-
公开(公告)号:KR100533648B1
公开(公告)日:2005-12-06
申请号:KR1020030016173
申请日:2003-03-14
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G11B5/39
CPC classification number: H01F10/1936 , C25D3/54 , C25D5/50 , G11C11/14 , H01F1/401 , H01F41/18 , H01F41/26 , H01L43/12
Abstract: 본 발명은 상온에서 큰 자기저항을 갖는 반금속 Bi 박막과 이를 이용한 스핀트로닉스 소자의 제조에 관한 것이다. 본 발명의 Bi 박막은 전기도금법과 스퍼터링법에 의하여 제조할 수 있으며, 상온에서 매우 큰 자기저항의 특성을 보이므로 다양한 스핀전자소자로 응용될수 있다.