公开(公告)号：KR1020150094220A

公开(公告)日：2015-08-19

申请号：KR1020140015249

申请日：2014-02-11

Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 김경준 ,  송양희 ,  이종람

IPC: H01L21/027 ,  H01L33/00

CPC classification number: H01L21/027 ,  H01L33/00

Abstract: 본 발명은 금속 기판을 이용한 나노 임프린트 몰드 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 나노 임프린트 몰드의 제조방법은, 금속 기판 상에 폴리머 필름을 형성하고 가열하는 단계, 패턴이 형성된 임프린트 몰드로 상기 폴리머 필름을 가압하여 상기 패턴이 상기 폴리머 필름에 전사되도록 단계, 상기 임프린트 몰드를 제거하는 단계 및 상기 금속 기판과 폴리머 필름을 냉각하는 단계를 포함하고, 상기 금속 기판의 열팽창 계수 또는 가열 온도를 조절하여 형성되는 패턴의 치수를 조절하는 것을 특징으로 한다.

Abstract translation: 本发明涉及使用金属基板的纳米压印模具的制造方法。 根据本发明的纳米压印模具的制造方法包括：在金属基板上形成聚合物膜并对其加热的步骤; 用压印模具加压聚合物膜的步骤，其中形成图案并将图案转印到聚合物膜上; 去除压印模具的步骤; 以及冷却金属基板和聚合物膜的步骤。 控制通过控制金属基板的热膨胀系数和加热温度而形成的图案的尺寸。

公开(公告)号：KR101299942B1

公开(公告)日：2013-08-26

申请号：KR1020110006114

申请日：2011-01-21

Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 이종람 ,  손준호 ,  송양희 ,  김범준 ,  유철종 ,  김종욱

IPC: H01L33/22 ,  H01L33/20

Abstract: 본 발명은 수직형 발광다이오드의 광 추출 효율을 높이기 위해 반도체층 상에 요철부를 형성하는 별도의 공정을 사용하지 않고, 레이저 리프트오프(laser lift-off, LLO) 후 사파이어 기판상의 패턴이 n형 질화물갈륨계 반도체 표면에 그대로 전사되도록 함으로써, 광 추출 효율이 향상된 발광다이오드를 제조하는 방법에 관한 것이다.
본 발명에 의한 방법은, (a) 패턴이 형성된 사파이어 기판상에 제1 반도체층, 활성층 및 제2 반도체층을 형성하는 단계; (b) 상기 패턴이 형성된 사파이어 기판의 이면(裏面)의 표면거칠기를 조절하는 단계; 및 (c) 상기 사파이어 기판의 이면에 레이저를 조사하여 사파이어기판과 발광다이오드를 분리함으로써, 상기 사파이어 기판상에 형성된 패턴이 상기 제1 반도체층에 전사되도록 하는 단계;를 포함한다.

公开(公告)号：KR101248989B1

公开(公告)日：2013-04-01

申请号：KR1020110060591

申请日：2011-06-22

Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 이종람 ,  송양희 ,  유철종

IPC: H01L33/20 ,  H01L33/22

Abstract: 본 발명은 발광 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명에 따른 발광 다이오드는 n형 반도체층, 상기 n형 반도체층의 하부에 형성된 활성층 및 상기 활성층의 하부에 형성된 p형 반도체층으로 이루어진 발광 구조체, 상기 발광 구조체의 하부에 형성된 접착층 및 일면에 상기 발광 구조체로부터 전도되는 열의 방출 효율을 높이기 위한 방열 패턴이 형성되어 있고 타면이 상기 접착층에 접착되어 있는 전도성 기판을 포함하여 구성된다.
본 발명에 따르면, 발광 다이오드 자체의 표면적을 증가시켜 발광 다이오드에서 발생한 열을 효율적으로 방출시킴으로써, 발광 다이오드가 낮은 구동온도를 갖도록 하고, 발광다이오드의 수명을 증가시키는 동시에 발광효율을 증가시킬 수 있는 효과가 있다.

Abstract translation: 发光二极管及其制造方法技术领域本发明涉及一种发光二极管及其制造方法。

公开(公告)号：KR1020130009399A

公开(公告)日：2013-01-23

申请号：KR1020110070488

申请日：2011-07-15

Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 이종람 ,  이환건 ,  손준호 ,  송양희 ,  김범준

IPC: H01L33/20 ,  H01L33/22

CPC classification number: H01L33/007 ,  H01L33/22 ,  H01L33/32

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a substrate for a light emitting diode, a substrate for the light emitting diode manufactured by the method and a method for manufacturing the light emitting diode with the substrate are provided to reduce total reflection by using an upper and a lower concavo-convex part. CONSTITUTION: A nanostructure is coated in the upper surface of a substrate member(s100). The nanostructure is spherical shape. An upper concavo-convex part is formed in the upper surface of the substrate member(s200). The nanostructure is coated in the lower surface of the substrate member(s500). A lower concavo-convex part is formed in the lower surface of the substrate member(s600). [Reference numerals] (AA) Start; (BB) End; (s100) Coating an upper surface of a substrate member as a nano structure; (s200) Forming a concavo-convex part on an upper surface of a substrate member by using a dry etching process; (s300) Forming a buffer layer on a concavo-convex part; (s400) Forming an activation layer, a second semiconductor layer, and a first semiconductor layer on a buffer layer; (s500) Coating the bottom of a substrate member as a nano structure; (s600) Forming a concavo-convex part by using a dry etching process at the bottom of a member structure; (s700) Forming a first pad, a transparent electrode, and a second pad

Abstract translation: 目的：制造用于发光二极管的衬底的方法，通过该方法制造的用于发光二极管的衬底以及用于制造具有衬底的发光二极管的方法，以通过使用上下一个来减少全反射 凹凸部分。 构成：在衬底构件的上表面中涂覆纳米结构（s100）。 纳米结构是球形。 在基板部件的上表面形成有上部凹凸部（s200）。 将纳米结构涂覆在基材的下表面（s500）。 在基板部件的下表面形成下凹凸部（s600）。 （附图标记）（AA）开始; （BB）结束; （s100）以纳米结构涂布基板部件的上表面; （s200）使用干蚀刻工艺在基板部件的上表面上形成凹凸部; （s300）在凹凸部上形成缓冲层; （s400）在缓冲层上形成活化层，第二半导体层和第一半导体层; （s500）以纳米结构涂布基板部件的底部; （s600）通过在构件结构的底部使用干蚀刻工艺形成凹凸部分; （s700）形成第一焊盘，透明电极和第二焊盘

公开(公告)号：KR1020120077188A

公开(公告)日：2012-07-10

申请号：KR1020100139057

申请日：2010-12-30

Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 이종람 ,  손준호 ,  송양희

IPC: B29C33/38 ,  B29C59/02 ,  G03F7/00

CPC classification number: H01L33/52 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/0017 ,  H01L21/02019 ,  H01L21/30617 ,  H01L29/0665 ,  H01L33/005 ,  H01L33/0075

Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a nanoimprint mold, a method for manufacturing a light emitting diode using the nanoimprint mold, and the light emitting diode are provided to improve the efficiency of extracting the light of the light emitting diode because a nano pattern formed into the pyramid shape is formed on the path of the light. CONSTITUTION: A method for manufacturing a nanoimprint mold comprises the following steps. A support substrate is formed on one surface of a nitride semiconductor substrate to support the nitride semiconductor substrate. The nitride semiconductor substrate is immersed in an etching solution, which is one of the potassium hydroxide solution and sodium hydroxide solution. A nano pattern formed into the pyramid shape is formed on the other surface of the nitride semiconductor substrate through the photochemical etching. The nano pattern is transcribed into the nanoimprint mold. The nanoimprint mold having the nano pattern formed into the pyramid shape is separated from the nitride semiconductor substrate.

Abstract translation: 目的：提供一种制造纳米压印模具的方法，使用纳米压印模具制造发光二极管的方法和发光二极管，以提高发光二极管的光的提取效率，因为纳米图案形成为 金字塔形状形成在光的路径上。 构成：制造纳米压印模具的方法包括以下步骤。 在氮化物半导体衬底的一个表面上形成支撑衬底以支撑氮化物半导体衬底。 将氮化物半导体衬底浸入作为氢氧化钾溶液和氢氧化钠溶液之一的蚀刻溶液中。 通过光化学蚀刻在氮化物半导体衬底的另一个表面上形成金字塔形状的纳米图案。 纳米图案被转录成纳米压印模具。 具有形成为金字塔形状的纳米图案的纳米压印模具与氮化物半导体衬底分离。

公开(公告)号：KR101731056B1

公开(公告)日：2017-04-27

申请号：KR1020100078115

申请日：2010-08-13

Applicant: 서울바이오시스 주식회사 ,  포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 이종람 ,  송양희

IPC: H01L33/40 ,  H01L33/00 ,  H01L33/32

CPC classification number: H01L33/40 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/32 ,  H01L33/405 ,  H01L2933/0016

Abstract: 오믹전극구조체를갖는반도체발광소자및 그것을제조하는방법이개시된다. 본발명의일 측면에따른반도체발광소자는, 상부표면이 N-면인발광구조체와, 상기발광구조체상에위치하는오믹전극구조체를포함한다. 여기서, 상기오믹전극구조체는상기발광구조체의 N-면으로부터하부확산방지층, 접촉층, 상부확산방지층및 Al 보호층을포함한다. 하부확산방지층/접촉층/상부확산방지층/Al 보호층을포함하는다층구조의오믹전극구조체를채택함으로써, N-면반도체층상의오믹접촉특성열화를방지하여열적안정성이우수한반도체발광소자를제공할수 있다.

Abstract translation: 公开了一种具有欧姆电极结构的半导体发光器件及其制造方法。 半导体光根据本发明的一个方面的发光器件包括N-和顶面 - 面发光结构，设置在所述发光结构上的欧姆电极结构。 这里，欧姆电极结构包括一个底部扩散阻挡层，接触层，上部扩散层和从所述发光结构的N-保护的表面上的Al层。 通过采用较低的扩散阻挡层/接触层/上部扩散阻挡层/欧姆电极结构，其包括保护层的铝的多层结构，所以可以防止半导体层退化的N-侧欧姆接触特性可提供半导体发光器件具有优异的热稳定性 有。

公开(公告)号：KR101615341B1

公开(公告)日：2016-04-25

申请号：KR1020140101226

申请日：2014-08-06

Applicant: 주식회사 포스코 ,  포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 이종람 ,  송양희 ,  김경준

IPC: H01L33/00

Abstract: 화합물반도체소자, 및이를제조하기위한웨이퍼본딩방법에관한것으로, 구체적으로는, 질화갈륨계반도체기판; 상기반도체기판상에형성된제 1 전도성확산방지층; 상기제 1 전도성확산방지층상에형성된금속접합층; 상기금속접합층상에형성된제 2 전도성확산방지층; 및상기제 2 전도성확산방지층상에위치하고, 니켈을함유하는강철기판;을포함하는화합물반도체소자를제공하는한편, 상기제 2 전도성확산방지층에의해, 상기니켈을함유하는강철기판및 상기금속접합층내 원소들의확산및/또는상기니켈을함유하는강철기판및 상기금속접합층사이의반응이제어되는것인웨이퍼본딩방법을제공할수 있다.

公开(公告)号：KR1020140093340A

公开(公告)日：2014-07-28

申请号：KR1020130004376

申请日：2013-01-15

Applicant: 포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 송양희 ,  이종람 ,  김경준

IPC: H01L33/14 ,  H01L33/36

CPC classification number: H01L33/145 ,  H01L21/31116 ,  H01L33/06 ,  H01L33/42 ,  H01L2933/0008

Abstract: The present invention relates to a forming method of a current blocking layer and a manufacturing method of an LED using the same and, more specifically, to the manufacturing method of the LED which forms the current blocking layer (CBL) with an etching method instead of the insertion of a nonconductor material or the surface processing and has high light extraction efficiency. The forming method of the CBL according to the present invention comprises a step of forming a dry etching protection film having a pattern of an electrode type on a p-type semiconductor layer which is formed on the top of a semiconductor substrate, an n-type semiconductor layer, and an active layer which are laminated in order; a step of forming the CBL on the p-type semiconductor layer by dry-etching the p-type semiconductor layer; and a step of eliminating the dry-etching protection layer.

Abstract translation: 本发明涉及一种电流阻挡层的形成方法和使用该阻挡层的LED的制造方法，更具体地说，涉及通过蚀刻方法代替形成电流阻挡层（CBL）的LED的制造方法 插入非导体材料或表面处理，并具有高光提取效率。 根据本发明的CBL的形成方法包括在形成在半导体衬底的顶部上的p型半导体层上形成具有电极型图案的干蚀刻保护膜的步骤，n型 半导体层和有源层; 通过干式蚀刻p型半导体层在p型半导体层上形成CBL的步骤; 以及消除干蚀刻保护层的步骤。

公开(公告)号：KR1020140036405A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：KR1020120101704

申请日：2012-09-13

Applicant: 포항공과대학교 산학협력단 ,  서울바이오시스 주식회사

Inventor： 이종람 ,  송양희 ,  김기수 ,  고경민

IPC: H01L33/20 ,  H01L33/22

CPC classification number: H01L33/22 ,  H01L33/0095 ,  H01L33/38 ,  H01L33/42 ,  H01L2933/0016

Abstract: A light emitting diode is disclosed. The light emitting diode comprises: a transparent substrate having a first surface and a second surface; a semiconductor laminated structure comprising a first conductive semiconductor layer, an active layer, and a second conductive semiconductor layer and disposed on the first surface of the transparent substrate; and a refractive index adjusting layer formed to have a pattern of a nanostructure on the second surface of the transparent substrate.

Abstract translation: 公开了一种发光二极管。 发光二极管包括：具有第一表面和第二表面的透明基板; 半导体层叠结构，包括第一导电半导体层，有源层和第二导电半导体层，并且设置在所述透明基板的第一表面上; 以及折射率调节层，其形成为在透明基板的第二表面上具有纳米结构的图案。

公开(公告)号：KR101271798B1

公开(公告)日：2013-06-07

申请号：KR1020110118773

申请日：2011-11-15

Applicant: 주식회사 포스코 ,  포항공과대학교 산학협력단

Inventor： 이종람 ,  송양희

IPC: H01L21/02

Abstract: 모기판 위에 평탄화 기판을 형성하는 단계, 상기 모기판으로부터 상기 평탄화 기판을 분리하는 단계, 반도체 기판 및 상기 분리된 평탄화 기판 상에 금속접합층을 각각 형성하는 단계, 및 상기 두 금속접합층을 마주 보도록 배치한 후 상기 반도체 기판과 상기 평탄화 기판을 접합하는 단계를 포함하는 웨이퍼의 본딩 방법이 제공된다.
본 발명에 따르면, 쉽게 반도체 기판과 평탄화 기판(강철 등)을 합착할 수 있을 뿐만 아니라 쉽게 질화갈륨계 반도체 전자소자를 제작할 수 있다.