-
公开(公告)号：KR101480537B1
公开(公告)日：2015-01-09
申请号：KR1020130109966
申请日：2013-09-12
Applicant: 한국광기술원
CPC classification number: H01L33/62 , H01L27/156 , H01L33/20 , H01L33/382
Abstract: 본 발명의 일 실시예는 복수 개의 발광 다이오드 셀 및 상기 복수 개의 발광 다이오드 셀 중 서로 인접한 발광 다이오드 셀을 전기적으로 연결하는 도전성 브릿지를 포함하고, 상기 복수 개의 발광 다이오드 셀의 각각은, 제1 질화물계 반도체층, 상기 제1 질화물계 반도체층의 상부에 배치되는 제2 질화물계 반도체층 및 상기 제1 질화물계 반도체층과 제2 질화물계 반도체층 사이에 배치되는 활성층을 구비하는 구조물, 상기 구조물의 하부로부터 연장되어 상기 제2 질화물계 반도체층과 접촉하고, 상기 제1 질화물계 반도체층 및 활성층과 절연되는 제2 도전성 콘택부 및 상기 제1 질화물계 반도체층과 접하고, 상기 제2 도전성 콘택부와 이격되도록 형성된 제1 도전성 콘택부를 포함하는 발광 다이오드 장치를 개시한다.
Abstract translation: 本发明的一个实施例包括多个发光二极管单元，以及将发光二极管单元之间相邻的发光二极管单元电连接的导电桥。 每个发光二极管单元包括包括第一氮化物半导体层，布置在第一氮化物半导体层的上部的第二氮化物半导体层和布置在第一氮化物半导体层和第二氮化物半导体层之间的有源层的结构; 第二导电接触部分，其从结构的下部延伸并接触第二氮化物半导体层，并与第一氮化物半导体层和有源层绝缘; 以及与第一氮化物半导体层接触并与第二导电接触部分分离的第一导电接触部。
-
公开(公告)号：KR1020140034348A
公开(公告)日：2014-03-20
申请号：KR1020120096785
申请日：2012-08-31
Applicant: 한국광기술원
IPC: H01L33/36
CPC classification number: H01L33/405 , H01L33/32 , H01L33/42 , H01L2933/0008
Abstract: The present invention is to disclose a light emitting diode and a method of manufacturing the same, which comprise: a reflection electrode layer; a lamination formed on the reflection electrode layer and having an n-type III-nitride group semiconductor layer, a p-type III-nitride group semiconductor layer, and an activating layer formed between the n-type III-nitride group semiconductor layer and the p-type III-nitride group semiconductor layer; a translucent conductive substrate formed on the lamination and having zinc oxide (ZnO); and a pad portion formed on the opposite side of the surface facing the lamination among the transparent conductive substrate, wherein the angle of adjacent sides among a plurality of sides of the lamination is less than 90 degrees or more than 90 degrees.
Abstract translation: 本发明公开了一种发光二极管及其制造方法，它包括：反射电极层; 形成在反射电极层上并具有n型III族氮化物半导体层，p型III族氮化物半导体层和在n型III族氮化物半导体层和 p型III族氮化物半导体层; 形成在层叠上并具有氧化锌（ZnO）的半透明导电基板; 以及形成在所述透明导电性基板的面对所述层叠体的面的相对侧的垫部，所述层叠体的多个侧面中的相邻侧的角度小于90度以上且90度以下。
-
公开(公告)号：KR101350159B1
公开(公告)日：2014-02-13
申请号：KR1020120096383
申请日：2012-08-31
Applicant: 한국광기술원
CPC classification number: H01L33/0079 , H01L33/12 , H01L33/22 , H01L33/32
Abstract: The present invention relates to a method for manufacturing a while light emitting diode (LED). The method comprises the steps of: growing an LED structure layer on a silicon substrate having a crystal direction [110]; forming an LED device with a chip structure on the LED structure layer using a sub mount; flipping the structure in the previous step so that the silicon substrate at the bottom can be positioned at the top; depositing a mask on the silicon substrate; forming a mask pattern on the silicon substrate by performing a photoresist patterning, and a dry etch or a wet etch; performing an anisotropic wet etch on the silicon substrate; removing the mask pattern; forming texturing a chip light emitting surface of the LED device; coating the textured chip light emitting surface of the LED device with phosphor; removing a remaining silicon substrate; and dividing the structure in the previous step based on the position where the removed central silicon substrate was present.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于制造发光二极管（LED）的方法。 该方法包括以下步骤：在具有晶体方向的硅衬底上生长LED结构层[110]; 使用副安装座在LED结构层上形成具有芯片结构的LED器件; 在前一步骤中翻转结构，使得底部的硅衬底可以位于顶部; 在硅衬底上沉积掩模; 通过执行光致抗蚀剂图案化，以及干蚀刻或湿蚀刻在硅衬底上形成掩模图案; 在硅衬底上进行各向异性湿蚀刻; 去除掩模图案; 形成纹理化LED器件的芯片发光面; 用荧光体涂覆LED器件的纹理化芯片发光面; 去除剩余的硅衬底; 并且基于存在去除的中心硅衬底的位置来划分前一步骤中的结构。
-
公开(公告)号：KR101534304B1
公开(公告)日：2015-07-07
申请号：KR1020130138791
申请日：2013-11-15
Applicant: 한국광기술원
Abstract: 본발명은 3족질화물반도체발광소자에관한것으로서, n형도전성을가지는 n형 3족질화물반도체층; 상기 n형 3족질화물반도체층에전기적으로접속되도록구비되는 n측전극; p형도전성을가지는 p형 3족질화물반도체층; 및상기 p형 3족질화물반도체층에전기적으로접속되도록구비되는 p측전극;을포함하며, 상기 n측전극과 p측전극중 적어도하나는상면에 Al, Ag, Pt 및 Ni, 이들중 선택된적어도둘 이상의합금중 적어도하나를포함하는반사층;을가진다. 본발명에따르면반사층에의해패키징상태에서몰딩부재에의해반사된광의흡수를최소화되므로, 광추출효율을향상시킬수 있다.
-
公开(公告)号：KR1020150056691A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：KR1020130138791
申请日：2013-11-15
Applicant: 한국광기술원
CPC classification number: H01L33/405 , H01L33/32 , H01L33/38
Abstract: 본발명은 3족질화물반도체발광소자에관한것으로서, n형도전성을가지는 n형 3족질화물반도체층; 상기 n형 3족질화물반도체층에전기적으로접속되도록구비되는 n측전극; p형도전성을가지는 p형 3족질화물반도체층; 및상기 p형 3족질화물반도체층에전기적으로접속되도록구비되는 p측전극;을포함하며, 상기 n측전극과 p측전극중 적어도하나는상면에 Al, Ag, Pt 및 Ni, 이들중 선택된적어도둘 이상의합금중 적어도하나를포함하는반사층;을가진다. 본발명에따르면반사층에의해패키징상태에서몰딩부재에의해반사된광의흡수를최소화되므로, 광추출효율을향상시킬수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种III族氮化物半导体发光器件，其包括具有n型导电性的n型III族氮化物半导体层，与n型氮化物半导体层电连接的n侧电极， 具有p型导电性的p型III族氮化物半导体层和与p型III族氮化物半导体层电连接的p侧电极。 在n侧电极或p侧电极中形成包括选自Al，Ag，Pt和Ni中的至少两种合金中的至少一种的反射层。 根据本发明，通过使由反射层在包装状态下的模制构件反射的光的吸收最小化来提高光提取效率。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020140116311A
公开(公告)日：2014-10-02
申请号：KR1020130030821
申请日：2013-03-22
Applicant: 한국광기술원
CPC classification number: H01L33/405 , H01L33/22 , H01L33/38 , H01L2933/0016
Abstract: The present invention relates to a light emitting device with improved light emitting efficiency and a manufacturing method thereof. The light emitting device according to the invention comprises: a p-type reflective contact layer (110); a p-type nitride layer (120) formed on the p-type reflective contact layer (110); an active layer (130) formed on the p-type nitride layer (120); an n-type nitride layer (140) formed on the active layer (130); and a plasmon generating unit (150) having an n-type electrode (153) which is prepared to be insulated by an insulation layer (152) containing metal nano particles (151) and penetrate the p-type reflective contact layer (110), p-type nitride layer (120), and active layer (130), such that one end thereof comes in contact with the n-type nitride layer (140). According to the present invention, luminous efficiency is improved due to local plasmon resonance effects in a vertical type nitride light emitting device. Also, the luminous efficiency is further enhanced by excluding electrode arrangements with low light extraction efficiency from a light exit surface.
Abstract translation: 本发明涉及发光效率提高的发光元件及其制造方法。 根据本发明的发光器件包括：p型反射接触层（110）; 形成在p型反射接触层（110）上的p型氮化物层（120）; 形成在p型氮化物层（120）上的有源层（130）; 形成在有源层（130）上的n型氮化物层（140）; 和具有n型电极（153）的等离子体发生单元（150），所述n型电极准备被包含金属纳米颗粒（151）的绝缘层（152）绝缘并穿透p型反射接触层（110）， p型氮化物层（120）和有源层（130），使得其一端与n型氮化物层（140）接触。 根据本发明，由于垂直型氮化物发光器件中的局部等离子体共振效应，发光效率得到改善。 此外，通过从光出射表面排除具有低光提取效率的电极布置，进一步增强了发光效率。
-
公开(公告)号：KR101549138B1
公开(公告)日：2015-09-03
申请号：KR1020130115697
申请日：2013-09-27
Applicant: 한국광기술원
Abstract: 본발명은기판, 상기기판상에형성되는반사금속층, 상기반사금속층상에형성되고, p-형 3족-질화물계반도체층, n-형 3족-질화물계반도체층및 상기 p-형 3족-질화물계반도체층과 n-형 3족-질화물계반도체층사이에형성된활성층을구비하는적층체, 상기적층체상에형성되는투명윈도우부재및 상기 p-형 3족-질화물계반도체층및 n-형 3족-질화물계반도체층중 하나에전기적으로연결된패드부를포함하는발광다이오드를제공한다.
-
公开(公告)号：KR1020150058603A
公开(公告)日：2015-05-29
申请号：KR1020130139954
申请日：2013-11-18
Applicant: 한국광기술원
IPC: H01L33/22
CPC classification number: H01L33/22 , H01L2933/0083
Abstract: 본발명은발광다이오드제조방법및 이를통해제조된발광다이오드에관한것으로서, 사파이어기판상에제2형반도체층, 활성층, 제1형반도체층을순차적으로형성시키는단계, 상기제1형반도체층상에제1형전극을형성하고, 상기제1형전극상에지지기판을형성하는단계, 상기사파이어기판을제거하고, 상기노출된제2형반도체층상에제1 요철구조를형성하는단계및 상기제1 요철구조상에제2 요철구조를형성하고, 상기제2 요철구조상에제2형전극을형성하는단계를포함하는제조방법을제공함으로써, 반도체층의상부면에규칙적인요철부와불규칙한요철부를통해전위(dislocation) 감소로인한내부양자효율의증가및 광추출효율이개선된다는효과가얻어진다. 또한, 간단한공정으로표면에요철부를생성하여양산성이우수한다이오드제조방법및 상기제조방법을채택하여간단한공정으로양산성이우수한발광다이오드를제공한다는효과가얻어진다.
Abstract translation: 本发明涉及通过该方法制造的发光二极管和发光二极管的制造方法。 该方法包括在蓝宝石衬底上依次形成第二类型半导体层，激活层和第一类型半导体层的步骤; 在所述第一型半导体层上形成第一型电极，在所述第一型电极上形成支撑基板的工序; 去除蓝宝石衬底并在暴露的第二类型半导体层上形成第一不均匀结构的步骤; 以及在所述第一凹凸结构上形成第二凹凸结构的步骤，以及在所述第二凹凸结构上形成第二类型电极。 因此，通过规则的不均匀部分和半导体层的上表面上的不规则的凹凸部分降低位错，提高了光提取的效率，并提高了内量子效率。 此外，提供了一种以简单的工艺在表面上产生不均匀部分的生产率优异的制造方法，以及通过选择制造方法具有优异的生产率的发光二极管。
-
公开(公告)号：KR101471893B1
公开(公告)日：2014-12-12
申请号：KR1020130098616
申请日：2013-08-20
Applicant: 한국광기술원
CPC classification number: H01L33/40 , H01L33/32 , H01L33/38 , H01L2933/0016
Abstract: 본 발명의 일 실시예는 제1 질화물계 반도체층, 제2 질화물계 반도체층 및 상기 제1 질화물계 반도체층과 제2 질화물계 반도체층 사이에 배치되는 활성층을 포함하는 구조물을 형성하는 단계 및 상기 구조물 상에 금속 입자를 함유하는 그래핀 전극층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 그래핀 전극층을 형성하는 단계는 상기 구조물 상에 그래핀 박막을 형성하는 단계, 상기 그래핀 박막의 표면에 상기 금속을 함유하는 도금층을 형성하는 단계를 구비하는 발광 다이오드 제조 방법을 개시한다.
Abstract translation: 本发明的实施例涉及一种发光二极管，其包括用于形成包括第一氮化物半导体层，第二氮化物半导体层和有源层的结构的工艺，所述第一氮化物半导体层和第二氮化物半导体层和有源层被布置在第一氮化物半导体层和第二氮化物 半导体层; 在所述结构上形成包含金属颗粒的石墨烯电极的工艺; 在该结构上形成石墨烯薄膜的工艺; 以及在石墨烯薄膜的表面上形成包含金属的镀层的工艺。
-
公开(公告)号：KR101439652B1
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：KR1020120135078
申请日：2012-11-27
Applicant: 한국광기술원
IPC: H01L33/04
Abstract: 장파장대의 광을 형성할 수 있으며, 전자의 오버플로우를 방지할 수 있는 발광 다이오드가 개시된다. 전자의 오버플로우를 방지하기 위해 높은 에너지 장벽을 가진 초격자층은 발광 동작을 수행하는 활성층 내부에 형성되며, 전자를 공급하는 n형 접합층에 인접하여 형성된다. 또한, n형 접합층과 활성층 사이에는 높은 에너지 장벽을 가지는 n 접합 초격자층이 구비될 수 있다.
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
28
records
(took 0.021 seconds)
