, 특히자가치유기능성분자를이용하여회복능력을극대화하고반복적으로효과적인회복이가능하다.
Abstract translation: 本发明涉及一种聚合物薄膜，它是由5000的重均分子量的〜500万，优选聚醚化合物和具有5,000〜500,000的椅子愈合功能的方法，这是由式（1）表示。 由式1层经济的材料，可以是具有本发明中使用的治疗性功能和使用的处理的聚醚化合物的女人，容易地涂敷在各种基材上，字符制备聚合物薄膜与具有治疗功能的聚醚化合物 这很容易。 此外，分子薄膜能够通过聚醚的自愈性能来恢复表面的微细损伤，特别是自愈是可以通过使用功能性分子最大限度地恢复能力，可重复的和有效的回收。
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公开(公告)号：KR101738306B1
公开(公告)日：2017-06-09
申请号：KR1020160095439
申请日：2016-07-27
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
Abstract: 본발명은디지털메모리특성을가지는폴리에테르고분자및 그제조방법에관한것으로서, 보다상세하게는브러쉬말단에디지털메모리특성을가지는화합물이형성되는폴리에테르브러쉬고분자물질과그 합성, 및발명된고분자를상부전극과하부전극사이에서고분자를활성층으로이용하여제조되는비휘발성메모리소자에관한것이다.
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19.发明公开
公开(公告)号：KR1020160022471A
公开(公告)日：2016-03-02
申请号：KR1020140107919
申请日：2014-08-19
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
IPC: C08F228/06 , C08F28/06 , C08L41/00 , C08L101/02 , H01L51/00
CPC classification number: C08F228/06 , C08F28/06 , C08F228/02 , C08L41/00 , C08L101/02 , H01L51/00
Abstract: 본발명은황을포함하는헤테로사이클기능기가말단에도입된브러쉬고분자및 그제조방법과그 응용에관한것이다. 발명된고분자는상부전극과하부전극사이에서이 고분자를활성층으로하는디지털메모리소자로써응용이가능하다.본발명에따른고분자는적어도일부의브러쉬말단에황을포함하는헤테로사이클관능기를가지는메모리소자용폴리비닐브러쉬고분자이다.
Abstract translation: 本发明涉及具有含硫杂环末端官能团的刷式聚合物及其制造方法及其应用。 本发明的聚合物可以应用于包含聚合物作为上电极和下电极之间的活化层的数字存储装置。 此外，根据本发明的聚合物是具有至少部分刷毛聚合物末端部分的硫的杂环官能团的聚乙烯基刷聚合物。
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20.发明公开플루오르카본이 도입된 비휘발성 메모리 특성 자기조립성 브러쉬 블록 공중합체, 이의 제조방법 및 이를 이용하는 메모리 소자 无效用于存储器件的氟化物的自组装刷式共聚物，其制备和包含聚合物的产品
公开(公告)号：KR1020150088951A
公开(公告)日：2015-08-04
申请号：KR1020140009041
申请日：2014-01-24
Applicant: 포항공과대학교 산학협력단
Abstract: 본발명은디지털메모리특성을가지는폴리에테르고분자및 그제조방법에관한것으로서, 보다상세하게는브러쉬말단에디지털메모리특성을가지는화합물이형성되는폴리에테르브러쉬고분자물질과그 합성, 및발명된고분자를상부전극과하부전극사이에서고분자를활성층으로이용하여제조되는비휘발성메모리소자에관한것이다.
Abstract translation: 本发明涉及具有数字存储器的特性的聚醚聚合物及其制造方法，更具体地说，涉及在刷子的末端形成具有数字存储器性质的化合物的聚醚刷聚合物材料， 以及通过使用聚合物作为上电极和下电极之间的活化层制造的非易失性存储器件。 在至少一些刷子的末端形成一个或多个官能团，并且选自所表示的化学式（1）。
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