公开(公告)号：KR1019970008839B1

公开(公告)日：1997-05-29

申请号：KR1019940009004

申请日：1994-04-27

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 민석기 ,  김무성 ,  김성일 ,  김용

IPC: H05B3/20

CPC classification number: C23C16/46 ,  H05B3/16

Abstract: Heater for chemical vapor deposition device, whereby the heating line that makes with the molybdenum and has a meandering shape, is located on the heating plate, and the heat-proof plate is located in the bottom and side of the heating plate in order to prevent the producting heat of the heat line from emitting.

Abstract translation: 用于化学气相沉积装置的加热器，由此与钼形成并具有曲折形状的加热线位于加热板上，并且防热板位于加热板的底部和侧面，以防止 发热线的产热。

公开(公告)号：KR1019950002178B1

公开(公告)日：1995-03-14

申请号：KR1019910011523

申请日：1991-07-08

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 민석기 ,  김용 ,  김무성

IPC: H01L21/205

Abstract: The method includes growing a GaAs epitaxial layer, i.e., a buffer layer to the thickness of more than 3 micron on a silicon layer, interrupting the GaAs epitaxial layer growth to grow a delta doping layer thereon at 700-750 degree C. by a metalorganic chemical vapor deposition, and growing a GaAs epitaxial layer, i.e., a covering layer thereon at 700-790 degree C., thereby preventing a dopant diffusion from accelerating.

Abstract translation: 该方法包括在硅层上生长厚度大于3微米的GaAs外延层，其中GaAs衬底生长在700-750摄氏度时通过金属有机物生长其上的δ掺杂层 化学气相沉积，并且在700-790℃下生长GaAs外延层，即其上的覆盖层，从而防止掺杂剂扩散加速。

公开(公告)号：KR1019960005814A

公开(公告)日：1996-02-23

申请号：KR1019940017508

申请日：1994-07-20

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 민석기 ,  김무성 ,  김용 ,  이민석

IPC: H01L21/302

Abstract: 본 발명은 GaAs/ AlGaAs 기판을 이용한 양자세선 제작방법에 관한 것으로, 종래의 양자세선 제작방법은 직접 GaAs 기판위에 V홈을 형성하고 그 위에 에피성장(epitaxial growth)을 실시하여 양자세선을 제작하는데, 상기와 같은 종래 양자세선 제작방법은 기판상에 형성되는 V 홈에 의해 에피층의 울퉁불퉁하게 되는 문제점이 있었다. 본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위하여 기판에 AlGaAs를 한층 더 성장시킨후 V홈을 형성함으로써 보다 효과적으로 양자세선을 형성시키고, 확산 제한 용액을 이용하여 마스크없이 양지세선을 보호하면서 윗면 양자우물(top quantum well)을 효과적으로 제거하는 동시에 V홈 형성에 따른 울퉁불퉁한 에피층을 간단하게 평탄화하 수 있도록 하는 GaAs/AlGaAs기판을 이용한 양자세선 제작벙법을 제공하는 것이다.