公开(公告)号：KR101701145B1

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：KR1020150008700

申请日：2015-01-19

Applicant: 한국과학기술원

Inventor： 신민철 ,  이재현 ,  강두형 ,  서준범 ,  정우진

IPC: H01L21/8226 ,  H03K3/59 ,  H01L27/02

CPC classification number: H03K19/16 ,  B82Y25/00 ,  G11C11/16 ,  H01L29/66984 ,  H01L43/02 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H03B15/006 ,  H03K19/018578

Abstract: 네거티브커패시턴스로직디바이스는제1 전계효과트랜지스터(field effect transistor, 이하 FET) 및제2 FET를포함한다. 상기제1 FET는전원전압과출력노드사이에연결되고, 네거티브커패시턴스를강유전체를구비한다. 상기제2 FET는상기출력노드와접지전압사이에연결되고, 네거티브커패시턴스를갖는강유전체를구비한다. 상기네거티브커패시턴스로직디바이스는입력노드에인가되는입력전압을미분하여상기출력노드로출력전압을제공한다.

Abstract translation: 负电容逻辑器件包括第一场效应晶体管（FET）和第二FET。 第一FET耦合在电源电压和输出节点之间，并且第一FET包括具有负电容的铁电体。 第二FET耦合在输出节点和接地电压之间，第二FET包括具有负电容的铁电体。 负电容逻辑区分施加到输入节点的输入电压以在输出节点处提供输出电压。