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公开(公告)号:WO2019054555A1
公开(公告)日:2019-03-21
申请号:PCT/KR2017/012212
申请日:2017-11-01
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/0236 , H01L31/18 , H01L21/027 , H01L21/311 , H01L21/02
CPC classification number: H01L21/02601 , H01L21/0274 , H01L21/31116 , H01L31/02366 , H01L31/18
Abstract: 본 발명은 반도체 기판을 텍스쳐링하는 방법과, 이 방법에 의해 제조된 반도체 기판, 그리고, 이러한 반도체 기판을 포함하는 태양 전지를 개시하고 있다. 본 발명의 일실시예는, 반도체 기판 상에 금속 나노 입자를 형성하는 금속 나노 입자 형성 단계와, 상기 반도체 기판을 에칭하는 제1 식각 단계와, 상기 금속 나노 입자를 제거하는 금속 나노 입자 제거 단계, 그리고, 상기 제1 식각 단계에서 에칭된 반도체 기판을 에칭하여 나노 구조체를 형성하는 제2 식각 단계를 포함하는 반도체 기판을 텍스쳐링하는 방법을 제공한다.
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公开(公告)号:WO2019054550A1
公开(公告)日:2019-03-21
申请号:PCT/KR2017/011586
申请日:2017-10-19
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/032 , H01L31/0224 , H01L31/0304 , H01L31/0392 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/022441 , H01L31/022466 , H01L31/03046 , H01L31/0324 , H01L31/03923 , H01L31/18
Abstract: 본 발명의 일관점에 따르면 기판; 상기 기판 상부에 형성된 투명 전도성 산화물 후면전극; 상기 투명 전도성 산화물 후면전극의 상부에 형성된 적어도 Cu, Ga 및 Ag을 포함하는 칼코게나이드계 광흡수층; 및 상기 칼코게나이드계 광흡수층 상부에 형성된 투명 전도성 산화물 전면전극을 포함하며, 상기 칼코게나이드계 광흡수층이 상기 투명 전도성 산화물 후면전극에 접하는 계면영역에는 Cu의 함량이 상기 칼코게나이드계 광흡수층의 평균 Cu 함량에 비해 상대적으로 높은 Cu-과잉영역이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는, 칼코게나이드계 태양전지가 제공된다.
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公开(公告)号:KR101958930B1
公开(公告)日:2019-03-19
申请号:KR1020170156540
申请日:2017-11-22
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/0725 , H01L31/05 , H01L31/046 , H01L31/0224 , H01L31/032 , H01L31/18
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公开(公告)号:KR101919487B1
公开(公告)日:2018-11-19
申请号:KR1020170117578
申请日:2017-09-14
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/0236 , H01L31/18 , H01L21/311 , H01L21/02
Abstract: 본발명은반도체기판을텍스쳐링하는방법과, 이방법에의해제조된반도체기판, 그리고, 이러한반도체기판을포함하는태양전지를개시하고있다. 본발명의일실시예는, 반도체기판상에금속나노입자를형성하는금속나노입자형성단계와, 상기반도체기판을에칭하는제1 식각단계와, 상기금속나노입자를제거하는금속나노입자제거단계, 그리고, 상기제1 식각단계에서에칭된반도체기판을에칭하여나노구조체를형성하는제2 식각단계를포함하는반도체기판을텍스쳐링하는방법을제공한다.
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公开(公告)号:KR101909944B1
公开(公告)日:2018-10-19
申请号:KR1020170096384
申请日:2017-07-28
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/0224 , H01L31/0445 , H01L31/0392 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/022441 , H01L31/0392 , H01L31/0445 , H01L31/18
Abstract: 레이저가공이용이한후면전극을가지는박막태양전지및 그제조방법이제공된다. 상기박막태양전지는기판상에배치되는후면전극을포함하고, 상기후면전극은상기기판쪽계면에위치하고제1 구조를갖는제1 부분영역(first domain); 상기기판쪽계면과반대쪽에위치하고제2 구조를갖는제2 부분영역(second domain); 및상기제1 부분영역과상기제2 부분영역사이에존재하고, 상기제1 부분영역으로부터상기제2 부분영역으로향하는방향으로구조가상기제1 구조에서상기제2 구조로점진적으로변하는제1 구배부분영역(first gradient domain);을포함한다. 상기박막태양전지는박막태양전지의스크라이빙공정에서후면전극의레이저스크라이빙공정에의한가공성을향상시킬수 있다.
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公开(公告)号:KR1020160091027A
公开(公告)日:2016-08-02
申请号:KR1020150011097
申请日:2015-01-23
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/0749 , H01L31/0236
CPC classification number: Y02E10/50 , H01L31/0749 , H01L31/02366 , H01L31/0322
Abstract: 폴리이미드기판구조는, 폴리이미드기판; 폴리이미드기판위에형성된금속전극층; 폴리이미드기판의양 표면중 적어도하나의면에형성되고, 열팽창률이금속전극층의열팽창률보다작은물질로구성되는열팽창억제층; 폴리이미드기판및 열팽창억제층사이의계면접찹력을향상시키기위해폴리이미드기판및 열팽창억제층사이에형성되는계면접착층; 및열팽창억제층의손상을억제하기위해열팽창억제층상에형성되는캡핑층을포함한다. 이러한폴리이미드기판구조는박막태양전지에적용할수 있고, 이에따라, 폴리이미드의유효열팽창률을감소시켜서태양전지셀의균열및 박리현상을억제하고, 광흡수층과폴리이미드기판간열팽창불일치로인해발생하는기판의휨 현상을완화할수 있다. 이를통해, 유연박막태양전지제조공정의불량률감소, 생산성향상을기대할수 있고, 광전변환효율열화를최소화할수 있다.
Abstract translation: 聚酰亚胺基板结构包括:聚酰亚胺基板; 形成在聚酰亚胺基板上的金属电极层; 所述热膨胀抑制层形成在所述聚酰亚胺基板的至少一个相对表面上并且由具有低于所述金属电极层的热膨胀率的热膨胀率的材料形成; 在所述聚酰亚胺基板和所述热膨胀抑制层之间形成的界面粘合层,以改善所述聚酰亚胺基板和所述热膨胀抑制层之间的界面粘合力; 以及形成在热膨胀抑制层上以抑制对热膨胀抑制层的损伤的覆盖层。 聚酰亚胺基板结构可以应用于薄膜太阳能电池,因此,聚酰亚胺的有效热膨胀率降低,从而可以抑制太阳能电池的裂纹和分层现象,并且生成基板的弯曲 由于光吸收层和聚酰亚胺基板的热膨胀率之间的差异可以减轻。 由此,能够期待柔性薄膜太阳能电池的制造工序的误差率的降低,生产率的提高,能够使光电转换效率的降低最小化。
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公开(公告)号:KR101352537B1
公开(公告)日:2014-01-21
申请号:KR1020120061357
申请日:2012-06-08
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/042 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/022483 , H01L31/1884 , Y02E10/50
Abstract: 본 발명은 Se 또는 S계 광흡수층 기반 박막태양전지에 있어서 하부 투명전극층의 구조를 제어함으로써 상부 투명전극층의 결정성 및 전기적 특성을 향상시킬 수 있는 Se 또는 S계 박막태양전지 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 Se 또는 S계 박막태양전지는 광흡수층 및 전면 투명전극층을 구비하는 Se 또는 S계 박막태양전지에 있어서, 상기 전면 투명전극층은 하부 투명전극층과 상부 투명전극층으로 구성되며, 상기 하부 투명전극층은 비정질 구조의 산화물계 박막으로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
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公开(公告)号:KR1020130137810A
公开(公告)日:2013-12-18
申请号:KR1020120061357
申请日:2012-06-08
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/042 , H01L31/18
CPC classification number: H01L31/022483 , H01L31/1884 , Y02E10/50
Abstract: The present invention relates to an Se or S based thin film solar cell and a manufacturing method thereof, capable of improving the crystallization and electrical properties of a top transparent electrode layer by controlling the structure of a bottom transparent electrode layer in an Se or S based light absorption layer-based thin film solar cell. The Se or S based thin film solar cell according to the present invention includes a light absorption layer and a front transparent electrode layer. The front transparent electrode layer is composed of a bottom transparent electrode layer and a top transparent electrode layer. The bottom transparent electrode layer is composed of an oxide thin film of an amorphous structure.
Abstract translation: 本发明涉及一种通过控制基于Se或S的底部透明电极层的结构而能够改善顶部透明电极层的结晶和电性能的Se或S基薄膜太阳能电池及其制造方法 基于光吸收层的薄膜太阳能电池。 根据本发明的Se或S基薄膜太阳能电池包括光吸收层和前透明电极层。 前透明电极层由底部透明电极层和顶部透明电极层构成。 底部透明电极层由非晶结构的氧化物薄膜构成。
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公开(公告)号:KR1020130093272A
公开(公告)日:2013-08-22
申请号:KR1020120014718
申请日:2012-02-14
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L31/078 , H01L31/05
CPC classification number: Y02E10/542 , Y02P70/521 , H01L31/078 , H01L31/05
Abstract: PURPOSE: A tandem solar cell with an improved transmittance is provided to improve efficiency by obtaining an optical current with a low thickness and reducing a light scattering effect. CONSTITUTION: A tandem solar cell is formed by serially combining a dye-sensitized solar cell with a copper indium gallium selenium solar cell. A light absorbing layer of the dye-sensitized solar cell includes TiO2 particles. The diameter of the TiO2 particle is 5 to 15 nm. An antireflection layer is formed on an interface between the dye-sensitized solar cell and the copper indium gallium selenium solar cell. The copper indium gallium selenium solar cell includes a plurality of metal electrode layers, a copper indium gallium selenium absorbing layer, and a metal oxide layer.
Abstract translation: 目的:提供透射率提高的串联太阳能电池,以通过获得具有低厚度的光电流并减少光散射效应来提高效率。 构成:串联太阳能电池通过将染料敏化太阳能电池与铜铟镓硒太阳能电池串联组合而形成。 染料敏化太阳能电池的光吸收层包括TiO 2颗粒。 TiO 2粒子的直径为5〜15nm。 在染料敏化太阳能电池和铜铟镓硒太阳能电池之间的界面上形成抗反射层。 铜铟镓硒太阳能电池包括多个金属电极层,铜铟镓硒吸收层和金属氧化物层。
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公开(公告)号:KR101259382B1
公开(公告)日:2013-04-30
申请号:KR1020117012409
申请日:2008-11-19
Applicant: 한국과학기술연구원
IPC: H01L41/113 , H01L41/08
CPC classification number: F03G7/065
Abstract: 초소형 작동기로서, 일단이 고정된 기판과, 상기 기판 위에 증착된, 상변화시 상변화 속도, 변형율 및 응력이 큰 상변화 막과, 상기 상변화 물질 막 위에 증착된 보호 절연막과, 상기 상변화 막의 상변화를 유도하기 위한 열에너지 공급을 위한 전류 펄스 공급장치를 포함하고, 상기 상변화 막의 상변화에 따른 그 부피 및 잔류응력의 변화로 상기 기판의 타단을 움직이도록 하는 것을 특징으로 한다. 상변화 막은 칼코지나이드 상변화 물질로 형성된다.
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