-
公开(公告)号：KR101701145B1
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：KR1020150008700
申请日：2015-01-19
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/8226 , H03K3/59 , H01L27/02
CPC classification number: H03K19/16 , B82Y25/00 , G11C11/16 , H01L29/66984 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/10 , H03B15/006 , H03K19/018578
Abstract: 네거티브커패시턴스로직디바이스는제1 전계효과트랜지스터(field effect transistor, 이하 FET) 및제2 FET를포함한다. 상기제1 FET는전원전압과출력노드사이에연결되고, 네거티브커패시턴스를강유전체를구비한다. 상기제2 FET는상기출력노드와접지전압사이에연결되고, 네거티브커패시턴스를갖는강유전체를구비한다. 상기네거티브커패시턴스로직디바이스는입력노드에인가되는입력전압을미분하여상기출력노드로출력전압을제공한다.
Abstract translation: 负电容逻辑器件包括第一场效应晶体管（FET）和第二FET。 第一FET耦合在电源电压和输出节点之间，并且第一FET包括具有负电容的铁电体。 第二FET耦合在输出节点和接地电压之间，第二FET包括具有负电容的铁电体。 负电容逻辑区分施加到输入节点的输入电压以在输出节点处提供输出电压。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR102220029B1
公开(公告)日：2021-02-25
申请号：KR1020180121769
申请日：2018-10-12
Applicant: 한국과학기술원 , 재단법인 아산사회복지재단 , 울산대학교 산학협력단
Abstract: 뉴럴네트워크를이용한비매칭저 선량엑스선전산단층촬영영상처리방법및 그장치가개시된다. 본발명의일 실시예에따른영상처리방법은저 선량엑스선전산단층(CT) 영상을수신하는단계; 및비매칭데이터를이용하여학습된준지도학습(semi-supervised learning) 기반의뉴럴네트워크를이용하여상기저 선량엑스선전산단층영상으로부터노이즈를제거함으로써, 상기저 선량엑스선전산단층영상에대응하는일반(routine) 선량엑스선전산단층영상으로복원하는단계를포함한다.
-
公开(公告)号：KR102025206B1
公开(公告)日：2019-09-25
申请号：KR1020170045235
申请日：2017-04-07
Applicant: 한국과학기술원 , 재단법인 아산사회복지재단 , 울산대학교 산학협력단
-
公开(公告)号：KR1020160118625A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：KR1020150047014
申请日：2015-04-02
Applicant: 한국과학기술원 , 재단법인 아산사회복지재단 , 울산대학교 산학협력단
IPC: A61B5/053
Abstract: 본발명에따른조직생검술용바늘은복수개의생체지점들에대한임피던스를실시간으로측정할수 있고, 상기바늘은그 표면상에복수의전극배열로이루어진전극패턴을포함하고, 상기전극패턴은상기바늘의상하부를따라기 설정된간격만큼이격배치된제1 전극배열및 제2 전극배열을포함한다. 본발명은표면상에다수의전극배열을갖는조직생검용바늘을제안함으로써복수의전극측정을가능하게하는동시에전극형성의방향과개수에따라바늘주변의특정조직을선택적으로측정이가능하게한다.
-
公开(公告)号：KR101707564B1
公开(公告)日：2017-02-16
申请号：KR1020150047014
申请日：2015-04-02
Applicant: 한국과학기술원 , 재단법인 아산사회복지재단 , 울산대학교 산학협력단
IPC: A61B5/053
Abstract: 본발명에따른조직생검술용바늘은복수개의생체지점들에대한임피던스를실시간으로측정할수 있고, 상기바늘은그 표면상에복수의전극배열로이루어진전극패턴을포함하고, 상기전극패턴은상기바늘의상하부를따라기 설정된간격만큼이격배치된제1 전극배열및 제2 전극배열을포함한다. 본발명은표면상에다수의전극배열을갖는조직생검용바늘을제안함으로써복수의전극측정을가능하게하는동시에전극형성의방향과개수에따라바늘주변의특정조직을선택적으로측정이가능하게한다.
-
公开(公告)号：KR1020160089141A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：KR1020150008700
申请日：2015-01-19
Applicant: 한국과학기술원
IPC: H01L21/8226 , H03K3/59 , H01L27/02
CPC classification number: H03K19/16 , B82Y25/00 , G11C11/16 , H01L29/66984 , H01L43/02 , H01L43/08 , H01L43/10 , H03B15/006 , H03K19/018578 , H01L21/8226 , H01L27/0218 , H03K3/59
Abstract: 네거티브커패시턴스로직디바이스는제1 전계효과트랜지스터(field effect transistor, 이하 FET) 및제2 FET를포함한다. 상기제1 FET는전원전압과출력노드사이에연결되고, 네거티브커패시턴스를강유전체를구비한다. 상기제2 FET는상기출력노드와접지전압사이에연결되고, 네거티브커패시턴스를갖는강유전체를구비한다. 상기네거티브커패시턴스로직디바이스는입력노드에인가되는입력전압을미분하여상기출력노드로출력전압을제공한다.
Abstract translation: 负电容逻辑器件包括第一场效应晶体管（FET）和第二FET。 第一FET连接在电源电压和输出节点之间，并且包括具有负电容的铁电物质。 第二FET连接在输出节点和接地电压之间，并且包括具有负电容的铁电物质。 负电容逻辑器件区分施加到输入节点的输入电压并向输出节点提供输出电压。 因此，负电容逻辑器件可以减少占用面积。
-
-
-
-
-
Search Results
6
records
(took 0.018 seconds)
