公开(公告)号：KR100219837B1

公开(公告)日：1999-10-01

申请号：KR1019970005290

申请日：1997-02-21

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김성일 ,  박영균 ,  김용 ,  김은규 ,  김춘근 ,  민석기

IPC: H01L21/00

Abstract: 본 발명은 선택성장법에 의한 고밀도 양자점 어레이 형성방법에 관한 것으로, 종래에는 갈륨비소기판에 전자선 또는 엑스선을 주사하여 V자형의 홈을 형성함으로써 그 갈륨비소기판에 손상을 주며, 그 V자형 홈의 가장 깊은 부분에 형성한 양자점을 사용하는 광전소자의 출력이 약해 사용효율이 감소하는 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 습식식각으로 V자형 홈을 형성하고, 2차원적인 반복구조를 갖는 양자점을 유기금속 화학증착법을 사용하여 용이하게 형성함으로써, 그 양자점을 사용하는 광전소자의 출력을 증대시켜 광전소자의 광변환효율을 증대시키는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR100162865B1

公开(公告)日：1999-02-01

申请号：KR1019950004793

申请日：1995-03-09

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 민석기 ,  김무성 ,  김용

IPC: H01L21/205

CPC classification number: B82Y30/00 ,  B82Y10/00 ,  B82Y20/00 ,  C30B25/02 ,  C30B29/42

Abstract: An improved epitaxial growth rate varying method for a side surface of a semiconductor pattern capable of controlling a growth rate of a side surface of a semiconductor pattern by controlling the amount of CCl4 gas supplied when forming an epitaxial layer on a patterned GaAs substrate in a metalorganic chemical deposition method, thus fabricating a desired quantum wire, and which is characterized by controlling a side-surface growth rate of an epitaxial layer in accordance with the CCl4 doping gas flow rate while an epitaxial layer is formed on a patterned GaAs substrate in a metalorganic chemical deposition method and in achieving a desired substantial flatness.

公开(公告)号：KR1019980068604A

公开(公告)日：1998-10-26

申请号：KR1019970005288

申请日：1997-02-21

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김성일 ,  박영균 ,  김용 ,  김은규 ,  민석기

IPC: H01S3/00

Abstract: 본 발명은 전류차단구조와 활성층을 동시에 형성하는 광전소자의 전류차단구조 형성방법에 관한 것으로, 종래 광전소자의 전류차단구조 형성방법은 먼저, 갈륨비소기판에 전자선 또는 엑스선을 사용하여 V자형 또는 U자형의 홈을 형성하고, 상기 형성된 V자형 또는 U자형홈의 가장 깊은 곳에 양자점 또는 양자세선을 형성하며 그 다음, 상기 양자점 또는 양자세선이 형성된 갈륨비소기판상에 갈륨비소에피층을 성장시키고 그 갈륨비소에피층에 이온을 주입하거나 확산법을 사용하여 전류차단구조를 형성하여, 그 공정단계가 복잡하고, 미세구조를 형성하는 것이 용이하지 않은 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 갈륨비소와 산화알루미늄상에 갈륨비소에피층을 성장시켜 그 격자결함의 차를 이용하여 활성층과 전류차단구조를 동시에 형성함으로써 공정단계를 단순화하고, 용이하게 미세구조를 형성하며, 또한 그 수율을 증가시키는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR100130610B1

公开(公告)日：1998-04-06

申请号：KR1019940017508

申请日：1994-07-20

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 민석기 ,  김무성 ,  김용 ,  이민석

IPC: H01L21/302

Abstract: The quantum fine line manufacturing method is comprised of the step of (a) growing AlGaAs layer(20) on a GaAs substrate(10), then forming a photoresist mask(30) for digging a V-groove in [011 direction on the AlGaAs layer(20) by means of the photolithography, the step of (b) etching with etching solution which has volume ratio of H2SO4:H2O2:H2O=1:2:40 to form the V-groove, the step of (c) growing a plurality of GaAs(50) and AlGaAa(40) layers by means of the epitaxial growth method on the substrate where the V-groove is formed to form the quantum fine line(QWRs) in the center of the V-groove. Here, a side quantum well(side-MQWL) is formed in both sides of the quantum fine line simultaneously and a top quantum well(top-MQWL) is formed in the outside of the V-groove simultaneously.

Abstract translation: 量子细线制造方法包括以下步骤：（a）在GaAs衬底（10）上生长AlGaAs层（20），然后在AlGaAs的[011方向上形成用于挖掘V形槽的光致抗蚀剂掩模（30） （20），步骤（b）用H 2 SO 4 :H 2 O 2 :H 2 O = 1:2:40的体积比的蚀刻溶液蚀刻以形成V形槽，（c）生长步骤 通过外延生长法在多个GaAs（50）和AlGaAa（40）层上形成量子微细线（QWR）的衬底上形成V形槽，其中V型槽的中心。 这里，同时在量子微细线的两侧形成侧面量子阱（侧面MQWL），同时在V形槽的外侧形成顶部量子阱（顶部MQWL）。

公开(公告)号：KR1019970008839B1

公开(公告)日：1997-05-29

申请号：KR1019940009004

申请日：1994-04-27

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 민석기 ,  김무성 ,  김성일 ,  김용

IPC: H05B3/20

CPC classification number: C23C16/46 ,  H05B3/16

Abstract: Heater for chemical vapor deposition device, whereby the heating line that makes with the molybdenum and has a meandering shape, is located on the heating plate, and the heat-proof plate is located in the bottom and side of the heating plate in order to prevent the producting heat of the heat line from emitting.

Abstract translation: 用于化学气相沉积装置的加热器，由此与钼形成并具有曲折形状的加热线位于加热板上，并且防热板位于加热板的底部和侧面，以防止 发热线的产热。

公开(公告)号：KR1019950002178B1

公开(公告)日：1995-03-14

申请号：KR1019910011523

申请日：1991-07-08

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 민석기 ,  김용 ,  김무성

IPC: H01L21/205

Abstract: The method includes growing a GaAs epitaxial layer, i.e., a buffer layer to the thickness of more than 3 micron on a silicon layer, interrupting the GaAs epitaxial layer growth to grow a delta doping layer thereon at 700-750 degree C. by a metalorganic chemical vapor deposition, and growing a GaAs epitaxial layer, i.e., a covering layer thereon at 700-790 degree C., thereby preventing a dopant diffusion from accelerating.

Abstract translation: 该方法包括在硅层上生长厚度大于3微米的GaAs外延层，其中GaAs衬底生长在700-750摄氏度时通过金属有机物生长其上的δ掺杂层 化学气相沉积，并且在700-790℃下生长GaAs外延层，即其上的覆盖层，从而防止掺杂剂扩散加速。

公开(公告)号：KR1019990024426A

公开(公告)日：1999-04-06

申请号：KR1019970045523

申请日：1997-09-02

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김성일 ,  김용 ,  김은규 ,  민석기 ,  박영균 ,  손창식

IPC: H01L21/20

Abstract: 본 발명은 양자세선 제조방법에 관한 것으로, 종래의 양자세선 제조방법은 기판에 형성한 V자 또는 U자 홈의 크기와 모양에 따라 그 크기가 결정되는 양자세선을 형성하여, 특정소자에 적용시 양자세선의 크기를 조절할 수가 없어 그 양자세선을 포함하는 광전소자에 적용편이성이 감소하는 문제점이 있었다. 이와 같은 문제점을 감안한 본 발명은 기판에 형성한 홈의 모양과 크기에 관계없이 갈륨비소 에피층 형성시 CCl
4 또는 CBr
4 를 특정공정조건에서 주입하여, CCl
4 또는 CBr
4 농도와, 성장온도 및 Ⅴ/Ⅲ의 비를 조절하여 그 양자세선의 크기를 제어함으로써, 그 양자세선을 포함하는 광전소자의 제품적용성을 향상시키는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR100121333B1

公开(公告)日：1997-08-26

申请号：KR1019940009004

申请日：1994-04-27

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 민석기 ,  김무성 ,  김성일 ,  김용

IPC: H05B3/20

公开(公告)号：KR100085920B1

公开(公告)日：1995-06-19

申请号：KR1019910011523

申请日：1991-07-08

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 민석기 ,  김용 ,  김무성

IPC: H01L21/205

公开(公告)号：KR100279054B1

公开(公告)日：2001-02-01

申请号：KR1019980005950

申请日：1998-02-25

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김성일 ,  박영균 ,  손창식 ,  김용 ,  김은규 ,  민석기

IPC: H01L29/15

Abstract: 종래 기술을 이용하여 양자세선을 제작하면 양자세선의 모양이 초승달 모양으로 되어 수평방향의 광구속 효율이 떨어지고, 다층의 양자세선 제작시에 위쪽으로 올라갈수록 크기가 달라지는 단점을 가진다.
본 발명에서는 Ga(갈륨) 원자가 Al(알루미늄) 원자보다 확산이 잘 되는 특징을 이용하여, V 또는 U 자형 홈이 파진 GaAs 기판 위에 유기금속화학증착법(MOCVD) 방법으로 Al
x Ga
lx As/Al
y Ga
ly As (x > y) 다층에피층 성장시킴으로써 양자세선의 두께(thickness) 및 폭(width)을 정확하게 조절 할 수 있을 뿐 아니라 x 또는 y 값을 변화시켜서 다양한 폭 및 에너지 갭을 가지는 양자세선을 제작할 수 있다. 또한, 본 발명을 이용하면 사각형 모양의 양자세선을 얻을 수 있고, 따라서 수평방향의 광구속 효율이 증가하는 등 우수한 특성을 가진 양자세선의 제작이 가능하다.