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公开(公告)号：KR100284577B1
公开(公告)日：2001-03-15
申请号：KR1019980049318
申请日：1998-11-17
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 파라메트릭 설계용 기하학적 제약조건(Geometric Constraint)을 해결하는 방법으로, 특히 형상요소(Geometric Entity)와 제약조건이 많을 경우에도 이를 효과적이며 짧은 시간에 해결할 수 있는 새로운 방법에 관한 것이다. 본 발명은, 입력된 CAD 모델에 대해 제약그래프를 만드는 과정과, 제약조건을 점진적으로 만족시키는 일련의 디자인 히스토리를 생성하고 분류하는 플랜 생성과정과, 생성 및 분류된 디자인 히스토리의 형태에 따라 해결방법을 달리 적용하여 각 형상요소의 좌표값(위치 및 자세)을 새롭게 계산하여 가변 디자인 모델을 출력하는 플랜 평가과정과, 치수 및 제약조건에 새로운 값을 사용자 입력으로 부여하여 상기 플랜 평가과정에서 생성된 디자인 히스토리를 재계산하도록 피드백 시키는 형상수정과정을 수행하는 것을 특징으로 하는 파라메트릭 설계용 기하학적 제약조건 해결방법을 제공한다. 본 발명은 전체적으로는 해석적 접근방법(Constructive Approach)에 기반을 두고 부분적으로는 수치적 접근방법(Numerical Approach)에 기반을 두고 있다. 해석적 접근방법은 자와 컴퍼스로 작도 가능한 (Ruler-and-compass Constructible) 형상들을 해결하고, 수치적 접근방법은 자와 컴퍼스로 작도 불가능한 (Ruler-and-compass Non-constructible) 형상들을 해결할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1020000032763A
公开(公告)日：2000-06-15
申请号：KR1019980049318
申请日：1998-11-17
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: PURPOSE: A geometric solution for parametric design is disclosed is to minimize the numerical instability in designing CAD models by concentrating on the constructive approach and the numerical approach. CONSTITUTION: A parametric design's geometric solution method is composed of graph generation(100), construction plan generation(200), plan evaluation(300), and model modification(400). The CAD model input(11), based on geometric entities and constraints is processed by supervised input(c1)(100). A new graph is generated and processed through (11), (c1), second supervised input(c2), graph reduction and classification(M2), rule reasoning method(M1) and results in the creation and classification of design history(200). Design history is then processed by (11), (c1), (M1), and cluster analysis algorithm (M3), and the evaluation of system and output of variable model design is made(300). Based on the (300)'s variable model design, a new measurement and constraints is created by API calls system and evaluated by (300), and a new variable model design is created.
Abstract translation: 目的：公开了一种用于参数化设计的几何解决方案，是通过集中于建设性方法和数值方法来最大限度地减少设计CAD模型的数值不稳定性。 构成：参数化设计的几何解决方法由图生成（100），施工计划生成（200），计划评估（300）和模型修改（400）组成。 基于几何实体和约束的CAD模型输入（11）由监督输入（c1）（100）处理。 通过（11），（c1），第二监督输入（c2），图表缩小和分类（M2），规则推理方法（M1）生成和处理新图，并在设计历史的创建和分类中得到结果（200） 。 （11），（c1），（M1）和聚类分析算法（M3）处理设计历史，对变量模型设计的系统和输出进行评估（300）。 基于（300）的变量模型设计，API调用系统创建了一个新的测量和约束，并通过（300）进行了评估，并创建了一个新的变量模型设计。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR100470916B1
公开(公告)日：2005-03-10
申请号：KR1020020058482
申请日：2002-09-26
Applicant: 한국전자통신연구원
Inventor： 이재열
Abstract: 본 발명은 인터넷 기반 가상모형 모델링 시스템에 관한 것으로, 압축형 가상모형 가시화 모델(Compressed Visualization Representation) 형상 표현을 기반으로 웹 상에서 실행이 가능한 가상모형 모델링 클라이언트가 SOAP(Simple Object Access Protocol)/XML(eXtensible Markup Language) 기반의 웹서비스 인터페이스를 제공하는 가상모형 모델링 서버를 통하여 인터넷 기반 가상모형 모델링 및 분석 기능을 제공하는데 그 목적이 있다. 본 발명에 따르면, 분산 환경하에서 가상모형 모델링 기술에 있어서, 클라이언트/서버 구조에 기반을 둔 분산 환경을 제공하며 서버와 클라이언트의 교량 역할을 수행하는 웹서비스 기반의 상호운용성을 지원하는 인터페이스부와, 분산 환경하에서 압축형 V-Rep을 이용하여 가상모형 가시화 및 협업을 지원하며 각각의 클라이언트에게 필요한 공통된 형상모델을 표현하는 인터넷 기반 가상모형 형상 표현부와, STEP 표준에 기반을 둔 가상모형 모델링 서버가 제공된다.
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公开(公告)号：KR1020040025327A
公开(公告)日：2004-03-24
申请号：KR1020020057251
申请日：2002-09-19
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: G06F17/50
CPC classification number: G06T17/10
Abstract: PURPOSE: A device and a method for generating a progressive solid model based on a cellular topology are provided to generate/output the progressively transmitted progressive solid model by applying the sequential progressive features to an initial solid model generated by simplifying an input feature-based model. CONSTITUTION: A cellular model generator(10) generates a feature-based cellular topology model through a mapping work for the input feature-based model by referring to a feature library. A progressive model initializer(20) generates an initial cellular model for generating the progressive solid model through cell merging by using a volume attribute of the cells according to a relationship between the cells got from the cellular topology model and the input feature-based model. The progressive initializer finds out the delta volumes to transit the initial cellular model by merging/dissolving the cells. A progressive model generator(30) generates the progressive features defined by an attribute value and face subset of the delta volumes, and outputs the progressive features and the initial cellular model as a completed progressive solid model.
Abstract translation: 目的：提供一种用于生成基于蜂窝拓扑的渐进实体模型的装置和方法，用于通过将顺序渐进特征应用于通过简化基于输入特征的模型生成的初始实体模型来生成/输出逐渐传送的渐进实体模型 。 构成：细胞模型生成器（10）通过参考特征库通过基于输入特征的模型的映射工作生成基于特征的蜂窝拓扑模型。 逐行模型初始化器（20）通过使用细胞的体积属性根据从蜂窝状拓扑模型得到的细胞与基于输入特征的模型之间的关系，生成通过细胞合并生成渐进实体模型的初始细胞模型。 渐进式初始化程序通过合并/解开单元格来找出通过初始细胞模型的增量体积。 逐行模型生成器（30）生成由属性值和增量体积的面部子集定义的渐进特征，并将逐行特征和初始细胞模型输出为完整的渐进实体模型。
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公开(公告)号：KR100282609B1
公开(公告)日：2001-02-15
申请号：KR1019980051035
申请日：1998-11-26
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은, 동시공학적 제품개발 프로세스 지원을 위한 정성적 설계요소의 정량화 변환 시스템 및 추론방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 정량화 변환 시스템(100)은, 개발 제품의 정성적인 설계요소들의 정보를 입력 및 처리하는 정성적 설계정보 처리 서브시스템(110)과, 정성적 설계요소와 개발 제품의 부품객체 간 상관도 평가결과에 대한 정보를 처리 및 관리하는 상관도 정보처리 서브시스템(120)과, 상기 정성적 설계정보 처리 서브시스템(110)과 상기 상관도 정보처리 서브시스템(120)에서 생성된 정성적인 설계요소 및 부품객체 간의 상관도 결과값과 부품객체의 속성치를 사용하여 추론에 의해 채택된 제품의 부품객체 조합 정보를 생성하는 추론엔진 서브시스템(130)과, 제품을 구성하는 부품객체에 대한 설계정보를 처리 및 관리하는 정량적 설계� �보 처리 서브시스템(140)과, 상기 정량적 설계정보 처리 서브시스템(140)에 의해 처리된 부품객체에 대한 설계정보를 사용하여 제품정보를 생성하는 제품정보 생성 서브시스템(150)을 구비함으로써, 다양한 분야의 비 엔지니어링 전문가 간의 상호 의사소통 및 설계 개념을 공유할 수 있는 환경을 제공함으로써, 동시공학적인 협력설계 환경을 제공할 수 있으며, 특히 계량화가 어려운 개념적인 설계 이미지를 정량적인 설계요소로 변환하는 설계 프로세스를 효율적으로 구현할 수 있다.
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公开(公告)号：KR1019950021171A
公开(公告)日：1995-07-26
申请号：KR1019930028672
申请日：1993-12-20
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/302
Abstract: 본 발명은 반도체 소자를 제작하는데 있어 필수적인 미세 식각 패턴 형식을 STM을 이용하여 제작하는 방법에 관한 것으로써, 종래의 전자빔이나 불활성 기체 이온빔을 사용하는 방법에 비해 선폭이 훨씬 작고(수 Å), 식각부분의깊이를 원자 scale에서 조절할 수 있다. 본 발명에서는 si표면을 불소(F)나염소(Cl)등으로 패시베이트(passivate)되게 하고(단계a), 흡착된 원자들이 Si과 반응을 일으킬 수 있도록 표면온도를 유지하면서 STM의 금속탐침을 원하는 위치에 접근시킨후 짧은 시간동안 전압을 가해 SiCl
x (x=1,2,3,4)나 SiF
x (x=1,2,3,4)의 탈착에 의한 Si표면의 식각을 유도한다(단계b). 다시 같은 공정을 반복하여 Si의 두 번째 층을 식각한 패턴의 형성하는 공정(단계 c와단계 d)을 거쳐 저가의 장비로, 낮은 에너지 빔을 이용하여 표면결함이 적은 원자단위에서 넓이와 높이조절이 가능한 미세 식각 패턴의 제작이 가능하다. 이러한 식각방법은 Si과 GaAs 등의 화합물 반도체에도 적용 가능하다.
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