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公开(公告)号：KR1020140034348A
公开(公告)日：2014-03-20
申请号：KR1020120096785
申请日：2012-08-31
Applicant: 한국광기술원
IPC: H01L33/36
CPC classification number: H01L33/405 , H01L33/32 , H01L33/42 , H01L2933/0008
Abstract: The present invention is to disclose a light emitting diode and a method of manufacturing the same, which comprise: a reflection electrode layer; a lamination formed on the reflection electrode layer and having an n-type III-nitride group semiconductor layer, a p-type III-nitride group semiconductor layer, and an activating layer formed between the n-type III-nitride group semiconductor layer and the p-type III-nitride group semiconductor layer; a translucent conductive substrate formed on the lamination and having zinc oxide (ZnO); and a pad portion formed on the opposite side of the surface facing the lamination among the transparent conductive substrate, wherein the angle of adjacent sides among a plurality of sides of the lamination is less than 90 degrees or more than 90 degrees.
Abstract translation: 本发明公开了一种发光二极管及其制造方法，它包括：反射电极层; 形成在反射电极层上并具有n型III族氮化物半导体层，p型III族氮化物半导体层和在n型III族氮化物半导体层和 p型III族氮化物半导体层; 形成在层叠上并具有氧化锌（ZnO）的半透明导电基板; 以及形成在所述透明导电性基板的面对所述层叠体的面的相对侧的垫部，所述层叠体的多个侧面中的相邻侧的角度小于90度以上且90度以下。
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公开(公告)号：KR1020120135821A
公开(公告)日：2012-12-17
申请号：KR1020110054749
申请日：2011-06-07
Applicant: 한국광기술원
CPC classification number: H01L33/58 , H01L33/0008 , H01L33/06 , H01L2924/12041
Abstract: PURPOSE: A light emitting diode and a manufacturing method thereof are provided to reduce internal reflection of light by including an anti-reflective structure having a cycle smaller than a multi-layer and a light emitting wavelength. CONSTITUTION: A barrier layer is formed on the upper end of a bottom contact layer. An active layer(120) has single and multiple quantum well structures. A top contact layer(130) is formed on the upper end of the active layer. A multi-layer(133) has a thickness smaller than a light emitting wavelength at an external part of the top contact layer and the bottom contact layer. The size of an anti-reflective structure is smaller than the light emitting wavelength of a light emitting diode.
Abstract translation: 目的：提供一种发光二极管及其制造方法，以通过包括具有小于多层和发光波长的周期的抗反射结构来减少光的内反射。 构成：在底部接触层的上端形成阻挡层。 有源层（120）具有单个和多个量子阱结构。 顶层接触层（130）形成在有源层的上端。 多层（133）的厚度小于顶部接触层和底部接触层的外部的发光波长。 抗反射结构的尺寸小于发光二极管的发光波长。
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公开(公告)号：KR101813985B1
公开(公告)日：2018-01-02
申请号：KR1020160049120
申请日：2016-04-22
Applicant: 조선대학교산학협력단 , 한국광기술원
IPC: C30B25/04 , C01G39/06 , C30B29/46 , H01L21/027 , H01L21/02 , H01L21/205
Abstract: 본발명은단결정이황화몰리브덴박막의제조방법에대한것으로, 보다구체적으로는단결정이황화몰리브덴박막을기판상에원하는위치및 두께로형성할수 있으며, 이를이용하여박막트랜지스터를제조할수 있는방법에관한것이다. 본발명의단결정이황화몰리브덴박막의제조방법에의하면성장위치를제어함으로써고품질단결정의이황화몰리브덴을제조할수 있는효과가있다. 또한, 본발명의박막트랜지스터의제조방법에의하면단결정이황화몰리브덴박막의성장두께및 위치를제어하여매트릭스정렬위치를조절할수 있어플렉시블디스플레이에적용가능한박막트랜지스터를제조할수 있는효과가있다.
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14.发明授权
公开(公告)号：KR101806339B1
公开(公告)日：2017-12-08
申请号：KR1020160080749
申请日：2016-06-28
Applicant: 한국광기술원
IPC: H01L33/00 , H01L33/02 , H01L21/306 , H05B33/12 , H01L33/10
CPC classification number: H01L33/005 , H01L21/30604 , H01L33/0079 , H01L33/0095 , H01L33/02 , H01L33/10 , H01L2924/12041 , H05B33/12
Abstract: 본발명은투명디스플레이용마이크로 LED의제조방법및 이를이용한투명디스플레이용마이크로 LED에관한것으로서, 더욱상세하게는발광부에서생성된빛을전면으로방출시킬수 있게함으로써발광소자의광효율및 개구율을높일수 있는투명디스플레이용마이크로 LED의제조방법및 이를이용한투명디스플레이용마이크로 LED에관한것이다. 본발명에따른투명디스플레이용마이크로 LED의제조방법은서브기판상에형성되는반도체구조물즉, 발광소자를서브기판으로부터분리함으로써분리된서브기판을재사용할수 있을뿐만아니라, 전원공급을위한 n-전극층및 p-전극층이상하로배치된구조에의해사이즈를축소시킬수 있다또한, 본발명에따른투명디스플레이용마이크로 LED의제조방법은습식방식으로서브기판으로부터반도체구조물을분리할수 있어대면적의반도체구조물어레이생산이가능하며, 투명및 웨어러블디스플레이및 광전소자에적용이적합한장점이있다.
Abstract translation: 本发明是透明的生产用于显示微LED方法，并且涉及使用相同的，更具体的微型LED为透明显示器，一个透明的，这反过来，益处光效率和光通过允许sikilsu发射从发光部向前方产生的光发射器件的孔径比 一种制造用于显示器的微型LED的方法以及使用该方法的用于透明显示器的微型LED。 制造微根据本发明是形成在子板上的半导体结构，以及能够重复使用子板通过分离从子板用于供电的发光器件中，正电极分开和LED透明显示器的方法 根据本发明的制造用于透明显示器的微型LED的方法可以通过湿法将半导体结构与子基板分离， 适用于透明耐磨显示器和光电器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020170120328A
公开(公告)日：2017-10-31
申请号：KR1020160048652
申请日：2016-04-21
Applicant: 조선대학교산학협력단 , 한국광기술원
Abstract: 본발명의백색광원에관한것으로서, 광을출사하는발광다이오드와, 발광다이오드에결합되어발광다이오드로부터출사되는광을백색광으로변환하는백색변환층을구비하고, 백색변환층은 CHNHPbClBr(0 ≤ x ≤ 3)와 CHNHPbBrI(0 ≤ y ≤ 3) 중적어도하나를포함하는유기금속할로겐화물페로보스카이트물질이포함된다. 이러한백색광원에의하면, 가시광대역에서태양광스펙트럼과유사한발광패턴을제공할수 있다.
Abstract translation: 根据本发明的白光源包括用于发光的发光二极管和用于将从发光二极管发射的光转换成白光的白色转换层， 3）和CHNHPbBrI（0≤y≤3）。 根据这种白色光源，可以提供与可见光波段处的太阳光谱相似的光发射图案。
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公开(公告)号：KR1020160086004A
公开(公告)日：2016-07-19
申请号：KR1020150002955
申请日：2015-01-08
Applicant: 조선대학교산학협력단 , 한국광기술원
CPC classification number: F21V5/002 , F21S2/005 , F21V5/04 , F21Y2101/00
Abstract: 본발명은 LED칩을 LED램프의렌즈층에나노크기의입자들을결합하여미 산란을유도함으로써후방으로의배광영역을확장시킬수 있는 COB 타입무지향성 LED램프에관한것으로서, LED칩과, 상기 LED칩이실장되는회로기판을포함하는조명부와; 상기조명부가설치되는본체와; 상기조명부에전원을공급하도록상기본체에결합되어외부전원에접속되는소켓부와; 상기조명부의상부를감싸도록형성되어상기조명부를보호하며상기 LED칩에서방출된빛이통과할수 있도록투명한소재로형성된베이스와, 상기베이스내부에분포되어상기베이스를통과하는빛을미 산란시키기위한산란입자들을포함하는렌즈부;를구비한다. 본발명에따른 COB 타입무지향성조명램프는 LED의배치를변경하거나, 램프의내부구조를변경하지않고후배광을형성하여제작단가의상승없이기존의조명과같은배광분포를얻음으로써제조단가하락을통해대중화에기여할수 있을뿐만아니라, 렌즈부에산란입자가분포된구조를적용함으로써원하는배광분포및 휘도의손실없이기존의조명과유사한배광분포및 조도를얻을수 있는장점을갖는다.
Abstract translation: 本发明涉及一种板载（COB）型无方向性LED灯。 纳米颗粒耦合到LED灯的透镜层以引起精细的散射，以使LED芯片在向后的方向上的光分布面积扩大。 LED灯包括：包括LED芯片的照明单元和安装有LED芯片的电路板; 具有安装在其上的照明单元的主体; 插座单元，其耦合到主体并连接到外部电源以向照明单元供电; 以及透镜单元，其包括由透明材料制成的基底，以使从LED芯片发出的光通过，并且形成为围绕照明单元的上部，以保护照明单元并散射分散在基座中的颗粒散射 光穿过基地。 COB型无方向性照明灯可以在不调节LED布置或改变灯的内部结构的情况下获得后分配光，以获得与常规灯相同的光分布，而不增加制造成本。 因此，COB型无方向性照明灯可以降低制造成本，以使得能够普及并且应用散射颗粒分布在透镜单元中的结构以获得期望的光分布或与没有亮度的常规灯相同的配光和亮度 失利。
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公开(公告)号：KR101547905B1
公开(公告)日：2015-08-28
申请号：KR1020130017384
申请日：2013-02-19
Applicant: 한국광기술원
CPC classification number: H01L2224/24 , H01L2924/12041 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 발광다이오드가개시된다. 이러한발광다이오드는기판과, 기판상에배열형성된다수개의단위셀으로이루어진셀어레이를포함하고, 셀어레이는평단면형상에있어서하나이상의내각이 90도보다작은다각형일수 있다. 또한다수개의단위셀로이루어진셀어레이는단위셀들간에직렬연결된고전압발광다이오드의특징을갖는다. 이와같이셀어레이의형상이내각이 90도보다작은경우에광방출특성이좋아지며, 고전압발광다이오드로서동일면적대비효율이높아진다.
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公开(公告)号：KR101840810B1
公开(公告)日：2018-03-22
申请号：KR1020160053226
申请日：2016-04-29
Applicant: 한국광기술원
Abstract: 본발명은마이크로미터급발광소자분광분석용공초점현미경장치에관한것으로서, 더욱상세하게는마이크로미터이하의사이즈를가지는발광소자의분광분석에적용할수 있는마이크로미터급발광소자분광분석용공초점현미경장치에관한것이다. 본발명에따른마이크로미터급발광소자분광분석용공초점현미경장치는기존의와이어본딩을통한전류공급방식을대체하여프로브를통한발광소자에전류공급이가능한시스템을적용함으로써수 내지수백마이크로미터사이즈를가지는발광소자의분광분석을수행할수 있고, 기존갈바노스캐너를통한스캔방식을대체하여스테이지를이동시키는스캔방식을적용함으로써기존의방식보다고해상도및 고선명도의이미지를획득할수 있는장점이있다.
Abstract translation: 本发明是一种千分尺的发光装置光谱孔焦点涉及一种显微镜装置，并且更具体地，把注意力集中在具有尺寸发光器件被施加到频谱分析光谱微米级发光元件小于微米孔显微镜装置 它涉及。 微米级发光器件光谱孔，用于根据本发明的聚焦，所述显微镜装置是通过用具有几百微米大小的电流供给通过常规的引线键合施加到通过探针提供到发光元件的电流的可用的系统 并且它可以通过施加扫描方法没有扫描器移动台存在能够获得高分辨率和高亮度比传统方法的图像的优点，以取代先前的电扫描方法进行发光元件的频谱分析。
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公开(公告)号：KR101720210B1
公开(公告)日：2017-04-05
申请号：KR1020150002955
申请日：2015-01-08
Applicant: 조선대학교산학협력단 , 한국광기술원
Abstract: 본발명은 LED칩을 LED램프의렌즈층에나노크기의입자들을결합하여미 산란을유도함으로써후방으로의배광영역을확장시킬수 있는 COB 타입무지향성 LED램프에관한것으로서, LED칩과, 상기 LED칩이실장되는회로기판을포함하는조명부와; 상기조명부가설치되는본체와; 상기조명부에전원을공급하도록상기본체에결합되어외부전원에접속되는소켓부와; 상기조명부의상부를감싸도록형성되어상기조명부를보호하며상기 LED칩에서방출된빛이통과할수 있도록투명한소재로형성된베이스와, 상기베이스내부에분포되어상기베이스를통과하는빛을미 산란시키기위한산란입자들을포함하는렌즈부;를구비한다. 본발명에따른 COB 타입무지향성조명램프는 LED의배치를변경하거나, 램프의내부구조를변경하지않고후배광을형성하여제작단가의상승없이기존의조명과같은배광분포를얻음으로써제조단가하락을통해대중화에기여할수 있을뿐만아니라, 렌즈부에산란입자가분포된구조를적용함으로써원하는배광분포및 휘도의손실없이기존의조명과유사한배광분포및 조도를얻을수 있는장점을갖는다.
Abstract translation: 本发明中，LED芯片，所述LED芯片涉及一种COB型非定向LED的灯，sikilsu由纳米尺寸的颗粒的LED芯片结合到LED灯的透镜层引导米氏散射扩大后方的配光区域 包括待存储的电路板的照明单元; 主体，照明单元安装在主体上; 插座单元，连接到主体以向照明单元供电并连接到外部电源; 散射粒子的非散射光，并形成以包围所述照射服装保护部分照明的部分，并通过从LED芯片底座发射的光被传递一个透明材料形成，其分布在基底的穿过底座内 和一个镜头单元。 根据本发明COB型非定向照明灯，制造成本通过改变LED的布置贬值，或者形成在不改变灯的内部结构，而不生产单价获得的光分布，增加初级光如常规照明 通过应用其中散射颗粒分布在透镜部分中的结构，可以获得类似于传统照明的光分布和照度，而不会损失期望的光分布和亮度。
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