Abstract:
다단 빔포밍 시스템을 위한 통신 방법 및 장치를 개시한다. 본 발명의 방법은, 기지국으로부터 송출되는 아날로그 빔들의 우선도를 나타내는 통계적 채널 정보를 결정하는 과정과, 상기 통계적 채널 정보와 상기 아날로그 빔들 중 상기 기지국에 의해 실제 통신에 사용된 아날로그 빔들에 근거하여, 디지털 빔포밍을 위한 적응적 코드북을 구성하는 과정과, 상기 적응적 코드북을 기반으로 상기 디지털 빔포밍을 통해 상기 기지국과 통신하는 과정을 포함한다.
Abstract:
표면 플라즈모닉 컬러 필터의 제조 방법은, (a) 기판 위에 광결정 구조를 형성하는 단계와, (b) 광결정 구조 위에 제1 유전체층을 형성하는 단계; (c) 제1 유전체층 위에 금속막을 형성하는 단계와, (d) 금속막 위에 감광층을 형성하는 단계와, (e) 감광층에 레이저 간섭무늬를 조사하여 감광층에 주기성을 가지는 나노 홀 어레이(nano hole array)를 형성하는 단계와, (f) 감광층의 나노 홀 어레이를 이용하여 금속막을 식각(etching)하여 금속막에 나노 홀 어레이를 형성하는 단계와, (g) 나노 홀 어레이를 가지는 감광층을 나노 홀 어레이가 형성된 금속막으로부터 제거하고 나노 홀 어레이가 형성된 금속막 위에 제1 유전체층에 포함된 유전물질과 동일한 유전물질을 포함하는 제2 유전체층을 형성하는 단계를 포함한다. 광결정 구조의 차단 파장 대역과 나노 홀 어레이의 투과 파장 대역은 서로 다르다.
Abstract:
The present invention relates to a method of setting an analog beam forming coefficient and a device for supporting the same. A method for controlling an antenna in a base station according to an embodiment of the present invention is configured to comprise the steps of measuring an n-th received signal strength with respect to an n-th phase of at least one received antenna; measuring an n+1 th received signal strength with respect to an n+1 th phase to randomly change the n phase forward or backward; and comparing the received signal strength to set the beam forming coefficient to the phase having the maximum received signal strength. According to the present invention, the method enables to set the beam forming coefficient suitable for general cellular environments using multiple analog array antennas without an overhead associated with channel estimation.
Abstract:
A manufacturing method of a surface plasmonic color filter includes the steps of: (a) forming a metal film on a substrate; (b) forming a photosensitive layer on the metal layer; (c) forming a periodical nono hole array on the photosensitive layer by emitting a laser interference pattern on the photosensitive layer; (d) etching the metal film by using the nano hole array on the photosensitive layer to form another nano hole array on the metal film; and (e) removing the photosensitive layer with the nano hole array from the metal film with the nano hole array and forming a dielectric layer on the metal layer with the nano hole array.