公开(公告)号：KR100182372B1

公开(公告)日：1999-04-01

申请号：KR1019950051992

申请日：1995-12-19

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김은규 ,  민석기 ,  이민석

IPC: C23C16/40

Abstract: 본 발명은 오렌지색 발광 산화인듐박막의 형성방법에 관한 것으로, 넓은 에너지 밴드갭(3.6 eV) 구조를 가진 산화인듐(In
2 O
3 )박막으로부터 상온에서 안정된 가시광의 발광특성을 나타내는 박막을 형성함으로써 가시광 영역의 광소자에 응용할 수 있도록 하는 방법을 제공하려는 것으로, 열진공증착기를 이용하여 인듐을 증착하는 공정과, 열처리공정에 의하여 미소결정립을 갖는 다결정 산화인듐박막을 형성함으로써 노화 현상없이 안정되고 강한 오렌지색(1.95 eV) 발광특성을 얻을 수 있다. 따라서 본 발명은 넓은 에너지 밴드갭 구조를 갖는 절연성 산화인듐 재료로부터 상온 가시광의 발광특성을 나타내는 미소결정립의 다결정구조를 제작하는 방법을 제공함으로써 광소자에의 응용가능성을 제공할 수 있는 것이다.

公开(公告)号：KR100130610B1

公开(公告)日：1998-04-06

申请号：KR1019940017508

申请日：1994-07-20

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 민석기 ,  김무성 ,  김용 ,  이민석

IPC: H01L21/302

Abstract: The quantum fine line manufacturing method is comprised of the step of (a) growing AlGaAs layer(20) on a GaAs substrate(10), then forming a photoresist mask(30) for digging a V-groove in [011 direction on the AlGaAs layer(20) by means of the photolithography, the step of (b) etching with etching solution which has volume ratio of H2SO4:H2O2:H2O=1:2:40 to form the V-groove, the step of (c) growing a plurality of GaAs(50) and AlGaAa(40) layers by means of the epitaxial growth method on the substrate where the V-groove is formed to form the quantum fine line(QWRs) in the center of the V-groove. Here, a side quantum well(side-MQWL) is formed in both sides of the quantum fine line simultaneously and a top quantum well(top-MQWL) is formed in the outside of the V-groove simultaneously.

Abstract translation: 量子细线制造方法包括以下步骤：（a）在GaAs衬底（10）上生长AlGaAs层（20），然后在AlGaAs的[011方向上形成用于挖掘V形槽的光致抗蚀剂掩模（30） （20），步骤（b）用H 2 SO 4 :H 2 O 2 :H 2 O = 1:2:40的体积比的蚀刻溶液蚀刻以形成V形槽，（c）生长步骤 通过外延生长法在多个GaAs（50）和AlGaAa（40）层上形成量子微细线（QWR）的衬底上形成V形槽，其中V型槽的中心。 这里，同时在量子微细线的两侧形成侧面量子阱（侧面MQWL），同时在V形槽的外侧形成顶部量子阱（顶部MQWL）。

公开(公告)号：KR1019960005814A

公开(公告)日：1996-02-23

申请号：KR1019940017508

申请日：1994-07-20

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 민석기 ,  김무성 ,  김용 ,  이민석

IPC: H01L21/302

Abstract: 본 발명은 GaAs/ AlGaAs 기판을 이용한 양자세선 제작방법에 관한 것으로, 종래의 양자세선 제작방법은 직접 GaAs 기판위에 V홈을 형성하고 그 위에 에피성장(epitaxial growth)을 실시하여 양자세선을 제작하는데, 상기와 같은 종래 양자세선 제작방법은 기판상에 형성되는 V 홈에 의해 에피층의 울퉁불퉁하게 되는 문제점이 있었다. 본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위하여 기판에 AlGaAs를 한층 더 성장시킨후 V홈을 형성함으로써 보다 효과적으로 양자세선을 형성시키고, 확산 제한 용액을 이용하여 마스크없이 양지세선을 보호하면서 윗면 양자우물(top quantum well)을 효과적으로 제거하는 동시에 V홈 형성에 따른 울퉁불퉁한 에피층을 간단하게 평탄화하 수 있도록 하는 GaAs/AlGaAs기판을 이용한 양자세선 제작벙법을 제공하는 것이다.

公开(公告)号：KR1019970043274A

公开(公告)日：1997-07-26

申请号：KR1019950051992

申请日：1995-12-19

Applicant: 한국과학기술연구원

Inventor： 김은규 ,  민석기 ,  이민석

IPC: C23C16/40

Abstract: 본 발명은 오렌지색 발광 산화인듐박막의 형성방법에 관한 것으로, 넓은 에너지 밴드백(3.6eV) 구조를 가진 산화인듐(In2O3)박막으로부터 상혼에서 안정된 가시광의 발광특성을 나타내는 박막을 형성함으로써 가시광영역의 광소자에 응용할 수 있도록 하는 방법을 제공을 제공하녀는 것으로, 열신공증차기를 이용하여 인듐을 증착하는 공정과, 열처리공정에 의하여 미소결정립을 갖는 다결정 산화인듐박막을 형성함으로써 노화 현상없이 안정되고 강한 오렌지색(1.95eV) 발광특성을 얻을 수 있다. 따라서 본 발명은 넓은 에너지 밴드캡 구조를 갖는 절연성 산화인듐 재료로부터 상온 가시광의 발광특성을 나타내는 미소결정립의 다결정구조를 제작하는 방법을 제공함으로써 광소자에의 응용가능성을 제공할 수 있는 것이다.