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公开(公告)号：KR101638501B1
公开(公告)日：2016-07-11
申请号：KR1020150040939
申请日：2015-03-24
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: G01N27/414
CPC classification number: G01N27/4146
Abstract: 본발명은탑게이트(top gate) 구조의전계효과트랜지스터(FET, field effect transistor)를 pH센서로응용함에있어서, 게이트전극을은 나노선(Ag nanowire) 박막형태로구성하여게이트전극의비표면적을최대화하고이를통해수소이온농도측정의정확성및 신뢰도를향상시킬수 있는수소이온농도센서및 그제조방법에관한것으로서, 본발명에따른수소이온농도센서는기판; 상기기판상에구비된반도체활성층; 상기기판상에구비되며, 상기반도체활성층의양측부에각각접촉하는소스전극, 드레인전극; 상기반도체활성층, 소스전극및 드레인전극을포함한기판전면상에구비된게이트절연막; 상기게이트절연막에구비되는게이트전극; 및상기게이트절연막상에구비되어, 분석대상시료과게이트전극의접촉공간을제공하는시료유출입구조물을포함하여이루어지며, 상기게이트전극은은 나노선(Ag nanowire)이적층된구조인것을특징으로한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种氢离子浓度（pH）传感器及其制造方法，其使用顶栅结构的场效应晶体管（FET）构成银（Ag）纳米线薄膜形式的栅电极， pH传感器，以使栅电极的比表面积最大化，以提高pH测量的准确性和可靠性。 根据本发明，pH传感器包括：基底; 设置在所述基板上的半导体激活层; 源电极和漏电极，其设置在基板上并与半导体激活层的两侧接触; 栅极绝缘膜，设置在包括半导体激活层，源电极和漏电极的基板的整个表面上; 设置在所述栅极绝缘膜上的栅电极; 以及设置在栅极绝缘膜上以提供待分析样品和栅电极的接触空间的样品入口/出口结构。 栅电极具有沉积Ag纳米线的结构。
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公开(公告)号：KR1020130039017A
公开(公告)日：2013-04-19
申请号：KR1020110103436
申请日：2011-10-11
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: H01L31/1884 , B22F1/0025 , B22F3/10 , B22F9/24 , B82Y30/00 , C22C5/06 , C22C9/00 , C22C19/03 , H01B1/02 , H01B1/026 , H01L31/022466 , Y02E10/50
Abstract: PURPOSE: A metallic nanowire with high linearity is provided to facilitate nucleation, growth, and control of a particle diameter, thereby providing a metal nanowire with high aspect ratio and excellent dispersity in a coating solution. CONSTITUTION: A manufacturing method of metallic nanowires is provided to manufacture a first solution mixture by mixing and stirring polymer material and reducing agent into a solvent; a step of adding a first metal slat into the first solution mixture and obtaining a second solution mixture with metal seeds; and a step of forming metal nanowires by reacting a second metal salt with the second solution mixture. A manufacturing method of the metallic nanowire additionally comprises a step of coating the surface of the metal nanowires with one compound selected from Au, Pt, Ti, Ni, Al, W, and Co. The particle diameter of the metal nanowires is 20-50nm and the length is 30-50Mm. The metal is one selected from Ag, Cu, and Ni.
Abstract translation: 目的：提供具有高线性度的金属纳米线，以促进粒径的成核，生长和控制，从而提供具有高纵横比和优异的涂布溶液分散性的金属纳米线。 构成：提供金属纳米线的制造方法，通过将聚合物材料和还原剂混合并搅拌到溶剂中来制造第一溶液混合物; 将第一金属板条添加到第一溶液混合物中并与金属种子获得第二溶液混合物的步骤; 以及通过使第二金属盐与第二溶液混合物反应形成金属纳米线的步骤。 金属纳米线的制造方法还包括用Au，Pt，Ti，Ni，Al，W和Co中的一种化合物涂覆金属纳米线的表面的步骤。金属纳米线的粒径为20-50nm 长度为30-50Mm。 金属是选自Ag，Cu和Ni中的一种。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020150141398A
公开(公告)日：2015-12-18
申请号：KR1020140070073
申请日：2014-06-10
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본발명은저온소성용전도성잉크조성물및 이를이용한전도성패턴또는막의제조방법에관한것으로서나노또는마이크로크기의금속입자및 금속나노선을포함하는것을특징으로하며, 저온공정에서도인쇄성이우수하여전도성패턴또는막을형성할수 있으며, 이를기판에코팅하면기판접착성뿐만아니라전기전도도및 휨특성이우수하여플렉시블기판및 다양한기판에사용할수 있다. 또한, 본발명의전도성패턴또는막은금속입자및 금속나노선중 어느하나만을포함하는종래전도성잉크를이용한패턴또는막 보다저항이낮으므로, 상기와같은종래잉크를대체할수 있는저가의우수한전도성잉크조성물로활용가능하다.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于低温共烧的导电油墨组合物及其制造方法。 本发明包含纳米或微尺寸的金属颗粒和金属纳米线，即使在低温工艺中也可以形成具有优异的可印刷性的导电图案或层，并且可以用于各种基材，包括具有优异弯曲性能的柔性基材， 导电性，以及当涂覆在基材上时与基材的粘附性。 此外，本发明的导电图案或层使用在金属颗粒和金属纳米线之间仅含有一种材料的常规导电油墨的图案或层的电阻较低，因此可用作低成本导电油墨组合物 替代常规油墨。
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14.发明授权
公开(公告)号：KR101401571B1
公开(公告)日：2014-06-05
申请号：KR1020120093800
申请日：2012-08-27
Applicant: 한국과학기술연구원
CPC classification number: B41M3/006 , C09D11/52 , H05K1/092 , H05K2201/10083 , H05K2203/0514
Abstract: 본 발명은 전도성 이온 잉크 조성물, 그 제조방법 및 이를 이용한 고전도성 패턴 또는 막의 형성방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 금속 잉크 조성물은 산화안정성 및 분산성이 우수하여 미세하고 균일한 전도성 패턴 또는 막을 고밀도로 형성할 수 있음과 동시에 높은 전기전도도를 구현할 수 있다. 또한, 실온에서 용액법을 이용하여 잉크 조성물을 제조하고, 인쇄공정을 이용하여 전도성 패턴 또는 막을 형성하므로 전도성 잉크 조성물의 제조공정 효율이 및 패턴 형성공정 효율이 우수하고, 전도성 막의 대면적화와 연속공정에 의한 형성이 가능하다. 또한, 형성된 전도성 패턴 또는 막은 광소성 장치를 이용한 열처리 공정에 의해서 전기적 특성이 더욱 향상된다.
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公开(公告)号：KR101310051B1
公开(公告)日：2013-09-24
申请号：KR1020110117116
申请日：2011-11-10
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 금속 나노선 및 전도성 고분자를 포함하는 투명 전도막의 제조방법에 관한 것으로서, 표면에 Au, Pt, Ti, Ni, Al, W 및 Co 중에서 선택되는 어느 하나가 코팅된 금속 나노선을 제조하는 단계, 전도성 고분자와 상기 금속 나노선을 용매에 분산시켜 코팅 용액을 제조하는 단계 및 상기 코팅 용액을 기판에 코팅하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하며, 본 발명은 저온 공정에서도 투명 전도막 형성이 가능하며 장기간 안정적으로 우수한 물성을 갖는 투명 전도막의 제조가 가능하며, 금속 나노선의 표면에 간단한 용액 공정으로 귀금속을 코팅하고 이를 기판에 코팅하여 내열 및 내습성을 향상시킬 뿐만 아니라 바인더 첨가에 따른 저항 증가 문제도 해결할 수 있다. 또한, 기판 접착성 및 적용성이 우수하여 플렉시블 기판 및 다양한 기판에 사용할 수 있어 디스플레이 및 태양전지 소자 등 다양한 분야에 활용이 가능하며, 종래 ITO를 대체할 수 있는 저가의 우수한 투명전극으로 활용이 가능하다.
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公开(公告)号：KR1020100041474A
公开(公告)日：2010-04-22
申请号：KR1020080100681
申请日：2008-10-14
Abstract: PURPOSE: A lead-free transparent dielectric composition is provided to improve transmittance and anti-voltage while maintaining a uniform thickness of a film by using a lead-free transparent dielectric composition. CONSTITUTION: A ZnO-B2O3-BaO system transparent dielectric powder comprises ZnO 20 or 43 weight%, B2O3 20 or 30 weight%, BaO 10 or 20 weight%, SiO2 5 or 15 weight%, Bi2O3 20 or 30 weight%, R2O 0.5 or 3 weight%, Al2O3 0.5 or 3 weight%, MoO3 0.5 or 3 weight%, and WO3 0.2 or 1 weight%. The ZnO, the B2O3, the BaO, the SiO2, the Bi2O3, the R2O, the Al2O3, the MoO3, and the WO3 are mixed and fused. A cullet is made by quenching the mixture. The powder is manufactured by shattering the cullet.
Abstract translation: 目的：提供无铅透明电介质组合物，以通过使用无铅透明电介质组合物来保持膜的均匀度，从而提高透射率和抗电压。 构成：ZnO-B2O3-BaO系透明电介质粉末包含ZnO 20或43重量％，B 2 O 3或30重量％，BaO 10或20重量％，SiO 2 5或15重量％，Bi 2 O 3 20或30重量％，R 2 O 0.5 或3重量％，Al 2 O 3 0.5重量％或3重量％，MoO 3 0.5重量％或3重量％，WO 3 0.2重量％或1重量％。 将ZnO，B2O3，BaO，SiO2，Bi2O3，R2O，Al2O3，MoO3和WO3混合并熔融。 通过淬火混合物制成碎玻璃。 粉末通过粉碎碎玻璃制成。
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公开(公告)号：KR100924120B1
公开(公告)日：2009-10-29
申请号：KR1020070130752
申请日：2007-12-14
Applicant: 한국과학기술연구원
Abstract: 본 발명은 디스플레이 패널(display panel) 봉착용 무연 유리 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 어떠한 납도 실질적으로 함유하지 않고 산화물 기준 몰% 표시로 Bi
2 O
3 10 내지 20%, B
2 O
3 25 내지 40%, ZnO 15 내지 25%, SiO
2 10 내지 20%, Na
2 CO
3 5 내지 15%, 및 Al
2 O
3 1 내지 6%를 함유하는 유리 프릿 90 내지 97 중량%와 저팽창 세라믹 필러 3 내지 10 중량%를 함유하는 것을 특징으로 하는 디스플레이 패널 봉착용 무연 저융점 유리 조성물에 관한 것이다. 본 발명의 디스플레이 패널 봉착용 무연 저융점 유리 조성물은, 납 성분을 포함하지 않아 환경오염의 문제가 없으면서도, 저온에서 패널의 봉착이 가능하도록 연화점 및 유리전이점이 낮으면서 유동성이 우수하고, 저온소성됨에도 결정석출 등의 문제가 없어, 봉착 후의 신뢰성과 내구성이 우수한 평판 디스플레이 패널을 제조할 수 있으며, 고가의 Bi
2 O
3 함량이 낮아 제조 원가를 획기적으로 감소시킬 수 있다.
무연 유리 조성물, 디스플레이 패널 봉착, 저온 소성
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