公开(公告)号：KR1019950021439A

公开(公告)日：1995-07-26

申请号：KR1019930026313

申请日：1993-12-03

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 김동구 ,  주관종 ,  박성수 ,  윤형진

IPC: H01L21/60

公开(公告)号：KR1019950021431A

公开(公告)日：1995-07-26

申请号：KR1019930027219

申请日：1993-12-10

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 김동구 ,  박성수 ,  주관종 ,  윤형진 ,  박형무

IPC: H01L23/02

Abstract: 본 발명은 반도체 패키지장치 및 그 제조방법에 관한 것으로 특히 플라스틱 패키지를 이용한 휴대 전화기 고주파(RF) 수신부 다중칩 모듈의 구조 및 제조방법에 관한 것으로 임피던스 정합을 고려한 리드프레임 및 다중칩 모듈 배선 기판을 사용하고 저잡음증폭기(L7A), 혼합기(Mlxer), VCO의 bare칩을 사용하여 flip chop 본딩을 사용하여 다중칩 모듈기판상 제작된 저항, 인덕터, 캐패시터를 소자잔 정합회로의 일부로 사용하며 다중칩 모듈과 리드 프레임의 리드간 본딩 와이어를 정합회로로 사용한후 플라스틱 몰딩을 함으로써 휴대전화기 RF수신부의 소형화 및 고주파 특성을 꾀할 수 있도록 한 것임.

公开(公告)号：KR1019950021430A

公开(公告)日：1995-07-26

申请号：KR1019930027218

申请日：1993-12-10

Applicant: 주식회사 케이티 ,  한국전자통신연구원

Inventor： 박성수 ,  김동구 ,  윤형진

IPC: H01L23/28

Abstract: 본 발명은 반도체 집적회로장치 패키지 및 그 제조방법에 관한 것으로 임피던스 정합된 저가격의 고주파 집적 회로용 패키지의 구조 및 제조방법에 관한 것으로 열전도도나 유전율을 고려한 기관에 각 리이드에 해당하는 패턴을 후막공정을 이용하여 금 후막 도선을 제작하고 칩이 다이본딩될 부분을 접지될 수 있도록 넓게 퍼지도록 만들고,이곳에 칩을 다이본딩 하고 리이드에 해당하는 금 후막 도선에 와이어 본딩하여 전기적으로 연결을 이루고, 칩의 접지본딩패드로 부터 칩이 다이본딩된 접지후막면에 다수의 와이어 본딩을 함으로써 칩이 전기적으로 접지되도록 한다. 이렇게 만들어진 기판을 모자모양의 금속뚜껑을 접지된 후막에 닿도록 땜납을 이용하여 부각시킴으로써 칩에 대해서 전기적으로 완전히 접지됨으로써 외부잡음에 대해서 보호되도록 한다.

公开(公告)号：KR1019950004507A

公开(公告)日：1995-02-18

申请号：KR1019930013085

申请日：1993-07-12

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 김동구 ,  송민규 ,  박성수 ,  김승구 ,  윤형진 ,  박형무

IPC: H01L23/04

Abstract: 본 발명은 리드 프레임을 이용한 전력소자용 플라스틱 패키지 장치 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 종래의 전력소자 칩에서 발생되는 열, 플라스틱 패키지에서 발생하는 균열, 임피던스 정합 등의 문제들을 해결하기 위하여 리드 프레임에 방열판을 부착하는 공정과, 전력소자 칩과 열팽창계수 차이에서 발생되는 열응력을 제거하는 공정과, 고주파 특성을 향상을 위해 리드를 임피던스 정합되도록 제조하고, 노이즈 차폐를 하기 위한 공정과, 에폭시를 이용하여 플라스틱 몰딩을 하는 공정들로서 상기 문제점을 해결하여 플라스틱 패키지의 신뢰성을 향상시키고 공정의 단순화 및 대량 생산화가 될 수 있다.

公开(公告)号：KR1019920004958B1

公开(公告)日：1992-06-22

申请号：KR1019880016679

申请日：1988-12-14

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 박형무 ,  김동구

IPC: H01L21/00

Abstract: The forming method of a resistant juction of GaAs semiconductor device comprises (a) coating a photoresist of 1.5 μm thickness on the semi-insulating GaAs substrate, and soft baking the photoresist at 85 deg.C for 15 min to give an overhang for forming a resistant pattern, (b) exposing the photoresist by the contact aligner, (c) immersing it into a monochlorobenzene soln., (d) developing it with a developer, (e) continuously evaporating AuGe (88:12 wt.%) alloy and Ni by the thermal (or electron-beam) evaporation, (f) immersing it for 10 min, and removing the photoresist, and (g) alloying the resistant pattern with a forming gas (H2:N2 = 30:70) at 430-450 deg.C for 3-5 min.

Abstract translation: GaAs半导体器件的电阻榨汁的形成方法包括：（a）在半绝缘GaAs衬底上涂覆1.5μm厚度的光致抗蚀剂，并在85℃下软化光刻胶15分钟，得到悬垂形成 （b）通过接触对准器曝光光致抗蚀剂，（c）将其浸入一氯苯溶液中，（d）用显影剂显影，（e）连续蒸发AuGe（88:12重量％）合金和 通过热（或电子束）蒸发，（f）将其浸入10分钟，并除去光致抗蚀剂，和（g）在430℃下将形成气体（H 2 :N 2 = 30:70） 450℃3-5分钟。

公开(公告)号：KR100150238B1

公开(公告)日：1998-12-15

申请号：KR1019940016753

申请日：1994-07-12

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 주관종 ,  이상환 ,  박기성 ,  김홍만 ,  김동구

IPC: G02B6/24

Abstract: 본 발명은 각종 광소자에 외부 광통신 시스템과의 접속을 위한 광섬유를 정렬 및 고정시키는 방법에 관한 것으로서, 특히 V-홈을 이용한 광섬유의 수동정렬 및 고정방법에 관한 것이다.
본 발명은 실리콘기판의 광섬유 정렬용 V-홈과 실리콘뚜껑의 광섬유 지지용 V-홈을 이용하여 플립-칩 본딩한 기판과 뚜껑 사이에 광섬유를 일시적으로 고정한 후에 에폭시를 사용하여 완전히 고착시킴으로써 종래 광섬유를 가공하고 금속막을 증착하는 등의 공정 없이도 신속, 정확하게 광섬유를 고정시킴과 동시에 에폭시 경화중 광섬유의 고정을 위한 특별한 지지기구 없이 경화를 할 수 있으므로 생산성을 증가시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR100123786B1

公开(公告)日：1998-10-01

申请号：KR1019930029623

申请日：1993-12-24

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 김동구 ,  박성수 ,  윤형진

IPC: H03H3/00

Abstract: 본 발명의 목적은 스미스 챠트를 이용하여 반사계수의 절대값 및 각도, 정재파비, 임피던스의 정확한 값을 구하고자 할 때, 기존의 방법으로는 컴파스를 사용하여 중심으로부터 임의의 임피던스에 해당하는 점까지 거리를 측정하여 반사계수의 절대값 및 정재파비의 선형 척도를 이용하여 육안측정에 의존하므로 정확한 값을 구하기 어려우므로 이를 극복하고 해결하기 위한 것으로 본 발명은 상기의 목적을 달성하기 위해 스미스 챠트를 읽어들이는 데에 있어서 디지타이저(digitizer)에 스미스 챠트를 올려놓고 디지타이저에는 연산을 하기 위한 마이크로프로세서가 내장되어 있어서 각종 연산 및 제어를 담당하고 이를 표시하기 위한 액정디스플레이가 부착되어 있고, 사용자가 명령을 내릴 수 있는 20키 정도의 키보드가 부착된 구조로 이루어져 있다. 또한 이는 기존의 PC나 W/S에 곧바로 연결되어 읽은 값을 곧 바로 보내줄 수 있는 인터페이스를 내장하고 있으므로 고주파 회로를 설계함에 있어서 반사계수의 절대값 및 각도, 정재파비, 임피던스의 정확한 값을 일일이 손으로 부터 계산된 값을 대략적인 정확도를 만족하는 방법으로도 챠트에 기술하기 어렵지만, 본 발명의 스미스 챠트 해석기를 사용하면 완전히 정확하게 점들을 표현하기는 불가능하지만 일일이 손으로 계산해야 하는 불편함과 챠트를 읽어들이는 데에 드는 노력을 해소시켜 줄 수 있다
따라서 효과적인 고주파 회로의 설계에 기여할 수 있다.

公开(公告)号：KR100138843B1

公开(公告)日：1998-06-01

申请号：KR1019940023884

申请日：1994-09-22

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 주관종 ,  이상환 ,  한학수 ,  김홍만 ,  김동구

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L2224/11

Abstract: 본 발명의 목적은 두개의 전극이 광소자의 양면에 각각 형성된 광소자를 플립칩 본딩의 방법으로 패키지할 때에 금속막이 입혀진 실리콘 웨이퍼를 전극연결을 위한 장치로 사용함으로써 와이어 본딩 등에 의한 충격을 없애며 광소자의 방열기능 또한 크게 증가시키는 광소자의 전극연결장치를 제공하는데 있다.
본 발명은 상기 목적을 달성하기 위해 실리콘 웨이퍼의 일부분을 플립칩 본딩 된 광소자의 높이만큼 식각한 후 솔더본딩이 가능하도록 금속막 패턴을 형성하고 솔더를 증착한 후 이를 뒤집어서 식각부위는 플립칩 본딩된 광조사의 뒷면에 그리고 식각을 하지 않은 부분은 수등 정렬용 기판에 본딩을 하여 기판과 광소자간에 전극을 연결시킴으로써 상기의 목적을 구현하며, 이의 제조를 위해서는 실리콘 질화물의 형성, 금속막 증착, 실리콘 웨이퍼의 시각, 솔더증착 등의 공정이 요구된다.

公开(公告)号：KR100137578B1

公开(公告)日：1998-06-01

申请号：KR1019940032828

申请日：1994-12-05

Applicant: 한국전자통신연구원 ,  주식회사 케이티

Inventor： 김동구 ,  박성수 ,  한학수 ,  송민규

IPC: H01L21/60

CPC classification number: H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014

Abstract: 본 발명은 반도체 패키지장치 및 제조방법에 관한 것으로 기존의 p-side up 구조의 레이저 다이오드에 플립칩 본딩을 사용하며, 임피던스 정합된 전송선을 사용함으로써 초고속 레이저 다이오드 패키지의 기생성분을 줄이고 열저항을 줄이는데 있으며 이로써 초고속 전송용 레이저 다이오드 패키지의 소신호 변조 특성을 10Gbps 이상으로 향상시킬 수 있도록 플립칩 본딩용 솔더 범퍼를 가진 p-side up 구조의 레이저다이오드를 다이아몬드 기판에 플립칩 본딩을 적용하며, 소신호 변조대역폭의 향상과 입력 반사계수를 최소화 하기 위하여 레이저 다이오드의 기생성분 저항과 박막저항의 합과 같은 저항으로 임피던스 정합된 전송선을 레이저 다이오드 음극을 직접 전송선에 리본 본딩(Ribbon bonding을 이용한 초고속 레이저 다이오드 패키지 구조 및 제조방법에 관한 것이다.

公开(公告)号：KR1019970024401A

公开(公告)日：1997-05-30

申请号：KR1019950034145

申请日：1995-10-05

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 박성수 ,  송민규 ,  강승구 ,  이희태 ,  김동구

IPC: H01S5/022

Abstract: 본 발명은 레이저 다이오드 모듈의 제조방법에 관한 것으로, 전송선위에 직접 레이저 다이오드를 접합하는 공정과, 레이저 다이오드의 p-축 전극을 넓은 접지면에 와이어 본딩하는 공정과, 레이저 다이오드의 온도 감지를 위해 서미스터를 넓은 접지면에 접합하는 공정을 포함하는 것으로, 초고속 전송용 레이저 다이오드 모듈의 제조시 보다 조립공정을 단순화시켜 간편하게 작업을 할 수 있고, 고주파 특성의 향상 및 열 특성을 개선하며, 작업도중에 제품의 신뢰도를 간편하게 측정할 수 있도록 하므로써 제품의 품위를 향상시킬 수 있도록 한 것이다.