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公开(公告)号：KR101158661B1
公开(公告)日：2012-06-26
申请号：KR1020110053914
申请日：2011-06-03
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: H04L27/2627
Abstract: PURPOSE: An OFDM(Orthogonal Frequency Division Multiplexing) circuit based on RF technology and a signal processing apparatus using the same are provided to the super high speed wireless transmission of more than 1Gbps in 1024 OFDMby performing the transmission of more than 1-10Mbps in one carrier wave. CONSTITUTION: A digital signal source(100) of the number of d×b generates carrier waves of the number of d×b by successively receiving a frequency locking signal having a signal value of the number of d×b. The digital signal source generates a digital modulation signal of the number of d×b by using the carrier waves of the number of d×b. The digital signal source comprises a spin digitally controlled oscillator(110) and a spin modulator(120) generating the digital modulation signal. A digital modulation controller(300) generates a modulated control signal of the number of d×b to control a digital spin modulation operation of the spin modulator. An amplifier(400) is located in an output terminal of an RF base OFDM circuit.
Abstract translation: 目的：基于RF技术的OFDM（正交频分复用）电路和使用该技术的信号处理装置，通过在1024个OFDM中执行超过1〜10Mbps的传输，提供1024个OFDM中超过1Gbps的超高速无线传输 载波。 构成：数字d×b的数字信号源（100）通过连续地接收具有d×b的信号值的频率锁定信号，生成d×b数的载波。 数字信号源通过使用数量为d×b的载波产生数字d×b的数字调制信号。 数字信号源包括自旋数字控制振荡器（110）和产生数字调制信号的自旋调制器（120）。 数字调制控制器（300）产生d×b数的调制控制信号，以控制自旋调制器的数字自旋调制操作。 放大器（400）位于RF基OFDM电路的输出端。
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公开(公告)号：KR1020160089141A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：KR1020150008700
申请日：2015-01-19
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/8226 , H03K3/59 , H01L27/02
CPC classification number: H03K19/16 , B82Y25/00 , G11C11/16 , H01L29/66984 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/10 , H03B15/006 , H03K19/018578 , H01L21/8226 , H01L27/0218 , H03K3/59
Abstract: 네거티브커패시턴스로직디바이스는제1 전계효과트랜지스터(field effect transistor, 이하 FET) 및제2 FET를포함한다. 상기제1 FET는전원전압과출력노드사이에연결되고, 네거티브커패시턴스를강유전체를구비한다. 상기제2 FET는상기출력노드와접지전압사이에연결되고, 네거티브커패시턴스를갖는강유전체를구비한다. 상기네거티브커패시턴스로직디바이스는입력노드에인가되는입력전압을미분하여상기출력노드로출력전압을제공한다.
Abstract translation: 负电容逻辑器件包括第一场效应晶体管（FET）和第二FET。 第一FET连接在电源电压和输出节点之间，并且包括具有负电容的铁电物质。 第二FET连接在输出节点和接地电压之间，并且包括具有负电容的铁电物质。 负电容逻辑器件区分施加到输入节点的输入电压并向输出节点提供输出电压。 因此，负电容逻辑器件可以减少占用面积。
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公开(公告)号：KR101621604B1
公开(公告)日：2016-05-17
申请号：KR1020140028229
申请日：2014-03-11
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L29/772 , H01L21/336 , H01L21/31 , H01L41/297
Abstract: 금속절연체전이를이용한트랜지스터및 이를제조하는방법이개시된다. 일실시예에따른트랜지스터는서로다른물질이적층된기판; 상기기판의양 측에형성되는소스와드레인; 및상기기판의상단에형성되며압전물질(Piezoelectric Material)로이루어지는게이트를포함하고, 상기게이트에전기적신호가가해지는경우, 상기압전물질에의해상기기판은변형(Strain)이발생되어상기서로다른절연물질이적층된경계면에금속절연체전이(Metal-Insulator Transition)가발생되고, 상기금속절연체전이에의해채널이형성되어상기소스와상기드레인사이에전류가흐를수 있다.
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公开(公告)号：KR101382255B1
公开(公告)日：2014-04-10
申请号：KR1020120028732
申请日：2012-03-21
Applicant: 한국과학기술원
Abstract: 본 발명은 스핀 나노소자 어레이에서 발진신호에 사용자 정보를 실어 선택적으로 또는 동시에 주파수 변조 또는/및 진폭변조를 하여 무선으로 전송하는 변조기.에 관한 것으로서, 나노 사이즈로 만들어지는 스핀 나노소자를 nxm 어레이 구조로 만들고, 요구되는 스핀 나노소자를 초고주파 신호에 실어 전달하고자 하는 정보에 따라 선택하여 별도로 또는 동시에 진폭변조와 주파수 변조 및 복조를 하는 구조이다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020170065039A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：KR1020150170363
申请日：2015-12-02
Applicant: 에스케이하이닉스 주식회사 , 한국과학기술원
Abstract: 본원의제1 발명에따른비휘발성메모리장치는, 전원전압단과메모리셀 노드사이에배치되어상기메모리셀 노드에일정값의기준전류를지속적으로제공하여상기메모리셀 노드에연속전위를인가하는기준전류원; 상기메모리셀 노드에서검출되는노드전위와상기메모리셀 노드에인가하는기준전위를비교하여상기노드전위를상기기준전위에수렴시키는네거티브피드백부; 반도체소자의문턱전압을이용하여상기노드전위를검출하는전위검출부; 상기전위검출부의출력에응답하여상기기준전위를조정하기위한기준치제어신호를생성하는기준치제어부; 및상기기준치제어신호에응답하여상기기준전위를발생시키는기준치발생부를포함한다.
Abstract translation: 根据本发明的第一方面的非易失性存储器设备被设置在电源电压级和一个存储单元节点的参考电流源，用于施加连续电压施加到存储单元节点继续提供预定值的基准电流提供给存储器单元节点之间 。 负反馈部分相比，施加到节点电位到存储器单元节点中的存储单元的节点被检测到的收敛节点电位为基准电位的基准电位; 一种电位检测器，用于使用半导体器件的阈值电压检测节点电位; 基准值控制部，其响应于所述电压检测产生一参考值控制信号用于调整所述参考电势的输出; 及用于响应于所述参考值控制信号产生基准电位的基准值生成部。
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公开(公告)号：KR101490999B1
公开(公告)日：2015-02-09
申请号：KR1020130095587
申请日：2013-08-12
Applicant: 한국과학기술원 , 한국기초과학지원연구원 , 한국과학기술연구원
CPC classification number: H04L27/04 , H01F10/32 , H01F10/329 , H01L43/00 , H03B15/006 , H04L5/0005 , H04L5/06 , H04L25/4917 , H04L27/06
Abstract: 본 발명은 서로 다른 주파수 특성을 갖고, 입력 데이터를 OOK 변조 또는 멀티레벨 ASK 변조하여 다중대역의 OOK 변조신호 또는 다중대역의 멀티레벨 ASK 변조신호를 출력하는 복수의 스핀토크전달소자, 상기 복수의 스핀토크전달소자의 개별 임피던스를 정합하는 복수의 정합 네트워크 및 상기 복수의 정합 네트워크의 일단부로부터 상기 다중대역의 OOK 변조신호 또는 상기 다중대역의 멀티레벨 ASK 변조신호를 전송받아 동시에 외부로 송신하는 광대역 안테나를 포함하는 것을 특징으로 하는 다중대역 주파수와 진폭을 동시에 변조하는 스핀트로닉스 무선통신 시스템에 관한 것이다.
Abstract translation: 本发明涉及用于同时调制多频带频率和振幅的自旋电子学无线通信系统。 自旋电子学无线通信系统包括多个自旋扭矩传递元件，多个匹配网络和宽带天线。 自旋转矩传递元件具有各自不同的频率特性; 将OOK调制或多级ASK调制应用于输入数据; 并输出多频带OOK调制信号或多频带多电平ASK调制信号。 匹配网络匹配自旋扭矩传递元件的单个阻抗。 宽带天线从匹配网络的每一端接收多频带OOK调制信号或多频带多电平ASK调制信号，同时将信号发送到外部。
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公开(公告)号：KR1020160133114A
公开(公告)日：2016-11-22
申请号：KR1020150065742
申请日：2015-05-12
Applicant: 한국과학기술원 , 한국기초과학지원연구원
Abstract: 오실레이터는비자성층, 제1 자성층및 제2 자성층을포함한다. 비자성층은입력전류에기초하여생성되는스핀전류에해당하는스핀의방향이양의방향으로편극된스핀전류및 음의방향으로편극된스핀전류를제공한다. 제1 자성층은비자성층의상면에배치된다. 제1 자성층은스핀의방향이양의방향으로편극된스핀전류에의해제1 자성이변동하여제1 오실레이션신호를제공한다. 제2 자성층은비자성층의하면에배치된다. 제2 자성층은스핀의방향이음의방향으로편극된스핀전류에의해제2 자성이변동한다. 본발명의실시예들에따른오실레이터는입력전류에기초하여생성되는스핀의방향이양의방향으로편극된스핀전류, 음의방향으로편극된스핀전류및 입력전류에의해생성되는자기장에기초하여오실레이션신호를제공함으로써출력을높일수 있다.
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公开(公告)号：KR1020160006846A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：KR1020140086057
申请日：2014-07-09
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: H03B15/006 , H01L27/22 , H01L29/1008 , H01L29/66234 , H01L29/66568 , H01L29/66984 , H01L29/735 , H01L29/78 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/12 , H03L7/26 , H03B15/00
Abstract: 본발명은트랜지스터와결합하여직접화한고출력스핀발진기에관한것으로서, 스핀발진기는발진기능을하고트랜지스터는스핀발진기의발진신호를입력받아증폭하는기능을하며, FET 또는 BJT상에스핀발진기를집적화하는것을특징으로한다.
Abstract translation: 本发明涉及与晶体管集成的大功率自旋振荡器。 自旋振荡器执行振荡功能，并且晶体管执行接收和放大自旋振荡器的振荡信号的功能。 自旋振荡器集成在FET或BJT上。
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公开(公告)号：KR1020150106476A
公开(公告)日：2015-09-22
申请号：KR1020140028229
申请日：2014-03-11
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L29/772 , H01L21/336 , H01L21/31 , H01L41/297
CPC classification number: H01L29/772 , H01L21/31 , H01L21/326 , H01L29/78 , H01L29/82
Abstract: 금속 절연체 전이를 이용한 트랜지스터 및 이를 제조하는 방법이 개시된다.
서로 다른 물질이 적층된 기판; 상기 기판의 양 측에 형성되는 소스와 드레인; 및 상기 기판의 상단에 형성되며 압전 물질(Piezoelectric Material)로 이루어지는 게이트를 포함한다.Abstract translation: 公开了使用金属绝缘体转变的晶体管及其制造方法。 晶体管包括：在其上堆叠不同材料的衬底; 源极和漏极，形成在基板的两侧; 以及形成在基板的上侧并由压电材料制成的栅极。
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