Abstract:
본 발명은 투명 비휘발성 메모리 박막 트랜지스터에 대한 것으로, 이 소자는투명 기판 위에 형성되어 있는 소스 및 드레인 전극, 상기 소스 및 드레인 전극 및 상기 소스 및 드레인 전극 사이의 상기 투명 기판 위에 형성되어 있는 투명 반도체 박막, 상기 투명 반도체 박막 위에 형성되어 있는 유기 강유전체 박막, 그리고 상기 유기 강유전체 박막 위에 상기 투명 반도체 박막과 정렬하여 형성되어있는 게이트 전극을 포함한다. 따라서, 투명 비휘발성 메모리 박막 트랜지스터는 유기물 강유전체 박막과 산화물 반도체 박막을 사용하고, 상기 유기물 강유전체 박막 하부 및 상에 보조 절연막을 형성함으로써, 저온 공정이 가능하고 저렴하게 제작이 가능한 투명 비휘발성 메모리 소자를 실현할 수 있다. 투명, 비휘발성, 메모리, 유기 강유전체, 산화물 반도체
Abstract:
PURPOSE: A light emitting device is provided to maximize light extraction efficiency by forming a flat layer including an upper side with light transmissivity. CONSTITUTION: A substrate(100) with an engraved structure is prepared. A flat layer(106,108) with light transmissivity has an upper flat side and a lower flat side. A first electrode(112) with light transmissivity is arranged on the flat layer. An organic light emitting layer(114) is arranged on the first electrode. A second electrode(116) is arranged on the organic light emitting layer.
Abstract:
PURPOSE: An OLED panel for lighting is provided to remove an additional ground pattern by grounding an electrode area in a cover film through a conductive metal layer. CONSTITUTION: An organic layer(530) emits light by power supplied from a positive electrode(552) and a negative electrode(554). A protection cap(560) protects the organic layer from external moisture and oxygen. A cover film(580) is attached to the upper sides of the positive electrode and the negative electrode. A conductive metal layer(590) grounds the positive electrode and the negative electrode in the cover film. The conductive metal layer includes adhesive and metal powder.
Abstract:
본 발명은 투명 디스플레이를 이용한 투명 전광판에 관한 것으로, 투명 OLED(Organic Light Emitting Diode)를 디스플레이 패널로 이용하여 투명 상태에서도 정보의 디스플레이가 가능한 것을 특징으로 한다. 따라서, 본 발명에 따른 투명 전광판을 이용하면, 전광판에 표시된 정보를 확인하기 위해 시야를 돌리지 않아도 되므로 사람들에게 편의성을 제공할 수 있으며, 기존에 사용하지 못했던 공간을 효율적으로 활용할 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 투명 전광판은 텍스트 이외에 이미지나 동영상의 디스플레이가 가능하며, 제조 비용이 저렴하므로 여러 분야에 다양하게 적용될 수 있을 것으로 예상된다. 또한, 본 발명에 따른 투명 전광판에 터치 필름 기술을 적용하면, 단방향으로 정보를 전달하는 형태에서 획기적으로 발전하여 양방향의 정보 전달이 가능하게 된다. 투명, OLED(Organic Light Emitting Diode), 전광판
Abstract:
PURPOSE: A transparent non-volatile memory thin film transistor and a method for manufacturing the same are provided to be perform under lower temperature by forming an auxiliary insulating film on a transparent semiconductor thin film and an organic ferroelectric thin film. CONSTITUTION: Source and drain electrodes(102) are formed on a transparent substrate(100). A transparent semiconductor thin film(104) is formed between the source and the drain electrodes. An organic ferroelectric thin film(108) is formed on the transparent semiconductor thin film. A gate electrode(116) is formed on the organic ferroelectric thin film. A first auxiliary insulating film(106) is formed on the transparent semiconductor thin film. A second auxiliary insulating film(110) is formed on the organic ferroelectric thin film.
Abstract:
본 발명은 접촉 저항을 개선한 무인듐 투명 전도막을 포함한 다층 전자 소자 및 그의 제조방법에 관한 것으로, 본 발명에 따른 다층 전자 소자는 기판, 기판상에 형성된 n개의 산화물층과 n-1개의 금속층이 교대로 적층되어 있는 투명 전도막, 및 상기 투명 전도막 상에 형성된 상부 기능층을 포함하며, 상기 상부 기능층과 접촉하는 상기 투명 전도막의 상부 산화물층은 접촉 저항이 감소되는 소정 형태로 패터닝된 접촉 부위를 갖는다. 이와 같이 인듐을 사용하지 않으면서 접촉저항이 낮은 저저항 투명 전도막을 형성할 수 있음에 따라 층간 접촉 저항이 커서 일어나는 전자 소자 특성의 저하를 방지할 수 있다. 투명 전도막, 무인듐, 패터닝
Abstract:
본 발명은 산화물 반도체 박막의 스퍼터링 타겟용 조성물, 스퍼터링 타겟의 제조방법 및 스퍼터링 타겟에 관한 것으로, 본 발명에 따른 스퍼터링 타겟용 조성물은 알루미늄 산화물, 아연 산화물, 주석 산화물 및/또는 인듐 산화물을 포함하고, 본 발명에 따른 스퍼터링 타겟은 알루미늄 산화물, 아연 산화물, 주석 산화물 및/또는 인듐 산화물을 주성분으로 하는 원료 분말을 혼합 분쇄하는 단계; 상기 분말을 소정 형태로 성형하는 단계; 및 상기 성형체를 소결하는 단계로부터 제조된다. 스퍼터링 타겟, 조성물, 산화물 반도체, 박막
Abstract:
본 발명은 투명 전자 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, p-type 채널을 갖는 투명 전자 소자를 제조하는 경우, 저온에서 결정성 박막 형성이 용이한 물질로 버퍼층을 형성한 후 그 상부에 구리 산화물 계열 또는 ZnO 계열의 물질로 채널층을 형성함으로써, 저온 공정만으로도 p-type 채널층의 막질을 향상시켜 뛰어난 안정성을 갖는 p-type 투명 전자 소자를 제조할 수 있는 것을 특징으로 한다. 또한, p-type 채널과 n-type 채널을 동시에 형성할 수 있으므로 제조 공정 및 제조 비용을 절감할 수 있으며, 하드 마스크층을 이용하여 한번의 패터닝에 의해 소스 및 드레인을 형성할 수 있으므로 CMOS로 구현이 가능하여 디스플레이 구동 소자의 설계 마진 및 성능을 크게 향상시킬 수 있는 것을 특징으로 한다. 투명 전자 소자, TTFT, n-type, p-type, 채널, 버퍼층, 저온, 안정성
Abstract:
A transparent oxide conductive layer, and its preparation method are provided to obtain a low surface resistance and a high transparency in a visible ray range. A transparent oxide conductive layer comprises transparent oxide layers(20,40) and a metal layer(30) which are laminated alternatively, wherein the transparent oxide layers are an indium-free oxide layer comprising ZnO as a main component, and the metal layer contains Ag.