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公开(公告)号：KR101197027B1
公开(公告)日：2012-11-06
申请号：KR1020100079964
申请日：2010-08-18
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: B82Y40/00 , B82Y30/00 , C01B32/196 , C01P2004/64
Abstract: 본 발명은 그라핀 분말의 제조 과정에서 혼입되는 자성 불순물을 손쉬운 방법으로 효과적으로 제거함으로써, 그라핀 분말을 정제할 수 있는 방법을 제공하기 위한 것으로서, 본 발명의 그라핀 분말의 정제방법은 (1) 흑연 물질을 볼 밀링하여 그라핀 분말을 형성하는 단계, (2) 상기 그라핀 분말을 유기용매에 분산시켜 현탁액을 형성하는 단계 및 (3) 상기 현탁액을 교반하면서 자석을 이용하여 자성 불순물을 분리하는 단계를 포함하여 이루어질 수 있다. 또한 본 발명의 그라핀 분말의 정제방법은 단계 (3) 이후에, 자성 불순물을 분리한 잔여 현탁액을 단계 (3)을 반복하여 수행하는 것일 수 있다.
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2.发明公开산화막 제거 방법과 이 방법에 사용된 스퍼터링 장치, 산화막 제거 방법을 이용한 전자소자의 제조방법 및 산화막 제거 방법이 적용되어 형성된 전자소자 有权除去氧化膜和使用其的溅射装置的方法，使用除去氧化膜的方法制造电子器件的方法和通过应用除去氧化膜的方法形成的电子器件
公开(公告)号：KR1020120044103A
公开(公告)日：2012-05-07
申请号：KR1020100105509
申请日：2010-10-27
IPC: H01L21/3065
Abstract: PURPOSE: An oxide film removing method, a sputtering apparatus which is used in the same, an electronic device manufacturing method, and an electronic device manufactured using the same are provided to improve electrical properties of an electronic device by performing a follow-up process in a sputtering apparatus after removing an oxide film. CONSTITUTION: A substrate(52) is mounted on a substrate holder(42) of a sputtering apparatus(30). The substrate comprises an element which forms an oxide film. The oxide film a natural oxide film. The oxide film is removed by supplying plasma generating voltage to the substrate holder. The substrate comprises a plurality of material layers which are successively laminated.
Abstract translation: 目的：提供一种氧化膜去除方法，使用该方法的溅射装置，电子装置制造方法和使用该溅射装置的电子装置，以通过执行后续处理来改善电子装置的电气性能 去除氧化膜后的溅射装置。 构成：将衬底（52）安装在溅射装置（30）的衬底保持器（42）上。 基板包括形成氧化膜的元件。 氧化膜是天然氧化膜。 通过向衬底保持器提供等离子体产生电压来去除氧化膜。 衬底包括多个依次层压的材料层。
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公开(公告)号：KR1020120017332A
公开(公告)日：2012-02-28
申请号：KR1020100079964
申请日：2010-08-18
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: B82Y40/00 , B82Y30/00 , C01B32/196 , C01P2004/64
Abstract: PURPOSE: A method for refining graphene powder is provided to effectively eliminate magnetic impurities mixed with the graphene powder in a graphene powder preparing process by dispersing the graphene powder in an organic solvent and using a magnet. CONSTITUTION: A method for refining graphene powder includes the following: graphite materials are ball-milled to form graphene powder(1); the graphene powder is dispersed in an organic solvent to form suspension(3); and the suspension is stirred to separate magnetic impurities(2) using a magnet(4). The graphite materials are spirally grown graphitic materials. The size of the graphene powder is lower than or equal to 100nm. The organic solvent is alcohol, acetone, DMF, or toluene. The dispersing and stirring processes are implemented based on ultrasound wave-based treatment.
Abstract translation: 目的：提供石墨烯粉末的精制方法，通过将石墨烯粉末分散在有机溶剂中并使用磁铁，在石墨烯粉末制备方法中有效地除去与石墨烯粉末混合的磁性杂质。 构成：石墨烯粉末的精制方法包括：将石墨材料球磨成石墨烯粉末（1）; 将石墨烯粉末分散在有机溶剂中以形成悬浮液（3）; 并搅拌悬浮液以使用磁体（4）分离磁性杂质（2）。 石墨材料是螺旋生长的石墨材料。 石墨烯粉末的尺寸小于或等于100nm。 有机溶剂为醇，丙酮，DMF或甲苯。 分散和搅拌过程基于超声波处理实现。
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公开(公告)号：KR1020040081628A
公开(公告)日：2004-09-22
申请号：KR1020030016173
申请日：2003-03-14
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G11B5/39
CPC classification number: H01F10/1936 , C25D3/54 , C25D5/50 , G11C11/14 , H01F1/401 , H01F41/18 , H01F41/26 , H01L43/12
Abstract: PURPOSE: A Bi thin film fabrication method is provided to fabricate a Bi thin film having a very big magnetoresistance property at room temperature by an electrodeposition method and a sputtering method, thereby being applicable to various spin electron elements. CONSTITUTION: By applying a current having a range of 1-100mA to a Bi solution at room temperature, a Bi thin film is formed on a substrate through an electrodeposition method with a deposition rate of 0.1-10micrometer/min. The fabricated Bi thin film has more than 600% of magnetoresistance ratio at room temperature when a 9T magnetic field is applied. Before depositing the Bi thin film, a Pt or Au under layer is deposited on the substrate with a thickness of 50-500 angstrom.
Abstract translation: 目的：提供Bi薄膜制造方法，通过电沉积法和溅射法在室温下制造具有非常大的磁阻特性的Bi薄膜，从而适用于各种旋转电子元件。 构成：通过在室温下向Bi溶液施加1-100mA范围的电流，通过电沉积法以0.1-10微米/分钟的沉积速率在基板上形成Bi薄膜。 当施加9T磁场时，制造的Bi薄膜在室温下具有超过600％的磁阻比。 在沉积Bi薄膜之前，将Pt或Au下层沉积在衬底上，厚度为50-500埃。
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公开(公告)号：KR100407907B1
公开(公告)日：2003-12-03
申请号：KR1020010026486
申请日：2001-05-15
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G11B5/39
CPC classification number: B82Y25/00 , B82Y40/00 , H01F41/307 , H01L43/12 , Y10T29/49044
Abstract: A fabrication method of a magnetic tunnel junction includes the steps of: forming a magnetic tunnel junction constructed having a first magnetic layer (15), a tunnel barrier (16) formed at an upper surface of the first magnetic layer and a second magnetic layer (17) formed at an upper surface of the tunnel barrier; and thermally treating the junction rapidly for 5 seconds SIMILAR 10 minutes at a temperature of 200 SIMILAR 600 DEG C to re-distribute oxygens in the tunnel barrier and make the interface between the tunnel barrier and the magnetic layer to be even. The tunneling magnetoresistance and thermal stability of the magnetic tunnel junction can be improved through the rapid thermal annealing.
Abstract translation: 一种磁隧道结的制造方法包括以下步骤：形成磁隧道结，该磁隧道结构造为具有第一磁层（15），在第一磁层的上表面形成的隧道势垒（16）和第二磁层（ 17）形成在隧道屏障的上表面处; 并在200-600℃的温度下快速热处理5秒钟〜10分钟，使隧道壁垒中的氧重新分布，并使隧道壁垒与磁性层之间的界面均匀。 通过快速热退火可以提高磁隧道结的隧穿磁阻和热稳定性。 ＆lt;图像＆GT;
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Patent Agency Ranking6.发明授权산화막 제거 방법과 이 방법에 사용된 스퍼터링 장치, 산화막 제거 방법을 이용한 전자소자의 제조방법 및 산화막 제거 방법이 적용되어 형성된 전자소자 有权该方法中使用的氧化膜去除方法和溅射装置，使用氧化膜去除方法的电子器件制造方法以及通过应用氧化膜去除方法形成的电子器件
公开(公告)号：KR101725848B1
公开(公告)日：2017-04-11
申请号：KR1020100105509
申请日：2010-10-27
IPC: H01L21/3065
Abstract: 본발명의일 실시예에의한산화막제거방법은산화막이형성된요소를포함하는기판을스퍼터링장치의기판홀더에장착하되, 상기산화막이노출되도록장착하고, 상기기판홀더에플라즈마발생용전압을인가하여상기산화막을제거한다. 상기기판은자기터널접합(MTJ) 소자의일부구성, 스핀소자의일부구성또는나노선소자의일부구성을포함할수 있다. 상기기판홀더에상기산화막이제거된표면의표면거칠기를제어하기위한제어수단이더 구비될수 있다.
Abstract translation: 根据本发明的一个实施例的氧化膜去除方法，但配备有包括将溅射装置的基板支架上形成的氧化膜在元件衬底，在所述氧化膜已被安装，以便被暴露出来，其特征在于，所述衬底保持器的等离子体生成的电压是 去除氧化膜。 衬底可以包括磁隧道结（MTJ）器件的一部分，旋转器件的一部分或纳米级器件的一部分。 衬底保持器还可以包括用于控制去除氧化膜的表面的表面粗糙度的控制装置。
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公开(公告)号：KR1020060105949A
公开(公告)日：2006-10-12
申请号：KR1020050027805
申请日：2005-04-02
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/336 , B82Y40/00
Abstract: 본 발명은 나노 크기의 선(nano wire)을 스핀전달체로 활용하는 하이브리드형 자성체/반도체 나노선 스핀소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 특히, 강자성체로부터 스핀분극된 캐리어를 반도체 나노선에 주입하여 얻어지는 스핀밸브 및 스핀축적효과로부터 메모리 및 논리소자로 응용이 가능한 반도체 나노선 기반 스핀주입소자 및 스핀 전계효과 트랜지스터 제조기술에 관한 것이다.
이에, 본 발명은 기판 상에 분산된 나노선과; 상기 나노선 상에 형성된 자성체의 소스 영역; 상기 소스 영역으로부터 주입된 스핀이 나노선을 통과한 후, 스핀이 검출되는 상기 나노선 상에 형성된 자성체의 드레인 영역을 포함하는 하이브리드형 자성체/반도체 나노선 스핀소자를 제시한다. 또한, 본 발명은 기판 위에 캐리어가 이동하는 채널 역할의 나노선을 형성하는 단계와; 상기 나노선 채널 위에 자성체 또는 자성반도체의 소스 및 드레인 영역을 형성하는 단계; 및 상기 소스 영역 및 드레인 영역에 자기장을 가하면서 열처리하는 단계를 포함하는 하이브리드형 자성체/반도체 나노선 스핀소자 제조방법을 제시한다.
스핀주입소자, 반도체 나노선, 자성체/반도체 구조, 자기저항, 스핀밸브, 스핀분극 전계효과 트랜지스터Abstract translation: 本发明涉及利用纳米线作为旋转载体的混合型磁性/半导体纳米线旋转装置及其制造方法。 更具体地，涉及从能够半导体的铁磁材料自旋极化载流子的纳米线为基础的自旋注入装置和施加到存储器和从旋转阀和自旋累积效应的逻辑元件的自旋场效应晶体管的制造技术是由注入到半导体纳米线而获得。
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公开(公告)号：KR101096518B1
公开(公告)日：2011-12-20
申请号：KR1020090101389
申请日：2009-10-23
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: B82Y40/00 , B82Y30/00 , C01B32/186 , C01B32/194 , C01B2204/065
Abstract: 본 발명은 고기능성 탄소 재료인 그라핀 리본의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명은 (a) 그라핀 리본이 나선형으로 축방향으로 말려 올라가서 튜브 형상을 이루고 있는 탄소구조체를 준비하는 단계와 (b) 상기 탄소구조체에 에너지를 가하여 리본상의 그라핀을 얻는 단계를 포함하여 이루어진 그라핀 리본의 제조 방법을 제공한다.
그라핀 리본, 나노 튜브, 초음파 에너지, 열 에너지-
公开(公告)号：KR1020110044617A
公开(公告)日：2011-04-29
申请号：KR1020090101389
申请日：2009-10-23
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: B82Y40/00 , B82Y30/00 , C01B32/186 , C01B32/194 , C01B2204/065 , B82B3/0009
Abstract: PURPOSE: A producing method of a graphene ribbon with the controlled structure is provided to easily transform the graphene ribbon in to single-layered pure graphene. CONSTITUTION: A producing method of a graphene ribbon with the controlled structure comprises the following steps: preparing a carbon structure(2) in a tube shape, formed by spirally rolling the graphene ribbon; and applying energy to the carbon structure to obtain pure graphene. The carbon structure has the diameter of 0.3~10nanometers, and the length of 100nanometers~5micrometers.
Abstract translation: 目的：提供具有受控结构的石墨烯带的制造方法，以容易地将石墨烯带转化为单层纯石墨烯。 构成：具有可控结构的石墨烯带的制造方法包括以下步骤：制备通过螺旋卷绕石墨烯带形成的管状碳体（2）; 并向碳结构施加能量以获得纯石墨烯。 碳结构的直径为0.3〜10纳米，长度为100纳米〜5微米。
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10.发明授权
公开(公告)号：KR100650416B1
公开(公告)日：2006-11-27
申请号：KR1020050027805
申请日：2005-04-02
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L21/336 , B82Y40/00
Abstract: 본 발명은 나노 크기의 선(nano wire)을 스핀전달체로 활용하는 하이브리드형 자성체/반도체 나노선 스핀소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 특히, 강자성체로부터 스핀분극된 캐리어를 반도체 나노선에 주입하여 얻어지는 스핀밸브 및 스핀축적효과로부터 메모리 및 논리소자로 응용이 가능한 반도체 나노선 기반 스핀주입소자 및 스핀 전계효과 트랜지스터 제조기술에 관한 것이다.
이에, 본 발명은 기판 상에 분산된 나노선과; 상기 나노선 상에 형성된 자성체의 소스 영역; 상기 소스 영역으로부터 주입된 스핀이 나노선을 통과한 후, 스핀이 검출되는 상기 나노선 상에 형성된 자성체의 드레인 영역을 포함하는 하이브리드형 자성체/반도체 나노선 스핀소자를 제시한다. 또한, 본 발명은 기판 위에 캐리어가 이동하는 채널 역할의 나노선을 형성하는 단계와; 상기 나노선 채널 위에 자성체 또는 자성반도체의 소스 및 드레인 영역을 형성하는 단계; 및 상기 소스 영역 및 드레인 영역에 자기장을 가하면서 열처리하는 단계를 포함하는 하이브리드형 자성체/반도체 나노선 스핀소자 제조방법을 제시한다.
스핀주입소자, 반도체 나노선, 자성체/반도체 구조, 자기저항, 스핀밸브, 스핀분극 전계효과 트랜지스터
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