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公开(公告)号：KR1020160089141A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：KR1020150008700
申请日：2015-01-19
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/8226 , H03K3/59 , H01L27/02
CPC classification number: H03K19/16 , B82Y25/00 , G11C11/16 , H01L29/66984 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/10 , H03B15/006 , H03K19/018578 , H01L21/8226 , H01L27/0218 , H03K3/59
Abstract: 네거티브커패시턴스로직디바이스는제1 전계효과트랜지스터(field effect transistor, 이하 FET) 및제2 FET를포함한다. 상기제1 FET는전원전압과출력노드사이에연결되고, 네거티브커패시턴스를강유전체를구비한다. 상기제2 FET는상기출력노드와접지전압사이에연결되고, 네거티브커패시턴스를갖는강유전체를구비한다. 상기네거티브커패시턴스로직디바이스는입력노드에인가되는입력전압을미분하여상기출력노드로출력전압을제공한다.
Abstract translation: 负电容逻辑器件包括第一场效应晶体管（FET）和第二FET。 第一FET连接在电源电压和输出节点之间，并且包括具有负电容的铁电物质。 第二FET连接在输出节点和接地电压之间，并且包括具有负电容的铁电物质。 负电容逻辑器件区分施加到输入节点的输入电压并向输出节点提供输出电压。 因此，负电容逻辑器件可以减少占用面积。
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公开(公告)号：KR101701145B1
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：KR1020150008700
申请日：2015-01-19
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/8226 , H03K3/59 , H01L27/02
CPC classification number: H03K19/16 , B82Y25/00 , G11C11/16 , H01L29/66984 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/10 , H03B15/006 , H03K19/018578
Abstract: 네거티브커패시턴스로직디바이스는제1 전계효과트랜지스터(field effect transistor, 이하 FET) 및제2 FET를포함한다. 상기제1 FET는전원전압과출력노드사이에연결되고, 네거티브커패시턴스를강유전체를구비한다. 상기제2 FET는상기출력노드와접지전압사이에연결되고, 네거티브커패시턴스를갖는강유전체를구비한다. 상기네거티브커패시턴스로직디바이스는입력노드에인가되는입력전압을미분하여상기출력노드로출력전압을제공한다.
Abstract translation: 负电容逻辑器件包括第一场效应晶体管（FET）和第二FET。 第一FET耦合在电源电压和输出节点之间，并且第一FET包括具有负电容的铁电体。 第二FET耦合在输出节点和接地电压之间，第二FET包括具有负电容的铁电体。 负电容逻辑区分施加到输入节点的输入电压以在输出节点处提供输出电压。
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公开(公告)号：KR101695468B1
公开(公告)日：2017-01-13
申请号：KR1020140086057
申请日：2014-07-09
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: H03B15/006 , H01L27/22 , H01L29/1008 , H01L29/66234 , H01L29/66568 , H01L29/66984 , H01L29/735 , H01L29/78 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/12 , H03L7/26
Abstract: 본발명은트랜지스터와결합하여직접화한고출력스핀발진기에관한것으로서, 스핀발진기는발진기능을하고트랜지스터는스핀발진기의발진신호를입력받아증폭하는기능을하며, FET 또는 BJT상에스핀발진기를집적화하는것을특징으로한다.
Abstract translation: 示例性实施例涉及通过组合晶体管而被集成的高功率自旋转矩振荡器。 根据示例性实施例的高功率自旋扭矩振荡器可以包括自旋扭矩振荡器和晶体管。 自旋转矩振荡器可以执行振荡功能，并且晶体管可以通过将自旋转矩振荡器和晶体管集成在一个芯片中来执行放大功能。 晶体管可以放大自旋扭矩振荡器的放大信号。 高功率自旋转矩振荡器可以集成在FET或BJT上。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020160133114A
公开(公告)日：2016-11-22
申请号：KR1020150065742
申请日：2015-05-12
Applicant: 한국과학기술원 , 한국기초과학지원연구원
Abstract: 오실레이터는비자성층, 제1 자성층및 제2 자성층을포함한다. 비자성층은입력전류에기초하여생성되는스핀전류에해당하는스핀의방향이양의방향으로편극된스핀전류및 음의방향으로편극된스핀전류를제공한다. 제1 자성층은비자성층의상면에배치된다. 제1 자성층은스핀의방향이양의방향으로편극된스핀전류에의해제1 자성이변동하여제1 오실레이션신호를제공한다. 제2 자성층은비자성층의하면에배치된다. 제2 자성층은스핀의방향이음의방향으로편극된스핀전류에의해제2 자성이변동한다. 본발명의실시예들에따른오실레이터는입력전류에기초하여생성되는스핀의방향이양의방향으로편극된스핀전류, 음의방향으로편극된스핀전류및 입력전류에의해생성되는자기장에기초하여오실레이션신호를제공함으로써출력을높일수 있다.
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公开(公告)号：KR1020160006846A
公开(公告)日：2016-01-20
申请号：KR1020140086057
申请日：2014-07-09
Applicant: 한국과학기술원
CPC classification number: H03B15/006 , H01L27/22 , H01L29/1008 , H01L29/66234 , H01L29/66568 , H01L29/66984 , H01L29/735 , H01L29/78 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/12 , H03L7/26 , H03B15/00
Abstract: 본발명은트랜지스터와결합하여직접화한고출력스핀발진기에관한것으로서, 스핀발진기는발진기능을하고트랜지스터는스핀발진기의발진신호를입력받아증폭하는기능을하며, FET 또는 BJT상에스핀발진기를집적화하는것을특징으로한다.
Abstract translation: 本发明涉及与晶体管集成的大功率自旋振荡器。 自旋振荡器执行振荡功能，并且晶体管执行接收和放大自旋振荡器的振荡信号的功能。 自旋振荡器集成在FET或BJT上。
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公开(公告)号：KR101696295B1
公开(公告)日：2017-01-23
申请号：KR1020150065742
申请日：2015-05-12
Applicant: 한국과학기술원 , 한국기초과학지원연구원
Abstract: 오실레이터는비자성층, 제1 자성층및 제2 자성층을포함한다. 비자성층은입력전류에기초하여생성되는스핀전류에해당하는스핀의방향이양의방향으로편극된스핀전류및 음의방향으로편극된스핀전류를제공한다. 제1 자성층은비자성층의상면에배치된다. 제1 자성층은스핀의방향이양의방향으로편극된스핀전류에의해제1 자성이변동하여제1 오실레이션신호를제공한다. 제2 자성층은비자성층의하면에배치된다. 제2 자성층은스핀의방향이음의방향으로편극된스핀전류에의해제2 자성이변동한다. 본발명의실시예들에따른오실레이터는입력전류에기초하여생성되는스핀의방향이양의방향으로편극된스핀전류, 음의방향으로편극된스핀전류및 입력전류에의해생성되는자기장에기초하여오실레이션신호를제공함으로써출력을높일수 있다.
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公开(公告)号：KR101541763B1
公开(公告)日：2015-08-06
申请号：KR1020140004770
申请日：2014-01-14
Applicant: 한국과학기술원 , 한국기초과학지원연구원
IPC: G01R33/06
Abstract: 본발명은자기장세기에따라주파수가변동되는발진신호를출력하고, 병렬연결되고자기이방성필드가상이하게제조된복수의스핀토크형소자및 상기복수의스핀토크형소자에전류를공급하는전원부를포함하고, 특정자기장세기의자기장인가소자가상기복수의스핀토크형소자중 하나로부터소정거리내에위치하면상기복수의스핀토크형소자가동기화(synchronization)되어출력레벨은높아지고주파수는동기화된신호를출력하여자기장을감지하는것을특징으로하는자기센서에관한것이다.
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公开(公告)号：KR1020150084606A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：KR1020140004770
申请日：2014-01-14
Applicant: 한국과학기술원 , 한국기초과학지원연구원
IPC: G01R33/06
Abstract: 본발명은자기장세기에따라주파수가변동되는발진신호를출력하고, 병렬연결되고자기이방성필드가상이하게제조된복수의스핀토크형소자및 상기복수의스핀토크형소자에전류를공급하는전원부를포함하고, 특정자기장세기의자기장인가소자가상기복수의스핀토크형소자중 하나로부터소정거리내에위치하면상기복수의스핀토크형소자가동기화(synchronization)되어출력레벨은높아지고주파수는동기화된신호를출력하여자기장을감지하는것을특징으로하는자기센서에관한것이다.
Abstract translation: 磁传感器技术领域本发明涉及一种磁传感器，包括：多个自旋转矩型装置，其输出具有根据磁场强度变化的频率并且并联并具有不同磁性各向异性磁场的振荡信号; 以及用于向自旋扭矩型装置供给电流的电源部。 当具有特定磁场强度的磁场施加装置与其中一个自旋转矩装置定位一定距离时，自旋转矩装置通过同步感测磁场并输出具有增加的输出电平和同步频率的信号。
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