수소이온농도 센서 및 그 제조방법
    1.
    发明授权
    수소이온농도 센서 및 그 제조방법 有权
    PH传感器及其制造方法

    公开(公告)号:KR101638501B1

    公开(公告)日:2016-07-11

    申请号:KR1020150040939

    申请日:2015-03-24

    CPC classification number: G01N27/4146

    Abstract: 본발명은탑게이트(top gate) 구조의전계효과트랜지스터(FET, field effect transistor)를 pH센서로응용함에있어서, 게이트전극을은 나노선(Ag nanowire) 박막형태로구성하여게이트전극의비표면적을최대화하고이를통해수소이온농도측정의정확성및 신뢰도를향상시킬수 있는수소이온농도센서및 그제조방법에관한것으로서, 본발명에따른수소이온농도센서는기판; 상기기판상에구비된반도체활성층; 상기기판상에구비되며, 상기반도체활성층의양측부에각각접촉하는소스전극, 드레인전극; 상기반도체활성층, 소스전극및 드레인전극을포함한기판전면상에구비된게이트절연막; 상기게이트절연막에구비되는게이트전극; 및상기게이트절연막상에구비되어, 분석대상시료과게이트전극의접촉공간을제공하는시료유출입구조물을포함하여이루어지며, 상기게이트전극은은 나노선(Ag nanowire)이적층된구조인것을특징으로한다.

    Abstract translation: 本发明涉及一种氢离子浓度(pH)传感器及其制造方法,其使用顶栅结构的场效应晶体管(FET)构成银(Ag)纳米线薄膜形式的栅电极, pH传感器,以使栅电极的比表面积最大化,以提高pH测量的准确性和可靠性。 根据本发明,pH传感器包括:基底; 设置在所述基板上的半导体激活层; 源电极和漏电极,其设置在基板上并与半导体激活层的两侧接触; 栅极绝缘膜,设置在包括半导体激活层,源电极和漏电极的基板的整个表面上; 设置在所述栅极绝缘膜上的栅电极; 以及设置在栅极绝缘膜上以提供待分析样品和栅电极的接触空间的样品入口/出口结构。 栅电极具有沉积Ag纳米线的结构。

Patent Agency Ranking