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公开(公告)号：KR101192230B1
公开(公告)日：2012-10-16
申请号：KR1020080123097
申请日：2008-12-05
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 광도파로 형성 방법을 제공한다. 이 방법은 반도체 기판에 활성부를 정의하는 트렌치를 형성하고, 활성부를 부분적으로 산화시키는 것을 포함한다. 활성부의 산화되지 않은 부분은 코어에 포함되고, 활성부의 산화된 부분은 클래딩(cladding)에 포함된다.
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公开(公告)号：KR100937599B1
公开(公告)日：2010-01-20
申请号：KR1020070132314
申请日：2007-12-17
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/20
CPC classification number: H01L21/76267 , H01L21/76283
Abstract: 반도체 장치 및 그 형성 방법이 제공된다. 상기 방법은 기판 내에 국부적으로 매몰 절연막을 형성하는 단계를 포함한다. 상기 기판을 식각하여 상기 매몰 절연막을 노출하는 개구부를 형성하여, 상기 매몰 절연막 상에 적어도 일 방향으로 상기 기판으로부터 이격된 실리콘 패턴이 형성된다. 상기 실리콘 패턴을 둘러싸는 제 1 절연막이 형성된다.
국부 소이 구조, 매몰 절연막-
公开(公告)号：KR1020090064929A
公开(公告)日：2009-06-22
申请号：KR1020070132314
申请日：2007-12-17
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/20
CPC classification number: H01L21/76267 , H01L21/76283
Abstract: A semiconductor device and a forming method thereof are provided to integrate various kinds of semiconductor devices on the same substrate by using a local SOI(Silicon On Insulator) structure. An ion implantation mask is formed on an upper surface of a substrate(110). A buried insulating layer(155) is locally formed within the substrate. An ion implantation layer is formed by performing an ion implantation process using the ion implantation mask. A buried insulating layer is locally formed within the substrate by performing a thermal process. An opening for exposing the buried insulating layer is formed by etching the substrate. A silicon pattern(145) separated from the substrate is formed in at least one direction on the buried insulating layer. A first insulating layer is formed to surround the silicon pattern.
Abstract translation: 提供半导体器件及其形成方法，以通过使用局部SOI（绝缘体上硅）结构将各种半导体器件集成在同一衬底上。 在基板（110）的上表面上形成离子注入掩模。 掩埋绝缘层（155）局部地形成在衬底内。 通过使用离子注入掩模进行离子注入工艺来形成离子注入层。 通过进行热处理，在衬底内局部形成掩埋绝缘层。 通过蚀刻基板形成用于曝光掩埋绝缘层的开口。 在掩埋绝缘层上的至少一个方向上形成与衬底分离的硅图案（145）。 形成第一绝缘层以包围硅图案。
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公开(公告)号：KR1020090046015A
公开(公告)日：2009-05-11
申请号：KR1020070111912
申请日：2007-11-05
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L31/10
CPC classification number: H01L31/105 , H01L31/028 , H01L31/1812 , Y02E10/547
Abstract: 광신호를 전기적 신호로 변환시키는 수광 소자를 제공한다. 이 수광 소자는 차례로 적층된 복수의 반도체층들 및 반도체층들내에 각각 형성된 광전변환부들을 포함한다. 광전변환부들은 서로 다른 분광 감도를 가진다. 인접한 반도체층들 사이에 버퍼층이 배치된다. 버퍼층은 인접한 반도체층들간 스트레를 완화시킨다. 이 수광 소자는 외부광에 혼합된 서로 다른 파장을 가는 서브 광들의 강도들을 검출할 수 있으며, 또한, 버퍼층으로 인하여 반도체층들간의 스트레스를 완화시켜 우수한 특성의 수광 소자를 구현할 수 있다.
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公开(公告)号：KR100759825B1
公开(公告)日：2007-09-18
申请号：KR1020060096413
申请日：2006-09-29
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L27/02
CPC classification number: H01L27/144 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: A monolithic integrated composite device having a silicon integrated circuit and a silicon optical device and a manufacturing method thereof are provided to overcome the limitations of a signal processing rate and a signal transmitting rate by an enhanced bonding method. A monolithic integrated composite device includes a silicon substrate(10) defined with a silicon integrated circuit forming region and a silicon optical device forming region, a buried oxide layer(18) for separating unit devices from each other in a predetermined portion of the silicon substrate within the silicon optical device forming region, a silicon overlay layer(20) locally formed on the buried oxide layer, a silicon epitaxial layer(22) selectively formed on the silicon overlay layer, silicon optical devices(410,420) formed within the silicon optical device forming region by using the silicon epitaxial layer, a silicon integrated circuit(210) on the silicon substrate of the silicon integrated circuit forming region and metal lines. The metal lines(310,320) are used for connecting the silicon integrated circuit with the silicon optical device, the silicon optical devices with each other, or the silicon integrated circuits with each other.
Abstract translation: 提供一种具有硅集成电路和硅光学器件及其制造方法的单片集成复合器件，以通过增强的接合方法克服信号处理速率和信号传输速率的限制。 单片集成复合器件包括由硅集成电路形成区域和硅光学器件形成区域限定的硅衬底（10），用于在硅衬底的预定部分中将单元器件彼此分离的掩埋氧化物层（18） 在硅光学器件形成区域内，在掩埋氧化物层上局部形成的硅覆盖层（20），选择性地形成在硅覆盖层上的硅外延层（22），形成在硅光学器件内的硅光学器件（410,420） 通过使用硅外延层形成区域，在硅集成电路形成区域的硅衬底上的硅集成电路（210）和金属线。 金属线（310,320）用于将硅集成电路与硅光学器件，硅光学器件彼此连接，或者将硅集成电路彼此连接。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100546773B1
公开(公告)日：2006-01-26
申请号：KR1020030064719
申请日：2003-09-18
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/122
CPC classification number: G11B11/10543 , B82Y20/00 , G02B6/1226 , G11B7/124
Abstract: 누설 플라즈몬 모드 커플러 및 이를 이용한 광자기 픽업 헤드용 편광 측정 모듈을 개시한다. 본 발명의 누설 플라즈몬 모드 커플러는 평판 도파로와 누설 플라즈몬 모드 도파로가 클래드층을 사이에 공유하면서 집적된 것이다. 본 발명의 편광 측정 모듈은 상기 누설 플라즈몬 모드 커플러의 상부에 제1 포토 다이오드를, 상기 평판 도파로의 출력단에 제2 포토 다이오드를 마련한 것이다. 평판 도파로를 통해 진행하는 도파 모드 중 TM 모드는 상기 누설 플라즈몬 모드 커플러를 통해 누설 플라즈몬 모드로 커플링되고 상기 누설 플라즈몬 모드 커플러를 따라 진행하면서 지속적으로 상기 제1 포토 다이오드 쪽으로 광 파워를 전달해 준다. 따라서, 모든 TM 모드 파워는 제1 포토 다이오드에 의해 검출되고, 커플링되지 못한 모든 TE 모드 파워는 제2 포토 다이오드에 의해 검출된다. TM 모드와 TE 모드가 효과적으로 분리되고, 파워의 차이로부터 편광 각도를 측정할 수 있다.
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公开(公告)号：KR100527111B1
公开(公告)日：2005-11-09
申请号：KR1020040015075
申请日：2004-03-05
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G11B11/105
Abstract: 본 발명은 블록 코폴리머를 이용한 광자기 매체의 제조방법에 관한 것으로, 특히 광자기 매체를 성형하기 위한 평활한 기판과 그의 상부에 일정하고 규칙적인 블록 코폴리머로 형성된 나노 패턴을 마스크로 하여 광자기 기록층을 형성함으로써, 광자기 매체의 기록밀도가 향상됨과 더불어 재생신호의 품질을 더욱 향상시킬 수 있는 블록 코폴리머를 이용한 광자기 매체의 제조방법에 대한 것이다.
본 발명의 블록 코폴리머를 이용한 광자기 매체의 제조방법은, (a) 기판의 상부에 하부층을 형성하는 단계; (b) 상기 하부층의 상부에 광자기 기록층을 형성하는 단계; (c) 상기 광자기 기록층의 상부에 일정한 두께로 블록 코폴리머층을 형성하는 단계; 및 (d) 식각공정을 통하여 나노 크기를 갖는 일정하고 규칙적인 패턴을 갖도록 패턴닝된 광자기 기록층을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진다.-
公开(公告)号：KR100526679B1
公开(公告)日：2005-11-08
申请号：KR1020030048178
申请日：2003-07-15
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/12
Abstract: 본 발명은 광 커플링 효율(coupling efficiency)을 향상시킬 수 있는 광 도파로 격자 렌즈(Focusing waveguide grating coupler, FWGC)에 관한 것으로, 평면 도파로(planar waveguide), 경사진 격자(slanted grating), 프레넬 격자 렌즈(Fresnel lens)로 구성된다. 평면 도파로를 통해 도파되는 단일 모드(single mode)가 경사진 격자를 만나면서 브래그(Bragg) 조건을 만족하는 전파상수를 갖고 상부 클래딩(over cladding) 쪽으로 출력빔을 발생시킨다. 모드로부터 빠져 나온 빔은 프레넬 격자 렌즈에 의해 회절되어 클래딩 밖으로 빠져 나오면서 초점으로 모인다. 기존의 도파로 격자 렌즈가 클래딩 쪽과 기판 쪽으로 각각 50%의 커플링 효율을 갖는 반면, 본 발명에서 제안하는 광 도파로 격자 렌즈는 광 커플링 방향이 클래딩 쪽으로만 이루어지므로 50% 이상의 커플링 효율을 얻을 수 있다. 본 발명에서는 안정적이고 견고한 광민감성(photosensitivity) 유리에 광 각인(photo-imprinting) 방법으로 경사진 격자를 형성한다.
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公开(公告)号：KR100518030B1
公开(公告)日：2005-10-04
申请号：KR1020030045987
申请日：2003-07-08
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/28
Abstract: 본 발명은 제조 공정의 부담을 줄이면서도 단일 출력빔을 구현할 수 있는 누설모드를 이용한 광 커플러를 제공하기 위한 것으로, 이를 위해 본 발명은, 제1굴절율(n1)을 갖는 기판; 상기 기판 상에 배치된 제2굴절율(n2)의 제1코어층; 상기 제1코어층과 간격(d)를 갖고 이격되어 상기 제1코어층 상부에 배치된 제3굴절율(n3)의 제2코어층; 상기 제2코어층 상에 배치된 제4굴절율(n4)의 제1클래드층; 상기 제1클래드층 상에 배치되고, 상기 제1코어층과 상기 제2코어층 사이에 확장되어 게재된 제5굴절율(n5)의 제2클래드층; 및 상기 제2클래드층 상에 배치된 프레넬 렌즈를 포함하며, 상기 각 굴절율이 n5＞(n2, n3)＞n1 및 n5＞n4의 조건을 만족하고, 상기 제1코어층 및 상기 제2코어층을 통해 입사된 광이 상기 조건에 형성된 누설모드에 의해 상기 프레넬 렌즈에 누설빔으로 입사하며, 상기 누설빔은 상기 프레넬 격자에 의해 반사된 빔에 의해 상기 기판 하부로의 단일 방향 커플링을 이루어 광초점을 형성하는 것을 특징으로 하는 누설모드를 이용한 광 커플러를 제공한다.
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公开(公告)号：KR1020050065900A
公开(公告)日：2005-06-30
申请号：KR1020030097062
申请日：2003-12-26
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G01J4/04
CPC classification number: G01J4/04 , G01J1/0444 , G01R13/403 , H04N9/3197
Abstract: 본 발명은 집적 광 픽업 헤드(integrated optical pickup head, IOPH)를 광 자기 헤드로 구현하기 위해 필요한 Kerr 각도 측정 모듈에 관한 것이다. 본 발명의 Kerr 측정 모듈은 포토 다이오드, 홀로그래픽(holographic) 입력 커플러, 홀로그래픽 편광빔 분리기, 프리즘 등으로 구성되며, 실리카 기판으로 만들어진 광 도파로 격자렌즈(Focusing waveguide grating coupler)와 결합되어 광 자기 디스크로부터 반사되는 빔의 회전된 편광각을 검출하는 기능을 갖는다. 디스크에 반사된 빔은 격자렌즈에 의해 도파로를 따라 커플링되지만, 그 중 일부는 커플링되지 않고 실리카 기판을 투과하여 입력 커플러로 입사한다. 홀로그래픽 격자로 이루어진 입력 커플러는 홀로그래픽 편광빔 분리기의 빔 입사각을 만든다. 입력 커플러에 의해 회절된 빔 중 p 파는 편광빔 분리기를 투과하고(0차 회절), s 파는 브래그(Bragg) 조건을 만족하는 각도로 회절(1차 회절)한다. 편광 분리된 두 빔은 프리즘을 투과하여 분리되고, 공간적으로 분리된 빔은 포토 다이오드에 의해 각각의 파워가 검출된다.
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