公开(公告)号：KR100480310B1

公开(公告)日：2005-04-07

申请号：KR1020020057829

申请日：2002-09-24

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김용해 ,  송윤호 ,  고영욱 ,  정중희 ,  손충용 ,  이진호

IPC: H01L29/786

Abstract: 본 발명은 2 층 충전기를 갖는 디스플레이 픽셀 및 그 제조방법에 관한 것으로, 박막 트랜지스터 및 충전기를 갖는 디스플레이 픽셀의 제조방법에 있어서, 기판 상부에 활성층을 형성하는 단계와 활성층 상부에 게이트 산화막, 게이트 층 및 캡핑 층을 순차적으로 증착하는 단계와 게이트 층 및 캡핑 층을 식각하여 게이트를 형성하는 단계와 게이트의 측면에 스페이서를 형성하고, 전체 상부에 이온 주입을 실시하는 단계 및 전체 상부에 도전층을 증착하여 게이트와 도전층 및 게이트와 활성층 사이에 충전기를 형성하는 단계를 포함한다. 따라서, 충전기가 화소에서 차지하는 면적을 1/2 이하로 줄일 수 있는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1020050020494A

公开(公告)日：2005-03-04

申请号：KR1020030058500

申请日：2003-08-23

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 정중희 ,  고영욱 ,  추혜용

IPC: H05B33/26

Abstract: PURPOSE: A top emitting type organic electroluminescence diode display and a method for manufacturing the same are provided to reduce a non-uniformity of brightness between pixels by preventing a non-uniformity of voltage drop in a transparent cathode electrode. CONSTITUTION: A top emitting type organic electroluminescence diode display comprises a plurality of lower electrodes spaced apart from each other so as to define pixels(300); an organic light emitting layer formed on the lower electrodes; a transparent cathode electrode(310) arranged on the organic light emitting layer so as to form a light emitting unit; a ground terminal(450) arranged outside the transparent cathode electrode; and a connection wire(410) electrically connected to the ground terminal, and arranged along the edge of the transparent cathode electrode.

Abstract translation: 目的：提供顶部发射型有机电致发光二极管显示器及其制造方法，以通过防止透明阴极电极中的电压降的不均匀性来减少像素之间的亮度的不均匀性。 构造：顶部发射型有机电致发光二极管显示器包括彼此间隔开的多个下电极，以便限定像素（300）; 形成在下电极上的有机发光层; 布置在有机发光层上以形成发光单元的透明阴极电极; 布置在透明阴极电极外部的接地端子（450） 以及电连接到接地端子并且沿着透明阴极电极的边缘布置的连接线（410）。

公开(公告)号：KR1020040054437A

公开(公告)日：2004-06-25

申请号：KR1020020081475

申请日：2002-12-18

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 고영욱 ,  이진호 ,  정중희 ,  김용해

IPC: H05B33/26

CPC classification number: H01L51/5284 ,  H01L27/3258 ,  H01L51/56

Abstract: PURPOSE: An active organic EL device and a method for manufacturing the same are provided to reduce crosstalk between neighboring pixels by forming electrodes for BM at non-emitting region. CONSTITUTION: An active matrix type EL device comprises a substrate(1) having a plurality of pixels; a driving element including a gate electrode, an active layer, a source electrode, and a drain electrode; a first electrode connected to the drain electrode; an insulating layer(3) formed on the non-emitting region of the first electrode; an electrode(4) for BM formed on the insulating layer; a second electrode connected electrically to the electrode for BM; and an organic thin film(5) disposed between the first electrode and the second electrode and emitting light by electric field.

Abstract translation: 目的：提供一种活性有机EL器件及其制造方法，以通过在非发射区域形成用于BM的电极来减少相邻像素之间的串扰。 构成：有源矩阵型EL器件包括具有多个像素的衬底（1） 驱动元件，包括栅电极，有源层，源电极和漏电极; 连接到所述漏电极的第一电极; 形成在第一电极的不发射区上的绝缘层（3）; 形成在绝缘层上的用于BM的电极（4）; 电连接到用于BM的电极的第二电极; 以及设置在第一电极和第二电极之间并通过电场发射光的有机薄膜（5）。

公开(公告)号：KR100504347B1

公开(公告)日：2005-07-27

申请号：KR1020030097258

申请日：2003-12-26

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 손충용 ,  김용해 ,  이진호 ,  고영욱 ,  정중희 ,  황치선 ,  송윤호

IPC: H01L21/268

CPC classification number: H01L21/0268 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/268

Abstract: 본 발명은 순차측면 결정성장 방법으로 성장시킨 폴리실리콘 표면을 평탄화하는 방법에 관한 것으로, 기판 상에 소정 두께로 형성된 비정질 실리콘층을 폴리실리콘층으로 순차측면고상화 방법을 이용하여 결정화하는 단계와, 폴리실리콘층을 부분용융에서 완전용융으로 전환되는 에너지 밀도를 가지는 레이저를 이용하여 상기 폴리실리콘층을 평탄화하는 단계를 포함한다. 본 발명에 의한 평탄화 공정을 사용하여 폴리실리콘 박막트랜지스터를 제작하면 소자의 전기적 특성이 향상될 수 있는 효과가 있다.

公开(公告)号：KR1020050066057A

公开(公告)日：2005-06-30

申请号：KR1020030097258

申请日：2003-12-26

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 손충용 ,  김용해 ,  이진호 ,  고영욱 ,  정중희 ,  황치선 ,  송윤호

IPC: H01L21/268

CPC classification number: H01L21/0268 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/268

Abstract: Provided is a method for planarizing a polysilicon surface grown by means of a sequential lateral solidification method, which comprises the steps of: crystallizing an amorphous silicon having a predetermined thickness formed on a substrate into the polysilicon layer by means of the sequential lateral solidification method; and planarizing the polysilicon layer by means of a laser having an energy density for converting partially melted polysilicon into fully melted polysilicon, so that electrical characteristics of element may be improved when the polysilicon thin film transistor is fabricated using the planarization process.

公开(公告)号：KR100550005B1

公开(公告)日：2006-02-08

申请号：KR1020030058500

申请日：2003-08-23

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 정중희 ,  고영욱 ,  추혜용

IPC: H05B33/26

Abstract: 표면 발광형 유기 이엘((EL) 다이오드 디스플레이 장치 및 그 제조 방법을 제공한다. 본 발명의 일 관점에 따르면, 픽셀(pixel)을 구분하게 상호 간에 이격된 다수의 하부 전극들과, 하부 전극 상에 형성된 유기 발광층과, 유기 발광층 상에 도입되어 발광부를 이루는 투명 음극 전극, 투명 음극 전극의 외부에 도입된 접지 단자, 및 접지 단자에 전기적으로 연결되고 투명 음극 전극의 가장 자리를 따라 형성된 투명 음극 전극 가장 자리 모두에 접촉하게 연장된 연결 도선을 포함하여 구성되는 유기 이엘 다이오드 디스플레이 장치를 제공한다.
유기 이엘.

公开(公告)号：KR1020040026380A

公开(公告)日：2004-03-31

申请号：KR1020020057829

申请日：2002-09-24

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 김용해 ,  송윤호 ,  고영욱 ,  정중희 ,  손충용 ,  이진호

IPC: H01L29/786

Abstract: PURPOSE: A method for fabricating a display pixel with a two-story capacitor is provided to reduce the area of pixel occupied by a capacitor by using a two-story capacitor instead of a single-story capacitor. CONSTITUTION: An active layer(200) is formed on a substrate. A gate oxide layer(202), a gate layer(204) and a capping layer(206) are sequentially deposited on the active layer. The gate layer and the capping layer are etched to form a gate. A spacer is formed on the side surface of the gate. An ion implantation process is performed on the upper surface of the resultant structure. A conductive layer is deposited on the resultant structure to form the capacitor between the conductive layer and the gate and between the gate and the active layer.

Abstract translation: 目的：提供一种用于制造具有两层电容器的显示像素的方法，以通过使用二层电容器而不是单层电容器来减小由电容器占据的像素的面积。 构成：在衬底上形成有源层（200）。 栅极氧化物层（202），栅极层（204）和覆盖层（206）依次沉积在有源层上。 蚀刻栅极层和覆盖层以形成栅极。 在栅极的侧表面上形成间隔物。 在所得结构的上表面上进行离子注入工艺。 导电层沉积在所得结构上以在导电层和栅极之间以及栅极和有源层之间形成电容器。

公开(公告)号：KR100670804B1

公开(公告)日：2007-01-17

申请号：KR1020050012453

申请日：2005-02-15

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 윤선진 ,  임정욱 ,  고영욱 ,  이진호

IPC: H05B33/04

Abstract: 본 발명은 습기 및 산소와 접촉하여 빠른 속도로 열화되는 특성을 가진 유기 발광다이오드, 유기물 트랜지스터 등의 유기물 소자에 보호막을 형성하는 방법에 관한 것이다. 종래에는 기판이나 유기물 소자의 보호막을 형성하는 공정에서 높은 공정 온도나 플라즈마에 의해 열에 약한 기판이 변형되거나 유기물 소자가 열화/파괴되는 문제가 있다. 본 발명에서는 짧은 펄스형 플라즈마를 이용한 박막 증착법으로 무기 박막을 형성하여 보호막을 형성한다. 플라즈마를 이용하므로 유기물이 변성되지 않을 정도의 매우 낮은 온도에서 박막 증착을 수행할 수 있으며, 펄스형 플라즈마를 이용하므로 플라즈마에 의한 열화를 최소화시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR1020060041963A

公开(公告)日：2006-05-12

申请号：KR1020050012453

申请日：2005-02-15

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 윤선진 ,  임정욱 ,  고영욱 ,  이진호

IPC: H05B33/04

CPC classification number: H01L51/5237 ,  H01L21/02274 ,  H01L51/0001 ,  H01L51/56 ,  H01L2924/12044

Abstract: 본 발명은 습기 및 산소와 접촉하여 빠른 속도로 열화되는 특성을 가진 유기 발광다이오드, 유기물 트랜지스터 등의 유기물 소자에 보호막을 형성하는 방법에 관한 것이다. 종래에는 기판이나 유기물 소자의 보호막을 형성하는 공정에서 높은 공정 온도나 플라즈마에 의해 열에 약한 기판이 변형되거나 유기물 소자가 열화/파괴되는 문제가 있다. 본 발명에서는 짧은 펄스형 플라즈마를 이용한 박막 증착법으로 무기 박막을 형성하여 보호막을 형성한다. 플라즈마를 이용하므로 유기물이 변성되지 않을 정도의 매우 낮은 온도에서 박막 증착을 수행할 수 있으며, 펄스형 플라즈마를 이용하므로 플라즈마에 의한 열화를 최소화시킬 수 있다.

公开(公告)号：KR100515564B1

公开(公告)日：2005-09-20

申请号：KR1020020081475

申请日：2002-12-18

Applicant: 한국전자통신연구원

Inventor： 고영욱 ,  이진호 ,  정중희 ,  김용해

IPC: H05B33/26

Abstract: 본 발명은 비발광 부분에 BM겸용 전극을 형성하여 이를 전기적으로 캐소드 전극과 접속하여 인접 화소간의 크로스토크 효과를 줄일 수 있는 능동 유기 전계 발광 소자 그 제조방법을 제공한다. 이를 통해, 발광된 빛의 칼라 크로스 토크를 억제하고 콘트라스트를 증가시킴으로써, 고정세, 고효율, 고휘도를 구현할 수 있다.