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公开(公告)号：KR1020170082181A
公开(公告)日：2017-07-14
申请号：KR1020160001010
申请日：2016-01-05
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 기판상에금속환원제를포함하는제 1 용액을도포하여버퍼층을형성하는것, 상기버퍼층상에제 2 용액을도포하는것, 및상기제 2 용액이도포된상기버퍼층상에건조공정을수행하는것을포함하는도전패턴의형성방법을제공하되, 상기금속환원제는제 1 금속을포함하고, 상기제 2 용액은상기제 1 금속과다른제 2 금속의이온을포함하고, 상기건조공정동안상기제 2 금속이온이환원되어상기버퍼층의내부및 표면에금속층이형성될수 있다.
Abstract translation: 该方法包括：将包含金属还原剂的第一溶液施加在基板上以形成缓冲层;在缓冲层上施加第二溶液;以及对施加了第二溶液的缓冲层执行干燥处理 提供形成导电图案的方法，其中所述金属还原剂包含第一金属且所述第二溶液包含不同于所述第一金属的第二金属的离子， 金属层可以形成在缓冲层的内部和表面上。
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公开(公告)号：KR1020150138913A
公开(公告)日：2015-12-11
申请号：KR1020140065804
申请日：2014-05-30
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L29/78603 , H01L21/3105 , H01L21/31058 , H01L21/31144 , H01L27/1218 , H01L27/1266 , H01L29/66742
Abstract: 본발명의실시예들에따른전자장치의제조방법은소자영역및 배선영역을포함하는캐리어기판을제공하는것; 캐리어기판상에희생층및 전자소자를차례로형성하는것; 희생층상에배선영역에서굴곡진표면을갖는제1탄성층을형성하는것; 배선영역의제1탄성층상에금속배선들을형성하는것; 제1탄성층상에금속배선들을덮는제2탄성층을형성하는것; 전자소자상의제2탄성층에함몰되며, 굴곡진표면을갖는고강성패턴을형성하는것; 제2탄성층및 고강성패턴상에제3탄성층을형성하는것; 및캐리어기판을분리하는것을포함한다.
Abstract translation: 根据本发明的实施例，提供了一种用于制造电子设备的方法。 该方法包括：制备包括元件区域和布线区域的载体衬底; 依次在载体基板上形成牺牲层和电子元件; 在所述牺牲层的所述布线区域中形成具有波纹状表面的第一弹性层; 在布线区域的第一弹性层上形成金属布线; 形成覆盖所述第一弹性层上的所述金属配线的第二弹性层; 在所述电子元件上方的所述第二弹性层的凹部中形成具有波纹状表面的高刚性图案; 在第二弹性层上形成第三弹性层和高刚性图案; 并分离载体衬底。
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公开(公告)号：KR1020150138512A
公开(公告)日：2015-12-10
申请号：KR1020140065202
申请日：2014-05-29
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/32 , H01L29/786
CPC classification number: H01L27/1266 , H01L29/78603 , H01L51/0097
Abstract: 본발명은신축성전자소자의제조방법을개시한다. 그의방법은, 복수개의트렌치들을갖는몰드기판을제공하는단계와, 상기몰드기판상에상기트렌치들깊이에대응되는단차를갖는신축성기판을형성하는단계와, 상기몰드기판을제거하는단계와, 상기신축성기판상에박막트랜지스터를형성하는단계를포함한다. 상기신축성기판은, 상기몰드기판의상기트렌치들내에서형성되는하드영역과, 상기트렌치들사이의상기몰드기판상에형성되는유연영역을포함할수 있다.
Abstract translation: 公开了一种制造可拉伸电子装置的方法。 该方法包括：提供具有沟槽的模具基板的步骤; 形成具有与模具基板上的沟槽的深度对应的台阶的伸缩性电子基板的工序; 去除模具基板的步骤; 以及在所述伸缩性基板上形成薄膜晶体管的工序。 可拉伸基板可以包括形成在模具基板的沟槽中的硬区域和在沟槽之间形成在模具基板上的柔性区域。
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公开(公告)号：KR1020140031781A
公开(公告)日：2014-03-13
申请号：KR1020130031979
申请日：2013-03-26
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: B41J2/06 , B41J2/14 , B41J2/162 , B41J2/1629 , B41J2/1631 , B41J2/1639 , B41J2/1642 , B41J2/1646 , B41J2202/04
Abstract: Disclosed are a nano printing apparatus, a manufacturing method thereof, and a printing method using the same. The nano printing apparatus includes: a circuit board; a first electric wiring which are extended, on the circuit board, in the direction of a first direction; an inter-layer insulating layer which is located on the first wiring and has holes exposing part of the first electric wiring; a second electric wiring which is located in the inter-layer insulating layer and is extended in the direction of a second direction crossed by the first electric wiring; and wedge electrodes which are connected with the first electric wiring and protrudes from the holes on each intersection where the first and the second electric wiring are crossed.
Abstract translation: 公开了纳米打印装置及其制造方法和使用其的打印方法。 纳米打印装置包括：电路板; 在所述电路板上沿第一方向的方向延伸的第一电线; 层间绝缘层，其位于所述第一布线上，并且具有露出所述第一电布线的一部分的孔; 位于所述层间绝缘层中并且沿着与所述第一电布交叉的第二方向的方向延伸的第二电布线; 以及与第一电布线连接并从第一和第二电线交叉的交叉点上的孔突出的楔形电极。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020160096766A
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：KR1020150018038
申请日：2015-02-05
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H05K1/0283 , H01B5/14 , G03F7/00 , H01B13/00
Abstract: 본발명은신축성투명전극에관한것으로, 굴곡진표면을갖는제 1 기판, 상기굴곡진표면을컨포말하게덮어, 굴곡진상부를갖는제 1 도전막, 상기제 1 도전막을컨포말하게덮어, 굴곡진상부를갖는제 2 도전막, 및상기제 2 도전막을덮는제 2 기판을포함하되, 상기제 1 도전막과상기제 2 도전막중 하나는금속막이고, 다른하나는그래핀막일수 있다.
Abstract translation: 本发明涉及一种可拉伸透明电极，包括：具有弯曲表面的第一基底; 通过保形地覆盖弯曲表面的具有弯曲顶部的第一导电膜; 具有弯曲顶部的第二导电膜，其通过第一导电膜保形地覆盖; 以及用于覆盖第二导电膜的第二基板，其中第一和第二导电膜中的一个可以是金属膜，另一个可以是石墨烯膜。
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公开(公告)号：KR1020150061159A
公开(公告)日：2015-06-04
申请号：KR1020130144635
申请日：2013-11-26
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/311 , G09F9/301 , H01L29/66477 , H01L51/0023 , H01L51/0055 , H01L51/0525 , H01L51/102 , H05K1/0283 , H05K1/0333 , H05K1/16 , H05K3/0017 , H05K3/007 , H05K2201/0133 , H05K2201/0162 , H05K2201/09036 , H05K2201/09045 , H05K2201/10166 , H05K2201/2009 , H05K2203/308 , H01L21/0273
Abstract: 본발명의일 실시예에따른전자회로의제조방법은기판을준비하는것, 상기기판상에고분자막을형성하는것, 상기고분자막을패터닝하여고분자패턴을형성하는것, 및상기고분자패턴상에전자소자를형성하는것을포함한다.
Abstract translation: 根据本发明实施例的电子电路的制造方法包括：制备基板; 在基板上形成高分子膜; 通过图案化高分子膜形成高分子图案; 并在高分子图案上形成电子器件。
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公开(公告)号：KR1020140060822A
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：KR1020120127615
申请日：2012-11-12
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78603 , H01L27/1218 , H01L27/1262 , H01L27/1266 , H01L21/76838 , H01L27/124
Abstract: A method for manufacturing a stretchable thin film transistor is disclosed. The method includes a step of forming a mold substrate, a step of forming a stretchable insulator on the mold substrate, a step of forming a flat substrate on the stretchable insulator, a step of removing the mold substrate, a step of forming discontinuous and winkled lines on the stretchable insulator, a step of forming a thin film transistor which is connected between the lines, and a step of removing the flat substrate.
Abstract translation: 公开了一种制造可拉伸薄膜晶体管的方法。 该方法包括形成模具基板的步骤，在模制基板上形成可拉伸绝缘体的步骤，在可拉伸绝缘体上形成平坦基板的步骤，去除模制基板的步骤，形成不连续和闪烁的步骤 在可拉伸绝缘体上的线，形成连接在线之间的薄膜晶体管的步骤和去除平坦基板的步骤。
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公开(公告)号：KR1020140038161A
公开(公告)日：2014-03-28
申请号：KR1020120104549
申请日：2012-09-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78603 , H01L29/41733 , H01L29/66742 , H01L29/786 , H01L29/78636 , H01L51/0036 , H01L51/0039 , H01L51/0043 , H01L51/0076 , H01L51/0097 , H01L51/0541 , H01L51/0545 , H01L51/102 , H01L27/1266 , H01L29/42384
Abstract: A thin-film transistor according to one embodiment of the present invention includes: a source electrode and a drain electrode which are buried in a first flexible substrate; a semiconductor layer which is placed on the first flexible substrate to be placed between the source and the drain electrode; a gate insulating layer which completely covers the semiconductor layer; and a gate electrode which faces the semiconductor layer on the gate insulating layer.
Abstract translation: 根据本发明的一个实施例的薄膜晶体管包括：源电极和漏电极，其被埋在第一柔性基板中; 放置在第一柔性基板上以放置在源极和漏极之间的半导体层; 完全覆盖半导体层的栅极绝缘层; 以及与栅极绝缘层上的半导体层相对的栅电极。
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