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公开(公告)号：KR1020140115066A
公开(公告)日：2014-09-30
申请号：KR1020130029664
申请日：2013-03-20
Applicant: 한국에너지기술연구원
CPC classification number: C30B29/06 , C30B11/00 , C30B11/002
Abstract: Disclosed is an apparatus for manufacturing a silicon ingot. The apparatus for manufacturing a silicon ingot according to an embodiment of the present invention includes a dummy cylinder prepared inside a single-direction coagulator for coagulating molten silicon, while having an accommodation unit having an accommodation space for accommodating the molten silicon therein.
Abstract translation: 公开了一种用于制造硅锭的装置。 根据本发明的实施例的用于制造硅锭的装置包括：制备在用于凝固熔融硅的单向凝结器内部的虚拟圆筒，同时具有用于容纳熔融硅的容纳空间的容纳单元。
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公开(公告)号：KR101406784B1
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：KR1020120035469
申请日：2012-04-05
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/18 , H01L31/042 , C01B33/021
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 실리콘 기판 제조 장치가 개시된다.
본 발명의 일 실시예에 따른 실리콘 기판 제조 장치는 하면부와 평행한 방향으로 일측에 관통된 토출부를 갖는 도가니부, 상기 도가니부의 토출부와 평행한 방향으로 상기 토출부로부터 연장되며, 실리콘 기판이 형성되는 주조 공간을 갖는 주조부, 상기 주조부의 일측에서 상기 주조 공간으로 삽입되는 더미바 및 상기 주조부의 일측에 설치된 냉각부를 포함한다.-
公开(公告)号：KR101406705B1
公开(公告)日：2014-06-12
申请号：KR1020120035462
申请日：2012-04-05
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/18 , H01L31/042 , C01B33/021
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 실리콘 기판 제조 장치가 개시된다.
본 발명의 일 실시예에 따른 실리콘 기판 제조 장치는 상면부 및 상기 상면부에서 하 방향으로 연장된 측면부 갖는 제 1 도가니부, 상기 제 1 도가니부의 내측에 설치되며, 상기 제 1 도가니부의 상면부의 상면에 대해 예각의 기울기를 갖는 제 2 경사부를 갖는 제 2 도가니부 및 상기 제 2 경사부를 마주하는 측면부에 수직 방향으로 연장된 제 1 주조부 및 상기 제 2 경사부와 접하는 상기 제 1 도가니부의 측면부와 결합되며 상기 제 1 주조부와 평행하게 연장된 제 2 주조부를 포함하는 주조부를 포함하고, 상기 제 2 경사부의 끝단은 상기 제 2 경사부를 마주하는 측면부의 수직방향으로 연장된 연장선에 접할 수 있다.-
公开(公告)号：KR1020140048479A
公开(公告)日：2014-04-24
申请号：KR1020120114338
申请日：2012-10-15
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/18 , H01L31/042
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/042 , H01L31/18
Abstract: Provided is an apparatus for manufacturing a silicon substrate which includes a raw material input part which receives silicon; a silicon melting part which forms molten silicon by melting the supplied silicon; a molten silicon storage part which receives and stores the molten silicon and has a discharge hole which discharges the molten silicon in a constant thickness; and a transfer substrate which is arranged in the lower part of the molten silicon storage part and transfers the molten silicon, wherein one surface of the lower part of the molten silicon storage part, which has the discharge hole, is inclined at a preset angle to the outside the sidewall of the molten silicon storage part.
Abstract translation: 提供一种用于制造硅衬底的装置，其包括接收硅的原料输入部分; 通过熔化供给的硅而形成熔融硅的硅熔融部; 熔融硅储存部，其接收并存储熔融硅，并具有排出孔，该排出孔以固定的厚度排出熔融硅; 以及转移基板，其布置在熔融硅储存部分的下部并传送熔融硅，其中具有排出孔的熔融硅储存部分的下部的一个表面以预设的角度倾斜到 熔融硅储存部分的侧壁外侧。
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公开(公告)号：KR1020130123577A
公开(公告)日：2013-11-13
申请号：KR1020120046801
申请日：2012-05-03
Applicant: 한국에너지기술연구원
CPC classification number: B01J6/007 , B01J19/24 , C01B33/037
Abstract: The present invention relates to a silicon melting reactor which includes a silicon melting part which includes a quartz crucible with an outlet for discharging silicon material and a graphite crucible which is formed to correspond to the quartz crucible to surround the outside of the quartz crucible; an oxidation source input part which removes impurities included in the silicon material by injecting reactive sources to remove impurities and steam to enhance the vapor pressure into the quartz crucible, and a heating part which is formed outside the graphite crucible and heats the graphite crucible and the quartz crucible.
Abstract translation: 本发明涉及一种硅熔融反应器，其包括硅熔化部分，该熔化部分包括具有用于排出硅材料的出口的石英坩埚和形成为与石英坩埚对应以包围石英坩埚外部的石墨坩埚; 氧化源输入部，其通过注入反应性源除去杂质和蒸汽来除去包含在硅材料中的杂质，以提高石英坩埚中的蒸汽压力;以及加热部件，其形成在石墨坩埚外部并加热石墨坩埚和 石英坩埚
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020130119398A
公开(公告)日：2013-10-31
申请号：KR1020130114510
申请日：2013-09-26
Applicant: 한국에너지기술연구원
Abstract: PURPOSE: An apparatus for manufacturing polysilicon based on electron-beam melting using a dummy bar is provided to easily remove volatile impurities by performing a vacuum refining process using a first electron beam. CONSTITUTION: A first and a second electron gun emit electronic beams into a vacuum chamber. A silicon melting part (130) is melted by the first electron beam. A one direction solidification part (140) is melted by the second electron beam. A start block (145) comprises a dummy bar. The dummy bar is made of graphite.
Abstract translation: 目的：提供一种使用虚拟棒制造基于电子束熔融的多晶硅的装置，通过使用第一电子束进行真空精炼处理来容易地除去挥发性杂质。 构成：第一和第二电子枪将电子束发射到真空室中。 硅熔化部分（130）被第一电子束熔化。 单向固化部分（140）被第二电子束熔化。 起始块（145）包括虚拟棒。 虚拟棒由石墨制成。
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公开(公告)号：KR1020130113131A
公开(公告)日：2013-10-15
申请号：KR1020120035469
申请日：2012-04-05
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L31/18 , H01L31/042 , C01B33/021
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521 , H01L31/18 , C01B33/021 , H01L31/042
Abstract: PURPOSE: An apparatus for manufacturing a silicon substrate is provided to improve cooling efficiency by installing a cooling part including a gas spray part on the upper surface of a casting part. CONSTITUTION: A crucible part (200) has a discharge part on one side thereof. A casting part (300) is extended from the discharge part and includes a casting space. A dummy bar is inserted from one side of the casting part to the casting space. A cooling part is installed on one side of the casting part.
Abstract translation: 目的：提供一种用于制造硅衬底的装置，通过在铸造件的上表面上安装包括气体喷射部件的冷却部件来提高冷却效率。 构成：坩埚部件（200）的一侧具有排出部。 铸造部件（300）从排出部延伸并且包括铸造空间。 从铸件的一侧向铸造空间插入虚拟棒。 冷却部件安装在铸件的一侧。
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公开(公告)号：KR101248880B1
公开(公告)日：2013-03-29
申请号：KR1020100065091
申请日：2010-07-06
Applicant: 한국에너지기술연구원
CPC classification number: B01D71/028 , B01D67/0051 , B01D69/10 , B01D2323/46
Abstract: 본 발명은 열균열이 방지된 제올라이트 분리막 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 알루미나계 원료, 실리카계 원료, 수산화나트륨(Sodium Hydroxide)을 물에 녹여 수용액을 마련하는 단계와, 수용액을 혼합하여 수열용액을 마련하는 단계와, 제올라이트 분체를 습식진동분쇄하고 원심분리하여 종결정(Seed) 슬러리를 마련하는 단계와, 종결정을 진공여과법으로 상기 지지체에 통과시켜 종결정을 지지체 표면에 부착시키되, 지지체 표면으로부터 깊이가 3㎛가 되는 영역에서부터 지지체 전체 두께의 50%가 되는 영역까지 부착될 수 있도록 하는 단계와, 수열용액을 수열반응기에 넣고 종결정 부착된 지지체를 담지하고 수열처리하여 지지체 표면뿐만 아니라 지지체 내부까지 치밀한 제올라이트 분리층을 성장시키는 단계를 제공함으로써, 제올라이트 분리층의 열균열이 억제되어 가열공정과 가열된 목적 공정온도에서 안정하여 우수한 분리성능을 갖는 제올라이트 분리막을 제조할 수 있도록 하는 발명에 관한 것이다.
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公开(公告)号：KR1020130019336A
公开(公告)日：2013-02-26
申请号：KR1020120018251
申请日：2012-02-23
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: C02F1/44 , C02F1/04 , B01D61/36 , C02F101/10
CPC classification number: Y02A20/128 , Y02A20/131 , C02F1/44 , B01D61/36 , C02F1/04 , C02F2101/108
Abstract: PURPOSE: A pervaporative seawater desalination apparatus and method using a NaA zeolite membrane are provided to achieve an excellent salt removing efficiency by using the NaA zeolite membrane as a membrane for pervaporation and performing pervaporation at a temperature of 50°C to 100°C when seawater is desalinized by using a pervaporation method. CONSTITUTION: A pervaporative seawater desalination method using a NaA zeolite membrane comprises steps of: filtering 70% or more of boron(B) contained in seawater by pervaporation; and desalinizing the seawater by performing pervaporation, while a membrane used in the pervaporation is a NaA zeolite membrane, and the pervaporation is performed at a temperature of 50°C to 100°C. In the NaA zeolite membrane, a diameter of a non-zeolitic pore is 8Å or less. The NaA zeolite membrane is manufactured by following the steps of: preparing a porous tube having a single channel by an extrusion/sintering process using zeolite, bentonite, and an inorganic binder; and hydrothermally synthesizing the prepared porous tube in an Al_2O_3-2SiO_2-4.5Na_2O-600H_2O hydrothermal solution.
Abstract translation: 目的：提供一种使用NaA沸石膜的蒸发式海水淡化装置和方法，通过使用NaA沸石膜作为渗透蒸发膜并在海水温度为50℃至100℃时进行渗透蒸发，实现优异的除盐效率 通过使用渗透蒸发法脱盐。 构成：使用NaA沸石膜的蒸发式海水淡化方法包括以下步骤：通过渗透蒸发过滤含在海水中的70％以上的硼（B）; 并且通过进行渗透蒸发对海水进行脱盐，而用于渗透蒸发的膜是NaA沸石膜，并且渗透蒸发在50℃至100℃的温度下进行。 在NaA沸石膜中，非沸石孔的直径为8以下。 通过以下步骤制造NaA沸石膜：通过使用沸石，膨润土和无机粘合剂的挤出/烧结方法制备具有单一通道的多孔管; 并在Al_2O_3-2SiO_2-4.5Na_2O-600H_2O水热溶液中水热合成制备的多孔管。
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公开(公告)号：KR1020110136135A
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：KR1020100055949
申请日：2010-06-14
Applicant: 한국에너지기술연구원
IPC: H01L21/208 , C30B29/06 , H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L21/208 , C30B29/06 , H01L31/18
Abstract: PURPOSE: A method for manufacturing a silicon thin plate using inert gas blowing is provided to improve the quality of a silicon thin film by applying inert gas blowing. CONSTITUTION: A silicon material is provided to a silicon material input part. A silicon melting part(120) fuses a provided silicon material and forms a silicon molted metal. A silicon melt storing part(130) discharges the silicon molten metal into a melted material with a fixed thickness after storing the silicon molted metal. A transport part(140) transfers a discharged silicon melted material. A cooling part(150) cools a transferred silicon melted material. The cooling part controls the surface shape of the silicon melted material while cooling the silicon melted material using inert gas blowing.
Abstract translation: 目的：提供一种使用惰性气体吹制制造硅薄板的方法，以通过施加惰性气体吹送来提高硅薄膜的质量。 构成：将硅材料提供给硅材料输入部分。 硅熔化部分（120）熔化提供的硅材料并形成硅分解的金属。 硅熔融储存部分（130）在储存硅分解的金属之后，将硅熔融金属排出固定厚度的熔融材料。 输送部件（140）传送排出的硅熔融材料。 冷却部件（150）冷却转移的硅熔融材料。 冷却部件在使用惰性气体吹送来冷却硅熔融材料的同时控制硅熔融材料的表面形状。
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