양자암호 단일 방향 전송시스템
    14.
    发明授权
    양자암호 단일 방향 전송시스템 有权
    量子系统

    公开(公告)号:KR100785520B1

    公开(公告)日:2007-12-13

    申请号:KR1020060072133

    申请日:2006-07-31

    CPC classification number: H04L9/0852 G02B6/03633 G02B6/03644 G02B6/2861

    Abstract: A quantum cryptography system is provided to enhance an operation stability of the cryptography system by compensating for a phase variation caused by a temperature variation between 0 and 30 degrees. A quantum cryptography system includes a transmitter(110) and a receiver(130), which are coupled with each other using a quantum channel(120). The transmitter includes a first optical fiber array, a first phase modulator, and an attenuator. The first optical fiber array includes long and short optical fibers. The first phase modulator modulates the signal on the long optical fiber. The attenuator generates two quanta from two signals, which are generated due to a path difference in the first optical fiber array. The receiver includes a second optical fiber array, a second phase modulator, and a detector. The second phase modulator modulates the signal on the long optical fiber. The detector detects the interference between the signals from the second optical fiber array.

    Abstract translation: 提供量子加密系统,以通过补偿由0和30度之间的温度变化引起的相位变化来增强密码系统的操作稳定性。 量子密码系统包括使用量子信道(120)彼此耦合的发射机(110)和接收机(130)。 发射机包括第一光纤阵列,第一相位调制器和衰减器。 第一光纤阵列包括长和短光纤。 第一相调制器调制长光纤上的信号。 衰减器由两个信号产生两个量子,这两个信号由于第一光纤阵列中的路径差产生。 接收机包括第二光纤阵列,第二相位调制器和检测器。 第二相调制器调制长光纤上的信号。 检测器检测来自第二光纤阵列的信号之间的干扰。

    프로브 구조물 및 그 제조방법
    15.
    发明授权
    프로브 구조물 및 그 제조방법 失效
    探针及其制造方法

    公开(公告)号:KR100980002B1

    公开(公告)日:2010-09-03

    申请号:KR1020080000144

    申请日:2008-01-02

    Abstract: 본 발명은 미세 피치의 웨이퍼 및 대면적의 웨이퍼를 효과적으로 테스트할 수 있으며, 제작 공정의 단순화 및 프로브의 재생을 용이하게 구현할 수 있는 프로브 구조물 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 프로브 구조물 제조방법은 프로브 구조물을 복수의 단위 프로브 패턴으로 구분하고, 각각의 단위 프로브 패턴을 단위 공정을 적용하여 형성하는 것을 특징으로 하며, 상기 단위 공정은, 단위 프로브 패턴 마스크를 형성하는 제 1 과정과, 상기 단위 프로브 패턴 마스크에 의해 노출된 영역 상에 단위 프로브 패턴을 형성하는 제 2 과정과, 상기 단위 프로브 패턴 마스크를 제거하는 제 3 과정과, 상기 단위 프로브 패턴을 포함한 전면 상에 금속 물질의 희생층을 형성하는 제 4 과정과, 상기 단위 프로브 패턴의 상부면이 노출되도록 상기 단위 프로브 패턴 및 희생층을 평탄화하는 제 5 과정을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 한다.
    프로브, 희생층, 일체형

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