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公开(公告)号：KR1020170023389A
公开(公告)日：2017-03-03
申请号：KR1020160105100
申请日：2016-08-18
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본발명은레이저장치및 그를포함하는진단시스템을개시한다. 그의장치는펌프광을생성하는펌프광 소스와, 상기펌프광을흡수하여레이저광의이득을갖는이득매질과, 상기이득매질의양측들에배치되어상기레이저광을공진하는공진기를포함한다. 공진기는상기펌프광 소스와상기이득매질사이에배치된입력반사부와, 상기입력반사부에대향하는상기이득매질의출력반사부와, 상기입력반사부 또는상기출력반사부에인접하여배치되고, 상기레이저광의파장을 100nm 이상으로변화시키는파장가변부를포함한다.
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：KR1020160115686A
公开(公告)日：2016-10-06
申请号：KR1020160004359
申请日：2016-01-13
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L21/428 , H01L21/268 , H01L21/426 , H01L21/02
Abstract: 본발명은기판도핑방법을개시한다. 그의방법은, 기판을제공하는단계와, 상기기판상에타깃물질을제공하는단계와, 상기타깃물질에레이저빔을제공하여상기타깃물질의도전성불순물을기판내에주입하는단계를포함한다.
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公开(公告)号：KR101163533B1
公开(公告)日：2012-07-09
申请号：KR1020090030267
申请日：2009-04-08
Applicant: 한국전자통신연구원 , 충북대학교 산학협력단
Abstract: 본 발명의 실시 예에 따른 강압 변환 시스템은, 외부로부터 제 1 전압을 입력받아 상기 제 1 전압보다 낮은 제 2 전압을 발생하는 전압 조절기, 및 상기 제 1 전압과 상기 제 2 전압으로 구동되는 상위 로직과 상기 제 1 전압과 접지 전압으로 구동되는 하위 로직을 갖는 로직 회로를 포함하되, 상기 로직 회로는 상기 상위 로직 및 상기 하위 로직의 전력 소비를 조절할 수 있을 것이다.
본 발명에 따른, 고전압과 구동 전압으로 구동되는 상위 로직 및 상기 구동 전압과 접지 전압으로 구동되는 하위 로직을 갖는 로직 회로를 갖는 강압 변환 시스템의 강압 변환 방법은, 상기 상위 로직의 소비 전력과 상기 하위 로직의 소비 전력이 동일한 지 판별하는 단계, 및 상기 상위 로직의 소비 전력과 상기 하위 로직의 소비 전력이 동일하지 않을 때, 상기 상위 로직에서 사용되는 전하량과 상기 하위 로직에 사용되는 전하량이 동일하게 되도록 상기 상위 로직 혹은 상기 하위 로직의 비율을 가변하는 단계를 포함할 것이다.
강압, 전하 재활용, 선택, 상위, 하위-
公开(公告)号：KR101158751B1
公开(公告)日：2012-06-22
申请号：KR1020090028882
申请日：2009-04-03
Applicant: 한국전자통신연구원 , 충북대학교 산학협력단
IPC: G11C11/416 , G11C11/419 , G11C11/413 , G11C11/4193
Abstract: 본 발명의 실시 예에 따른 반도체 메모리 장치는, 데이터 버스라인쌍에 제 1 스윙전압을 제공하는 쓰기 드라이버, 상기 데이터 버스라인쌍을 입력 어드레스에 따라 선택된 비트라인쌍에 연결하는 컬럼 선택회로, 및 상기 선택된 비트라인쌍에 연결된 복수의 서브블록들을 포함하되, 상기 복수의 서브블록들 각각은, 상기 선택된 비트라인쌍의 상기 제 1 스윙 전압을 감지 증폭하여 제 2 스윙 전압을 생성하는 쓰기 감지기, 및 상기 제 2 스윙 전압을 제공받는 서브비트라인쌍에 연결되고, 상기 서브비트라인쌍의 상기 제 2 스윙 전압에 따라 데이터가 저장되는 복수의 메모리 셀들을 포함할 것이다.
반도체 메모리 장치, 전하 재활용, 읽기, 쓰기
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