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公开(公告)号：KR101296833B1
公开(公告)日：2013-08-14
申请号：KR1020090121080
申请日：2009-12-08
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G02B6/43 , G02B6/262 , G02B6/4292
Abstract: 발광 소자로부터 열적으로 분리된 실리콘 포토닉스 칩이 제공된다. 이 실리콘 포토닉스 칩은 실리콘 기판 상에 집적된 광전 소자들을 포함하고, 광전 소자들은, 신호광 생성 장치로부터 입사되는 적어도 하나의 신호광을 광학적으로 가이드하여 실리콘 포토닉스 칩 내부로 전송해 주는 광연결 장치를 포함할 수 있다. 이때, 신호광 생성 장치는 광전 소자들로부터 열적으로는 분리되고 광학적으로는 연결되도록 구성될 수 있다.
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公开(公告)号：KR101015406B1
公开(公告)日：2011-02-22
申请号：KR1020080131183
申请日：2008-12-22
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 광 결합 장치를 제공한다. 이 장치는 장치는 기판, 제1 입출력 격자 커플러 및 상기 제1 입출력 격자 커플러와 이격된 제1 층간 격자 커플러를 포함하고, 기판 상의 제1 평면에 배치된 제1 광도파로, 제1 층간 격자 커플러와 대향하게 배치되어 광 결합을 하는 제2 층간 격자 커플러를 포함하고 제1 평면과 다른 제2 평면에 배치된 제2 광도파로, 및 제1 광도파로가 배치된 제1 평면과 상기 제2 광도파로가 배치된 제2 평면 사이에 개재된 제1 클래딩층을 포함한다. 제1 광도파로의 일단에 배치된 제1 입출력 격자 커플러는 제1 입출력 격자 커플러 상에서 입사하는 입사광을 제1 광도파로에 광 결합하고, 제1 층간 격자 커플러와 제2 층간 격자 커플러는 층간 광 결합을 제공한다.
실리콘 기판, 층간 격자 커플러, 입출력 격자 커플러-
公开(公告)号：KR100918381B1
公开(公告)日：2009-09-22
申请号：KR1020070132341
申请日：2007-12-17
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/10
Abstract: 회절 격자 커플러를 갖는 반도체 집적회로 및 그 형성 방법을 제공한다. 반도체 집적회로는 회절 격자 아래에 배치된 적어도 하나의 반사체를 포함한다. 반사체는 회절 격자 아래의 피복층 및/또는 반도체 기판 내에 배치될 수 있다. 반사체는 광도파로 아래로 투과된 광신호의 일부를 광도로파로 되돌릴 수 있다. 이에 따라, 반도체 집적회로의 광 커플링 효율성을 향상시킬 수 있다.
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公开(公告)号：KR100918379B1
公开(公告)日：2009-09-22
申请号：KR1020070128259
申请日：2007-12-11
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/10
Abstract: 광 도파로 구조체 및 그 제조 방법을 제공한다. 이 방법은 전이 영역을 갖는 기판을 준비하고, 기판 상에 전이 영역을 가로지르는 고굴절률 패턴을 형성하고, 기판 상에 전이 영역에서 예각을 이루면서 고굴절률 패턴을 가로지르는 저굴절률 패턴을 형성한 후, 저굴절률 패턴에 의해 노출되는 고굴절률 패턴을 식각하여, 전이 영역에서 저굴절률 패턴과 평행한 일 측벽을 갖는 고굴절률 코어를 형성하는 단계를 포함한다.
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公开(公告)号：KR101153369B1
公开(公告)日：2012-06-08
申请号：KR1020080125871
申请日：2008-12-11
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/12
CPC classification number: G02B6/1228 , G02B6/12004 , G02B6/124 , G02B6/34
Abstract: 본발명은광학장치를제공한다. 이장치는기판, 기판상에배치된제1 클래딩, 제1 클래딩상에제1 방향으로연장되는제1 유전율을가지는제1 광도파로, 제1 광도파로의적어도일측에형성된측면격자, 제1 클래상에상기측면격자의공간을채우고제1 방향을가로지르는제2 방향으로연장되는제2 유전율을가지는제2 광도파로, 및제2 광도파로상에배치된제3 유전율을가진제2 클래딩을포함하되, 제1 유전율은제2 유전율보다크고, 제2유전율은제3 유전율보다크다.
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR1020110064461A
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：KR1020090121080
申请日：2009-12-08
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G02B6/43 , G02B6/262 , G02B6/4292
Abstract: PURPOSE: A silicon photonic chip is provided to increase the efficiency, the durability, and the stability of optical connection between light emitting elements. CONSTITUTION: A silicon photonic chip(100) processes incident light from a light emitting element(200) using a plurality of photoelectric elements. The photoelectric elements include a light connecting unit(INPUT), a modulating unit(MOD), a multiplexing unit(MUX), a demultiplexing unit(DEMUX), and a light receiving unit(PD). The optical connection between the photoelectric elements is formed by an optical waveguide formed on the silicon photonic chip.
Abstract translation: 目的：提供硅光子芯片以提高发光元件之间光连接的效率，耐久性和稳定性。 构成：硅光子芯片（100）使用多个光电元件处理来自发光元件（200）的入射光。 光电元件包括光连接单元（INPUT），调制单元（MOD），复用单元（MUX），解复用单元（DEMUX）和光接收单元（PD）。 光电元件之间的光学连接由形成在硅光子芯片上的光波导形成。
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公开(公告)号：KR100927664B1
公开(公告)日：2009-11-20
申请号：KR1020080031847
申请日：2008-04-04
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G02B6/12011 , G02B2006/12119
Abstract: 도파로 구조체 및 배열 도파로 격자 구조체를 제공한다. 이 배열 도파로 격자 구조체는 입력 스타 커플러, 출력 스타 커플러 및 입력 및 출력 스타 커플러들을 광학적으로 연결하는 복수개의 배열 도파로들을 구비한다. 이때, 배열 도파로들 각각은 높은 한정 인수를 갖는 적어도 하나의 구간 및 낮은 한정 인수를 갖는 적어도 두개의 구간들을 포함하고, 배열 도파로들의 높은 한정 인수를 갖는 구간들은 동일한 구조를 갖도록 형성된다.
Abstract translation: 提供了波导结构和阵列波导光栅结构。 阵列波导光栅结构包括输入星形耦合器，输出星形耦合器以及光学连接输入星形耦合器和输出星形耦合器的多个阵列波导。 每个阵列波导包括至少一个具有高限制因子的部分和至少两个具有相对低限制因子的部分。 具有高限制因子的阵列波导的部分具有相同的结构。
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公开(公告)号：KR1020090064952A
公开(公告)日：2009-06-22
申请号：KR1020070132341
申请日：2007-12-17
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G02B6/10
Abstract: A semiconductor integrated circuit including a diffraction grating coupler for an optical communication, and a manufacturing method thereof are provided to improve optical coupling efficiency of a semiconductor integrated circuit by sending a part of an optical signal transmitted under an optical waveguide to the optical waveguide by a reflector. A semiconductor integrated circuit including a diffraction grating coupler for an optical communication includes a coating layer(102), a coupler(115), and a reflector(120a). The coating layer is arranged on a semiconductor substrate(100). The diffraction grating coupler includes an optical waveguide(112) which is arranged on the coating layer, and a diffraction grating(113) which is arranged on the optical waveguide. The reflector is formed inside the coating layer under the diffraction grating.
Abstract translation: 提供一种包括用于光通信的衍射光栅耦合器及其制造方法的半导体集成电路及其制造方法，用于通过将在光波导下传输的光信号的一部分发送到光波导来提高半导体集成电路的光耦合效率 反射器。 包括用于光通信的衍射光栅耦合器的半导体集成电路包括涂层（102），耦合器（115）和反射器（120a）。 涂层设置在半导体衬底（100）上。 衍射光栅耦合器包括布置在涂层上的光波导（112）和布置在光波导上的衍射光栅（113）。 反射体形成在衍射光栅下面的涂层内。
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公开(公告)号：KR101204335B1
公开(公告)日：2012-11-26
申请号：KR1020080128611
申请日：2008-12-17
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: G02B6/12011
Abstract: 적어도 두개의 배열 도파로 격자 구조체들을 구비하는 광 소자 칩이 제공된다. 광 소자 칩의 배열 도파로 격자 구조체들 각각은 입력 스타 커플러, 출력 스타 커플러 및 입력 및 출력 스타 커플러들을 광학적으로 연결하는 복수개의 배열 도파로들을 포함한다. 배열 도파로들 각각은 높은 한정 인수를 갖는 적어도 하나의 제 1 구간 및 낮은 한정 인수를 갖는 적어도 두개의 제 2 구간들을 포함하고, 배열 도파로들의 제 1 구간들은 동일한 구조를 갖도록 형성된다.
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公开(公告)号：KR1020110027549A
公开(公告)日：2011-03-16
申请号：KR1020100066675
申请日：2010-07-12
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: PURPOSE: An electro-optic modulating device is provided to form vertical PN junctions or vertical PIN junctions in an optical waveguide, thereby increasing a change of an effective refractive index during a device operation. CONSTITUTION: A semiconductor film(30) configuring an optical waveguide(WG) is arranged on a substrate(10). The optical waveguide comprises the first slab part(SP1), the second slab part(SP2), and a lip part(RP). The lip part includes a thickness thicker than the first and second slab parts. The first and second doping areas(D1,D2) are formed on the first and second slab parts respectively. A vertical doping area(50) configuring a vertical structure is formed in the lip part.
Abstract translation: 目的：提供电光调制装置以在光波导中形成垂直PN结或垂直PIN结，从而在器件操作期间增加有效折射率的变化。 构成：构成光波导（WG）的半导体膜（30）配置在基板（10）上。 光波导包括第一板坯部（SP1），第二板坯部（SP2）和唇部（RP）。 唇部包括比第一和第二板坯部分厚的厚度。 第一和第二掺杂区域（D1，D2）分别形成在第一和第二平板部件上。 在唇部形成垂直结构的垂直掺杂区域（50）。
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