-
公开(公告)号：KR1019950020716A
公开(公告)日：1995-07-24
申请号：KR1019930026784
申请日：1993-12-08
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G11C11/407
Abstract: 본 발명은 DRAM용 감지증폭기의 회로에 관한 것으로서, 특히 고집적 DRAM에서 전력 소비 및 소자 특성때문에 DRAM의 전압 원으로서 낮은 전압 원을 채용할 때 종래의 감지 증폭기에서 문제시 되는 낮은 비트 선신호 득실을 개선하는 회로이다.
그 구성은 DRAM의 감지 증폭기에 있어서 저장 캐패시터에 연결된 플레이트 선(Plate-line)과 프리차지 전압 원(VPR)을 제어 신호(PL)에 연결된 MOS트랜지스터로 접속하고 플레이트선과 GPL노드를 제어 신호(TPL)에 연결된 MOS트랜지스터로 접속하며 GBL노드는 비트선 선택 신호인 TE 및 TO에 연길되는 MOS트랜지스터로 각각 비트선 BIT 및 BIT에 연결하고 GPL노드 및 GBL 노드의 전압 신호를 게이트 입력으로 갖는 MOS트랜지스터로의 드레인 노드를 각각 비트선 BIT 및 BIT에 접속하고 소스 노드를 서로 연결하며 접속된 소스 노드는 MOS트랜지스터에 접속하여 접지와 연결된다.
그 작용 효과는 종래의 감지 증폭기가 갖는 비트 선 신호의 약 3배 이상 큰 비트 선 신호를 얻음으로써 낮은 전압 원에서도 안정된 DRAM의 감지 동작을 가능하게 하는 것이다.-
-
公开(公告)号：KR1020200131939A
公开(公告)日：2020-11-25
申请号：KR1020190056454
申请日：2019-05-14
Abstract: 본발명은지능형조명네트워크시스템으로서, 더욱상세하게는조명의밝기및 색상을조절하는조명스위치에무선통신기능을부가하여, 사용자에게수유등서비스, 방범서비스및 학습서비스와같은다기능조명서비스를제공할수 있는지능형조명네트워크시스템에관한것이다.
-
公开(公告)号：KR1020160117057A
公开(公告)日：2016-10-10
申请号：KR1020150045650
申请日：2015-03-31
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 지식클라우드를기반으로건물관리정보를제공하는방법이개시된다. 건물관리정보제공방법은지식클라우드를기반으로건물관리정보를제공하는방법에있어서, 사용자로부터상기지식클라우드에포함된지식 DB 중에서건물운용패턴정보를검색할적어도하나의지식 DB를선택받는단계; 상기사용자로부터건물속성정보, 건물환경정보, 건물운용목적정보및 건물운용패턴에따른결과(경제성또는쾌적성의수치)중적어도하나를상기건물운용패턴정보를검색하기위한검색조건으로입력받는단계; 상기선택된 DB에서상기입력된검색조건을기반으로건물운용패턴정보를검색하는단계; 및상기검색된건물운용패턴정보를사용자에게전송하는단계를포함할수 있다.
-
公开(公告)号：KR1020080051055A
公开(公告)日：2008-06-10
申请号：KR1020070114853
申请日：2007-11-12
IPC: H04B7/26
CPC classification number: H04W36/30 , H04W24/10 , H04W36/0005 , H04W36/023
Abstract: A hand-over processing method based on the cross-layer is provided to use the cross-layer technique and the mobility prediction technique, thereby performing the hand-over without loss of data and with the reliability. In a hand-over cell estimating process, a source base station estimates the hand-over cell by a hand-over candidate group from a terminal(302). The source base station determines the hand-over according to the approval of hand-over from an object base station within the estimated hand-over cell(305). Thereafter, the source base station transmits the hand-over command to the terminal. An opponent base station calculates the time junction value to a gateway, transmits the calculated value to the gateway and transmits the down-stream link packet to the terminal so that the hand-over is completed. The hand-over determining process includes a process for transmitting the request resource information to the opponent base station within the estimated cell. Thereafter, the context data message is also transmitted to the opponent base station according to the reception of the hand-over possible message. Thereafter, the opponent base station stores the data message and reserves the new mobile station identifier value. The opponent base station determines the hand-over final permission and transmits the approval message to the source base station.
Abstract translation: 提供了一种基于交叉层的切换处理方法以使用跨层技术和移动性预测技术，从而在不丢失数据和可靠性的情况下执行切换。 在切换小区估计处理中，源基站从终端（302）通过切换候选组来估计切换小区。 源基站根据在估计的切换小区（305）内的对象基站的切换的批准来确定切换。 此后，源基站向终端发送切换命令。 对方基站计算到网关的时间结值，将计算出的值发送到网关，并向终端发送下行链路分组，使得切换完成。 切换确定处理包括在所估计的小区内向对方基站发送请求资源信息的处理。 此后，上下文数据消息也根据接收可能的消息被发送到对方基站。 此后，对方基站存储数据消息，并保留新的移动台标识符值。 对手基站确定转交最终许可，并将批准消息发送到源基站。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1019960006380B1
公开(公告)日：1996-05-15
申请号：KR1019930026784
申请日：1993-12-08
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G11C11/407
Abstract: The sense amplifier amplifies data read in a memory cell by sensing and amplifying a minute voltage difference between a pair of bitlines when the DRAM is driven by a low voltage. The amplifier comprises : 1st/2nd tranasistors(Q1,Q2) equalizing a pair of the bitlines(BIT,BIT_); a 3rd transistor(Q4) controlling the movement of the charge between the bitline(BIT) and a memory cell capacitor(CS); a 4th transistor(Q11) cutting off a plate capacitor(CPL) from a free charge voltage source; a 5th transistor(Q16) receiving a signal(TE) for selecting the bitline(BIT) as a gate node; a 6th transistor(Q17) receiving a signal(TO) for selecting the bitline(BIT_) as a gate node; an amplification means(10) performing a full down sense amplification according to the voltage difference between the bitlines; a 7th transistor(Q12) making the amplication means(10) electrically connected or disconnected to the plate capacitor(CPL).
Abstract translation: 当DRAM由低电压驱动时，感测放大器通过感测和放大一对位线之间的微小电压差来放大存储单元中读取的数据。 放大器包括：均衡一对位线（BIT，BIT_）的第一/第二传导电阻（Q1，Q2）; 控制位线（BIT）和存储单元电容器（CS）之间的电荷移动的第三晶体管（Q4）; 第四晶体管（Q11）从自由充电电压源切断平板电容器（CPL）; 接收用于选择位线（BIT）作为门节点的信号（TE）的第五晶体管（Q16） 接收用于选择位线（BIT_）作为门节点的信号（TO）的第六晶体管（Q17） 放大装置（10），根据所述位线之间的电压差执行全向下感测放大; 第七晶体管（Q12）使得放大装置（10）与平板电容器（CPL）电连接或断开。
-
-
公开(公告)号：KR1020150027431A
公开(公告)日：2015-03-12
申请号：KR1020130105325
申请日：2013-09-03
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G06F21/577 , G06F2221/034 , H04L63/00 , H04W4/00
Abstract: 본 발명은 모바일 애플리케이션의 보안성 검증을 위한 이벤트 발현 장치 및 그 방법에 관한 것으로, 테스터 대상 애플리케이션으로부터 추출되는 애플리케이션 정보를 토대로 상기 테스터 대상 애플리케이션을 테스트하는 테스터 애플리케이션을 제작하는 테스터 애플리케이션 제작부; 상기 추출된 애플리케이션 정보에 포함된 이벤트를 발현시켜 상기 테스트 대상 애플리케이션을 실행시키고, 상기 테스트 대상 애플리케이션이 실행될 때 스마트 기기의 화면에 출력되는 사용자 뷰 객체를 추출하는 테스터 애플리케이션 실행부; 및 상기 추출된 사용자 뷰 객체를 토대로 터치 이벤트를 생성하여 화면전환을 수행하는 테스터 애플리케이션 데몬 실행부;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Abstract translation: 本发明涉及一种用于生成用于验证移动应用的安全性的事件的装置和方法。 该装置包括测试应用制造单元，用于根据从测试对象应用提取的应用信息来制造测试应用，测试应用测试测试对象应用; 测试应用执行单元，用于通过生成包含在所提取的应用信息中的事件来执行测试对象应用，并且在执行测试对象应用时提取在智能设备的屏幕上输出的用户视图对象; 以及测试者应用程序恶魔执行单元，通过基于所提取的用户视图对象生成触摸事件来执行屏幕转换。
-
公开(公告)号：KR1019970049732A
公开(公告)日：1997-07-29
申请号：KR1019950049259
申请日：1995-12-13
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G06F17/10
Abstract: 본 발명은 관찰중심적으로 정의된 이에프에스엠(EFSM)모델을 기반으로 데이타가 고려된 시험열 자동생성 방법에 관한 것으로서, 다중 모듈 EFSM 모델인 프로토콜 명세(스펙)를 단일 모듈 EFSM 모델로 변환된 후 시험 케이스를 자동생성하기 위해 데이터 부분을 관찰중심적으로 관점에서 재정의하여 새로운 EFSM모델로 변환하는 제2과정과, EFSM 모델에 대해 "top-down search"를 수행하는 제3과정과, all-du-paths 범주에 상응하는 데이터 부분에 대한 경로를 선택하는 제4과정과, 경로에 대해 각 상태와 이전 시험열에 대한 정보의 저장을 통해 루프처리 방법으로 경로의 길이를 최소화하는 제5과정과, 실행 가능한 경로가 되도록 입력안의 매개변수 값을 선택해주고 출력매개변수 값을 구하는 제6과정과, 데이타 부분 시험경로를 통해 포함되지 않은 제어 부분을 시험하 경로를 구하는 제7과정으로 이루어진 것을 특징으로 한다.
-
公开(公告)号：KR1019940005686B1
公开(公告)日：1994-06-22
申请号：KR1019910006087
申请日：1991-04-16
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G11C11/407
Abstract: The sense amplifier for use in a dynamic random access memory (DRAM) is disclosed. In a DRAM having a precharging and equalizing circuit for precharging and equalizing first and second bit lines, an NMOS latch connected to a first NMOS transistor of a first conductivity, and a PMOS latch, the sense amplifier includes a second NMOS transistor of a first conductivity having a drain and a source connected between the first NMOS transistor and a ground voltage, and a bipolar transistor having a base connected to a connection node between the first and second NMOS transistors, an emitter (or collector) connected to the ground voltage and a collector (or emitter) connected to a connection node between the first NMOS transistor and the NMOS latch. Thus, a stable limited voltage swing operation is obtained.
Abstract translation: 公开了用于动态随机存取存储器（DRAM）的读出放大器。 在具有用于对第一和第二位线进行预充电和均衡的预充电和均衡电路的DRAM中，连接到具有第一导电性的第一NMOS晶体管和PMOS锁存器的NMOS锁存器，所述读出放大器包括具有第一导电性的第二NMOS晶体管 具有连接在第一NMOS晶体管和接地电压之间的漏极和源极，以及双极晶体管，其基极连接到第一和第二NMOS晶体管之间的连接节点，连接到接地电压的发射极（或集电极）和 集电极（或发射极）连接到第一NMOS晶体管和NMOS锁存器之间的连接节点。 因此，获得稳定的限制电压摆动操作。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
21
records
(took 0.019 seconds)
