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    다중 구조의 나노와이어 및 그 제조방법
    11.
    发明授权
    다중 구조의 나노와이어 및 그 제조방법 失效
    多结构纳米及其形成方法

    公开(公告)号：KR100853200B1

    公开(公告)日：2008-08-20

    申请号：KR1020070035723

    申请日：2007-04-11

    Applicant: 한국전자통신연구원

    Inventor： 박종혁 ,  맹성렬 ,  박래만 ,  페라리안드레아씨. ,  파솔리안드레아 ,  콜리알란

    IPC: B82B3/00 ,  B82Y40/00

    CPC classification number: H01L29/267 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/068

    Abstract: A nanowire of multi-structure and a fabrication method thereof are provided to obtain a nanowire for optical element or electronic device by jointing silicon nanowire at both ends of compound semiconductor nanorod. A nanowire of multi-structure(100) has: a nanorod(110) of group II-VI compound or group III-V compound; and a silicon nanowire(130) which is jointed with each end in the opposite site of the nanorod and extended to each end of the nanorod, respectively. The compound semiconductor is one selected from a group consisting of AlN, AlP, AlAs, GaN, GaP, GaAs, InP, InAs, InSb, AlInGaP, AlGaAs, InGaN, CdS, CdSe, CdTe, ZnO, ZnS, ZnSe, ZnTe, TiO2, HgTe and CdHgTe. A fabrication method of the nanowire of multi-structure comprises steps of: preparing a number of compound semiconductor; forming catalyst tip(120) at both ends of the nanorod; and growing silicon nanowire at both ends of the nanorod having catalyst tip. The catalyst tip is removed by wet-process after completing the growing of the silicon nanowire. The step of growing the silicon nanowire comprises a process comprising steps of: dispersing the nanorod on a substrate; and putting the substrate having the dispersed nanorod to a chamber in a silicon source atmosphere and subjecting the chamber to heat-treatment in order to decompose the silicon source to silicon element or silicon molecule.

    Abstract translation: 提供多结构的纳米线及其制造方法，以通过在化合物半导体纳米棒的两端连接硅纳米线来获得光学元件或电子器件的纳米线。 多结构（100）的纳米线具有：II-VI族化合物或III-V族化合物的纳米棒（110）; 和一个硅纳米线（130），其分别与纳米棒的相对位置的每个端部连接并分别延伸到纳米棒的每一端。 化合物半导体是选自AlN，AlP，AlAs，GaN，GaP，GaAs，InP，InAs，InSb，AlInGaP，AlGaAs，InGaN，CdS，CdSe，CdTe，ZnO，ZnS，ZnSe，ZnTe，TiO2中的一种 ，HgTe和CdHgTe。 多结构纳米线的制造方法包括以下步骤：制备多种化合物半导体; 在纳米棒的两端形成催化剂尖端（120）; 并在具有催化剂末端的纳米棒的两端生长硅纳米线。 在完成硅纳米线的生长之后，通过湿法除去催化剂尖端。 生长硅纳米线的步骤包括以下步骤：将纳米棒分散在基底上; 并将具有分散的纳米棒的基板放置在硅源气氛中的室中，并对该室进行热处理，以将硅源分解成硅元素或硅分子。

    측면 반사경을 이용한 실리콘 발광소자
    13.
    发明授权
    측면 반사경을 이용한 실리콘 발광소자 有权
    硅基发光二极管采用侧反射镜

    公开(公告)号：KR100734881B1

    公开(公告)日：2007-07-03

    申请号：KR1020060014683

    申请日：2006-02-15

    Applicant: 한국전자통신연구원

    Inventor： 김태엽 ,  박래만 ,  성건용 ,  양종헌

    IPC: H01L33/60

    CPC classification number: H01L33/20 ,  H01L33/06 ,  H01L33/10 ,  H01L33/18 ,  H01L33/34 ,  H01L33/60

    Abstract: A silicon light emitting diode capable of effectively utilizing light radiated toward the lateral side of a substrate by including a side reflecting mirror is provided. The silicon-based light emitting diode includes a p-type silicon substrate having a plurality of grooves, a light emitting diode layer formed on each of the grooves of the silicon substrate, the light emitting diode layer including an active layer, an n-type doped layer, and a transparent electrode layer, and a metal electrode including a lower metal electrode formed on the bottom surface of the p-type silicon substrate and an upper metal electrode formed on the top surface of the transparent electrode layer. The lateral surface of each of the grooves is separated from the light emitting diode layer and used as a reflecting mirror. The lateral surface is referred to as the side reflecting mirror.

    반도체 발광소자
    15.
    发明授权
    반도체 발광소자 失效
    半导体发射装置

    公开(公告)号：KR100568502B1

    公开(公告)日：2006-04-07

    申请号：KR1020040063025

    申请日：2004-08-11

    Applicant: 한국전자통신연구원

    Inventor： 박래만 ,  김경현 ,  김태엽 ,  성건용

    IPC: H01L33/36 ,  H01L33/14

    CPC classification number: H01L33/38

    Abstract: 본 발명은 반도체 발광소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 실리콘계 또는 질화물계 발광소자에 있어서 발광층 또는 상부 도핑층의 상부면에 복수개의 상부전극을 형성하고, 기판 또는 하부 도핑층의 상부면에 적어도 하나의 하부전극을 형성하여 전극들로 인가되는 전류 퍼짐 특성을 향상시킴으로써, 발광층의 발광 면적을 최대화시킬 수 있을 뿐만 아니라 발광층 전면에서 균일한 세기를 가지는 발광을 유도하여 발광소자의 발광 효율을 더욱 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
    반도체 발광소자, 발광층, 상부 도핑층, 하부 도핑층, 상부전극, 하부전극

    터치 패널
    17.
    发明公开
    터치 패널 审中-实审
    触控面板

    公开(公告)号：KR1020150112123A

    公开(公告)日：2015-10-07

    申请号：KR1020140035484

    申请日：2014-03-26

    Applicant: 한국전자통신연구원

    Inventor： 정우석 ,  신재헌 ,  박래만 ,  김경현

    IPC: G06F3/044

    CPC classification number: G06F3/044

    Abstract: 본발명은터치패널로, 본발명의일실시예에따른터치패널은기판, 상기기판중 적어도일부상에형성된산화물층, 전기적으로서로분리된복수의패턴을갖고, 상기산화물층중 외부에노출된노출부를정의하도록상기산화물층상에형성된금속패턴부, 전기적으로서로분리된복수의패턴을갖도록상기금속패턴부상에형성된산화물패턴부및 상기산화물층의상기노출부중 적어도일부상에형성된광학적성질조절패턴부를포함한다.

    Abstract translation: 本发明涉及触摸面板。 根据本发明的实施例的触摸面板包括：基板; 形成在所述基板的至少一部分上的氧化物层; 具有电分离图案的金属图案部分，并且形成在所述氧化物层上以限定在所述氧化物层中暴露于外部的曝光部分，所述氧化物图案部分形成在所述金属图案部分上以具有电分离的图案; 以及形成在所述氧化物层的所述曝光部的至少一部分上的光学性质控制图案部。

    터치 스크린 패널 및 터치 스크린 패널을 포함하는 디스플레이
    19.
    发明公开
    터치 스크린 패널 및 터치 스크린 패널을 포함하는 디스플레이 审中-实审
    触摸屏面板和包括触摸屏面板的显示屏

    公开(公告)号：KR1020140132800A

    公开(公告)日：2014-11-19

    申请号：KR1020130050729

    申请日：2013-05-06

    Applicant: 한국전자통신연구원

    Inventor： 신재헌 ,  정우석 ,  김경현 ,  박래만 ,  홍찬화

    IPC: G06F3/041

    CPC classification number: H01L27/323 ,  G06F3/045 ,  G06F3/041 ,  G02F1/13338 ,  G06F3/0412 ,  H01B5/14

    Abstract: 본 발명의 일 실시예에 따른 터치 스크린 패널은 기판 상에 배치된 버퍼층, 및 상기 버퍼층의 일측 상에 배치된 ITO(Indium Tin Oxide) 투명전극을 포함하되, 상기 ITO 투명전극은 100nm 내지 500nm의 두께를 가지며 상기 일측의 버퍼층을 투과하는 제 1 투과율과 상기 타측의 버퍼층을 투과하는 제 2 투과율의 차가 1.5% 이하이다.

    Abstract translation: 根据本发明的实施例的触摸屏面板包括布置在基板上的缓冲层; 和设置在缓冲层一侧的透明铟锡氧化物（ITO）电极，其中透明ITO电极的厚度为100nm至500nm，缓冲层的一侧的第一透射率与缓冲层的第二透射率之差 另一侧的层为1.5％以下。

    투명 비 휘발성 메모리 및 그의 제조방법
    20.
    发明公开
    투명 비 휘발성 메모리 및 그의 제조방법 无效
    透明非易失性存储器及其制造方法

    公开(公告)号：KR1020140032254A

    公开(公告)日：2014-03-14

    申请号：KR1020120098930

    申请日：2012-09-06

    Applicant: 한국전자통신연구원

    Inventor： 박래만

    IPC: H01L27/115 ,  H01L21/8247

    CPC classification number: H01L29/792 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66825 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/7869 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282

    Abstract: Disclosed are a transparent non-volatile memory and a method of manufacturing the same. The method of manufacturing the same includes a step of forming an active layer on a substrate; a step of forming a source and a drain which are separated from each other on the active layer; a step of forming a gate insulating layer having quantum dots on the source, the drain, and the active layer; and a step of forming a gate on the gate insulating layer between the source and the drain. The quantum dots and the gate insulating layer can be formed simultaneously.

    Abstract translation: 公开了一种透明非易失性存储器及其制造方法。 其制造方法包括在基板上形成有源层的工序; 形成在活性层上彼此分离的源极和漏极的步骤; 在源极，漏极和有源层上形成具有量子点的栅极绝缘层的步骤; 以及在源极和漏极之间的栅极绝缘层上形成栅极的步骤。 量子点和栅极绝缘层可以同时形成。

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