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公开(公告)号：KR100517821B1
公开(公告)日：2005-09-30
申请号：KR1020030020781
申请日：2003-04-02
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 본 발명은 형광체를 구비하는 아노드 판과 전계 에미터와 이의 전계방출 전류를 제어하는 제어소자를 갖는 캐소드 판 사이에, 관통하는 게이트 구멍을 가지고 그 주위에는 게이트 전극을 구비하는 게이트 판을 구비하는 전계 방출 디스플레이에 관한 것으로, 캐소드 판의 전계 에미터는 게이트 구멍을 통하여 상기 아노드 판의 형광체와 서로 대향할 수 있도록 구성된다.
본 발명에 의하면, 디스플레이의 스캔 및 데이터 신호를 각 픽셀의 제어 소자에 입력하여 구동함으로써 디스플레이 행열 구동 전압을 감소시킬 수 있고, 전계 방출에 필요한 전기장을 게이트 판의 게이트 전극을 통하여 인가할 수 있기 때문에 아노드 판과 캐소드 판의 간격을 자유로이 조절할 수 있으며, 이에 따라 아노드 판에 고전압을 인가할 수 있게 되어 전계 방출 디스플레이의 휘도를 크게 높일 수 있다.-
公开(公告)号：KR1020050020494A
公开(公告)日：2005-03-04
申请号：KR1020030058500
申请日：2003-08-23
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H05B33/26
Abstract: PURPOSE: A top emitting type organic electroluminescence diode display and a method for manufacturing the same are provided to reduce a non-uniformity of brightness between pixels by preventing a non-uniformity of voltage drop in a transparent cathode electrode. CONSTITUTION: A top emitting type organic electroluminescence diode display comprises a plurality of lower electrodes spaced apart from each other so as to define pixels(300); an organic light emitting layer formed on the lower electrodes; a transparent cathode electrode(310) arranged on the organic light emitting layer so as to form a light emitting unit; a ground terminal(450) arranged outside the transparent cathode electrode; and a connection wire(410) electrically connected to the ground terminal, and arranged along the edge of the transparent cathode electrode.
Abstract translation: 目的：提供顶部发射型有机电致发光二极管显示器及其制造方法，以通过防止透明阴极电极中的电压降的不均匀性来减少像素之间的亮度的不均匀性。 构造：顶部发射型有机电致发光二极管显示器包括彼此间隔开的多个下电极，以便限定像素（300）; 形成在下电极上的有机发光层; 布置在有机发光层上以形成发光单元的透明阴极电极; 布置在透明阴极电极外部的接地端子（450） 以及电连接到接地端子并且沿着透明阴极电极的边缘布置的连接线（410）。
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公开(公告)号：KR1020040054437A
公开(公告)日：2004-06-25
申请号：KR1020020081475
申请日：2002-12-18
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H05B33/26
CPC classification number: H01L51/5284 , H01L27/3258 , H01L51/56
Abstract: PURPOSE: An active organic EL device and a method for manufacturing the same are provided to reduce crosstalk between neighboring pixels by forming electrodes for BM at non-emitting region. CONSTITUTION: An active matrix type EL device comprises a substrate(1) having a plurality of pixels; a driving element including a gate electrode, an active layer, a source electrode, and a drain electrode; a first electrode connected to the drain electrode; an insulating layer(3) formed on the non-emitting region of the first electrode; an electrode(4) for BM formed on the insulating layer; a second electrode connected electrically to the electrode for BM; and an organic thin film(5) disposed between the first electrode and the second electrode and emitting light by electric field.
Abstract translation: 目的：提供一种活性有机EL器件及其制造方法，以通过在非发射区域形成用于BM的电极来减少相邻像素之间的串扰。 构成：有源矩阵型EL器件包括具有多个像素的衬底（1） 驱动元件，包括栅电极，有源层，源电极和漏电极; 连接到所述漏电极的第一电极; 形成在第一电极的不发射区上的绝缘层（3）; 形成在绝缘层上的用于BM的电极（4）; 电连接到用于BM的电极的第二电极; 以及设置在第一电极和第二电极之间并通过电场发射光的有机薄膜（5）。
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公开(公告)号：KR1020040051469A
公开(公告)日：2004-06-18
申请号：KR1020030014782
申请日：2003-03-10
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: PURPOSE: A triode type field emission device and a field emission display are provided to maintain a low driving voltage and minimize a power consumption by preventing a leakage current. CONSTITUTION: A triode type field emission device comprises a lower electrode(402) arranged on an insulating substrate(401); a carbon nanotube mixture arranged on the lower electrode; an insulating mesh gate plate(403) having a plurality of holes corresponding to the position of the carbon nanotube mixture array, wherein the size of the top of each of the holes is smaller than the size of the bottom of the hole; an extraction electrode(404) arranged on the insulating mesh gate plate; an upper electrode(407) spaced apart from the extraction electrode; and a spacer(406) interposed between the extraction electrode and the upper electrode.
Abstract translation: 目的：提供三极管型场致发射器件和场致发射显示器以保持低驱动电压并且通过防止漏电流来最小化功耗。 构造：三极管型场发射器件包括布置在绝缘衬底（401）上的下电极（402）。 布置在下电极上的碳纳米管混合物; 具有对应于碳纳米管混合物阵列的位置的多个孔的绝缘网栅板（403），其中每个孔的顶部的尺寸小于孔的底部的尺寸; 布置在所述绝缘网栅板上的引出电极（404） 与所述引出电极间隔开的上电极（407）; 以及插入在所述引出电极和所述上部电极之间的间隔物（406）。
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15.发明授权
公开(公告)号：KR100817746B1
公开(公告)日：2008-03-31
申请号：KR1020060123955
申请日：2006-12-07
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/786
CPC classification number: H01L29/78603 , H01L27/124 , H01L29/4908 , H01L29/42384 , H01L27/1214
Abstract: A method for manufacturing a thin film transistor of multi-layered structure and an active matrix display device including the same are provided to lessen a leakage current of a TFT device by forming a gate metal layer with an etched corner area. A buffer insulating layer(120) is formed on a plastic substrate(110). A silicon layer is formed on the buffer insulating layer, and then the silicon layer is patterned to form an active layer(130). A gate insulating layer is formed on the active layer, and then plural gate metal layers(150) are deposited on the gate insulating layer. The plural gate metal layers are patterned, and then a corner area of the lowermost gate metal layer formed on the gate insulating is etched.
Abstract translation: 提供一种制造多层结构的薄膜晶体管的方法和包括该薄膜晶体管的有源矩阵显示装置，以通过形成具有蚀刻拐角区域的栅极金属层来减小TFT器件的漏电流。 缓冲绝缘层（120）形成在塑料基板（110）上。 在缓冲绝缘层上形成硅层，然后将硅层图案化以形成有源层（130）。 在有源层上形成栅极绝缘层，然后在栅极绝缘层上沉积多个栅极金属层（150）。 对多个栅极金属层进行图案化，然后蚀刻形成在栅极绝缘体上的最下面的栅极金属层的拐角区域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：KR100684176B1
公开(公告)日：2007-02-20
申请号：KR1020040107026
申请日：2004-12-16
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L27/3265 , H01L27/1255 , H01L27/1288 , H01L27/3244 , H01L27/3262 , H01L29/78603 , H01L29/78621 , H01L2251/5315 , H01L2251/5338
Abstract: 본 발명은 플라스틱 기판을 이용하는 능동 구동 표시 소자 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 저온 능동 구동 표시 소자는 플라스틱 기판 상에 형성되는 반사층 및 버퍼층과, 기판 상의 제 1 영역에서 버퍼층 상에 형성되는 트랜지스터와, 트랜지스터 상에 형성되는 층간절연막과, 기판 상의 제 2 영역에서 층간절연막으로부터 반사층까지 연장되는 트랜치 내에 형성되며 제 1 전극이 트랜지스터의 소스/드레인 전극에 접속되는 캐패시터, 및 일전극이 캐패시터의 제 2 전극에 접속되는 표시 소자를 포함한다. 본 발명에서는 포토레지스트 스페이서를 형성하여 박막 트랜지스터 소자의 누설을 감소시키고, 리플렉터를 사용하여 레이저에 의한 기판 손상을 방지하며, 3차원 캐패시터 구조를 사용하여 개구율을 증가시킨다.
플라스틱 기판, 박막 트랜지스터, Capacitor, P/R Spacer, Reflector-
公开(公告)号：KR1020060068364A
公开(公告)日：2006-06-21
申请号：KR1020040107026
申请日：2004-12-16
Applicant: 한국전자통신연구원
CPC classification number: H01L27/3265 , H01L27/1255 , H01L27/1288 , H01L27/3244 , H01L27/3262 , H01L29/78603 , H01L29/78621 , H01L2251/5315 , H01L2251/5338
Abstract: Provided are a low temperature active matrix display device using a plastic substrate and method of fabricating the same. The low temperature active matrix display device includes: a plastic substrate; a reflection layer disposed on the plastic substrate; a buffer layer disposed on the reflection layer; a thin film transistor disposed on the buffer layer in a first region of the plastic substrate; an interlayer dielectric layer disposed on the thin film transistor; a capacitor disposed in a trench formed in a second region of the plastic substrate and having a first electrode connected to a source electrode and a drain electrode of the thin film transistor, the trench extending from the interlayer dielectric layer to the reflection layer; and a display device having one electrode connected to a second electrode of the capacitor. The above-described structure includes photoresist spacers to decrease a leakage current from the TFT, includes a reflector to protect the plastic substrate from deformation due to laser irradiation, and employs a three-dimensional capacitor to increase an aperture ratio.
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公开(公告)号：KR100480310B1
公开(公告)日：2005-04-07
申请号：KR1020020057829
申请日：2002-09-24
Applicant: 한국전자통신연구원
IPC: H01L29/786
Abstract: 본 발명은 2 층 충전기를 갖는 디스플레이 픽셀 및 그 제조방법에 관한 것으로, 박막 트랜지스터 및 충전기를 갖는 디스플레이 픽셀의 제조방법에 있어서, 기판 상부에 활성층을 형성하는 단계와 활성층 상부에 게이트 산화막, 게이트 층 및 캡핑 층을 순차적으로 증착하는 단계와 게이트 층 및 캡핑 층을 식각하여 게이트를 형성하는 단계와 게이트의 측면에 스페이서를 형성하고, 전체 상부에 이온 주입을 실시하는 단계 및 전체 상부에 도전층을 증착하여 게이트와 도전층 및 게이트와 활성층 사이에 충전기를 형성하는 단계를 포함한다. 따라서, 충전기가 화소에서 차지하는 면적을 1/2 이하로 줄일 수 있는 효과가 있다.
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公开(公告)号：KR100508544B1
公开(公告)日：2005-08-17
申请号：KR1020020079987
申请日：2002-12-14
Applicant: 한국전자통신연구원
Abstract: 전계 방출을 위한 카본 나노튜브 에미터(carbon nano tubes - emitter)를 제조하는 방법을 제공한다. 본 발명의 일 관점에 따른 제조 방법은 실리콘계 고분자를 사용하여 카본 나노튜브 에미터를 제조하는 방법을 제시한다. 이러한 제조 방법은 카본 나노튜브 분체 및 실리콘계 고분자를 혼합하여 페이스트(paste)를 제조하고, 캐소드 상에 페이스트를 인쇄 도포하여 카본 나노튜브 막을 형성한다.도포된 페이스트에 혼합된 실리콘계 고분자가 카본 나노튜브를 캐소드 상에 결착시키도록, 카본 나노튜브 막을 열처리하여 실리콘계 고분자를 실리사이드(silicide) 형상으로 경화시킨 후, 카본 나노튜브 막을 표면 처리하여 카본 나노튜브의 끝단이 표면 바깥으로 드러나게 유도한다. 여기서, 실리콘계 고분자로는 메틸 페닐 실리콘 수지(methyl phenyl silicon resin)를 사용할 수 있다.
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